2012年10月10日，德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產品陣容。
2012-10-10 13:37:10
1451 恢復二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產的具有極低反向漏電、極短反向恢復時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設計和生產的具有
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環境下，仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。 碳化硅二極管廣泛應用于開關電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復特性MOSFET體二極管的另一個重要特性是反向恢復時間（trr）。trr是二極管開關特性相關的重要參數這一點在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品
2018-12-03 15:12:02
了參數的一致性。肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，肖特基二極管被廣泛應用于變頻器、開關電源、驅動器等電路，作為低壓、高頻、大電流
2018-10-19 11:44:47
整流二極管還具有較高的截止電壓參數。因此，D92-02特別適用于輸出電壓在12V左右的小功率輔助電源電路。 開關電源中的整流二極管采用D92-02快恢復二極管的具體原因如下：1、因為只有D92-02快恢復
2021-09-09 16:34:24
開關電源輸出整流肖特基二極管并聯的RC是吸收紅色框里的那段振蕩嗎？ 下圖是用示波器測得二極管兩端的電壓
2017-05-01 17:16:12
肖特基二極管在開關電源的作用是什么，一般開關電源的后面都會有這樣的二極管，謝謝。比如圖上的二極管，解釋下它的作用什么，謝謝大家
2017-03-28 19:59:58
肖特基勢壘整流器的典型應用包括不間斷電源、高頻開關式電源和直流-直流轉換器，以及作為續流二極管和極性保護二極管使用。 MBR系列所具有的關鍵優勢如下： ?MBR系列極快的開關速度以及非常低的反向恢復
2016-04-11 11:53:55
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
、續流二極管、保護二極管以及小信號檢波，主要用在低電壓、大電流的電路中，如驅動器、開關電源、變頻器、逆變器等電路。對于點接觸型肖特基二極管，主要用于微波通信電路。 另外，還有一種鋁硅肖特基二極管，除
2019-01-03 13:36:59
的條件下會處于導通的狀態，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩壓作用。肖特基二極管正向壓降小，關斷速度快，多用于開關電源做整流用。穩壓二極管不考慮正向使用，總是反向使用在擊穿狀態，需要考慮的是穩壓
2020-09-25 15:38:08
加直流電壓時的值。用于直流電路，最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。7.最高工作頻率fM：由于PN結的結電容存在，當工作頻率超過某一值時，它的單向導電性將變差。肖特基二極管的fM值較高
2022-01-24 11:27:53
肖特基二極管一種應用電路，這是肖特基二極管在步進電動機驅動電路中的應用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復時間短的特點，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內部的功耗就小了很多，提高了熱穩定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規格書下載：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
肖特基二極管優點：肖特基二極管具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
MDD肖特基二極管的最高結溫。四、小于MDD肖特基二極管的正向額定電流IF。五、對于比較苛刻的環境，為了保證可靠性，MDD肖特基二極管應降額使用。六、肖特基二極管的代換盡量選用原型號、因為不同的型號的肖特基正向壓降VF和反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR都不同。肖特基二極管規格書下載：?
2021-06-15 15:33:58
-SBD后，提高效率，除了減少耗電，更重要的是降低器件溫度，減少散熱成本，提高了至關重要的系統可靠性。在新能源汽車興起之前，服務器電源PFC-度是肖特基二極管最主要的市場。這個應用領域對可靠性的要求較高，已經
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內部的功耗就小了很多，提高了熱穩定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
都是根據這兩個工作點計算的。然而，肖特基二極管的快速開關也會引起功耗，其表現形式為在開關期間出現的電壓和電流。 反向恢復也會引起功耗，這與SiC等新型半導體材料的技術發展有關。有許多不同類型的半導體
2019-02-21 13:39:32
開關電源(開關模式電源，SMPS)或電源整流器內部的交流至直流轉換，以及直流電壓轉換；2)阻止直流電流和相反極性的直流的反向流動，例如當電池插入不正確時。由于其較高的開關速度，肖特基二極管主要用于高達微波
2017-04-19 16:33:24
截止時形成一個諧振電路，它可導致。因此，有必要在電源輸出中設置RC緩沖器以保護管子的安全。另外RC網絡還可以減少輸出噪音，減少管子的熱耗，提高產品的效率和可靠性。肖特基二極管規格書下載：?
2021-08-11 14:05:26
設計出好的開關電源，你就必須知道每一個開關電源上的每一個元器件的名稱，功能和特性。而這，也是今天ASEMI要隆重推出的一個主題：教你熟透開關電源設計的各種元器件。ASEMI主營整流橋和二極管，所以
2018-11-03 11:21:21
，肖特基二極管MBR20100FCT是最佳選擇（由于此時反向耐壓低），另外肖特基二極管MBR20100FCT的正向壓降VF和結溫TJ呈現負溫度系數，所以其制造的開關電源效率高，溫升低、噪音低、可靠性高。
2021-10-08 16:35:18
小得多。此外，它的恢復時間很短，可以達到幾納秒。肖特基二極管多用作高頻、低壓、大電流的整流二極管（如驅動器、開關電源、變頻器、逆變器）、續流二極管、保護二極管，也可用于微波通信等電路中用作整流二極管
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
編輯-Z為什么說MBR20100FCT-ASEMI是開關電源常用肖特基二極管？開關電源不同于線性電源。開關電源中使用的大多數開關晶體管在全導通模式（飽和區）和全閉模式（截止區）之間切換。兩種模式都
2021-11-23 16:19:25
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來開發出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是反向恢復時間極短，最小可以到達幾nS，而且它的正向導通壓降僅0.4V左右。普遍用于用于大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管場合。有些開關電源需要用到肖特基二極管。 `
2019-04-15 12:03:20
電壓保護。肖特基二極管的低正向下降使它們在太陽能電路中具有高能效。箝位: 在晶體管箝位電路中，用肖特基二極管作為開關二極管。為了箝位，肖特基二極管連接在集電極和驅動晶體管的基極之間。當開啟時，肖特基
2022-03-19 22:39:23
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應用于有六級能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復時間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規格書下載：
2022-01-24 15:00:32
時間短，速度快，正向導通壓降也小，所以常用來做開關電源整流。MDD二極管依靠領先技術，高素質人才和國內領先的生產檢驗設備，不斷推出更好的低VF肖特基，且一貫注重產品質量和信譽，精益求精，并能夠保證產品在付款后當天或隔天內發貨，為需求群體提供滿意的服務，優良產品和完善的售后服務。低壓降肖特基二極管規格書下載：
2020-10-28 16:49:06
，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽極，②腳為公共陰極。第二，因①?②、③?②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向導電性。第三，內部兩只肖特基二極管的正向導通壓降分別為0.315V
2018-12-10 15:19:35
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
SiC-SBD，藍色是第二代，可確認VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進電源系統應用的效率提高與小型化前面已經介紹了
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
耗散，因此降低了熱和電傳導損耗。它的高結溫能力提高了高環境溫度下或無法獲得充分冷卻的應用中的可靠性。肖特基二極管的應用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應用包括不間斷電源、高頻開關式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應用SiC肖特基二極管可廣泛應用于開關電源、功率因數校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領域，可顯著降低
2023-02-07 15:59:32
，中間的為空腳，一般在出廠時剪掉，但也有不剪的。 2.若在對管中有一只管子破壞，則可作單管使用。 3.在彩色電視機和多頻顯示器的開關電源的輸出電路和行輸出電路中，整流肖特基二極管和行輸出阻尼二極管大都
2018-12-05 11:54:21
一、快恢復二極管恢復二極管，簡稱FRD，它是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，與普通二極管一樣具有單向導電性，主要應用于開關電源、脈寬調制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-16 14:56:38
一、快恢復二極管恢復二極管，簡稱FRD，它是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，與普通二極管一樣具有單向導電性，主要應用于開關電源、脈寬調制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-20 15:22:29
流IR也同樣得到大幅改善。普通肖特基勢壘二極管的特性存在一種矛盾關系，即當試圖降低正向電壓時，漏電流就會增加。第三代SiC-SBD不僅繼承了正向電壓低的特點，還通過采用JBS結構而大幅降低了漏電
2018-12-03 15:11:25
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
應的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復特性在內，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結構SiC
2018-12-05 10:04:41
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數均相當于或優于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
，能夠有效降低產品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導率大的特點，應用開關頻率可達到1MHz，在高頻應用中優勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50
、RBR2LAM60B、RBR2LAM60A、RBR1LAM60A系列肖特基二極管具有可靠性高、功耗小、正向壓降小、反向峰值電流大等特點，特別適合用于整流電路上。RBR5LAM60A、RBR3LAM60B
2019-04-18 03:48:05
英飛凌推出了第二代碳化硅（SiC）肖特基二極管——thinQ!2G™。該二極管是由一個肖特基結構和一個與它平行的獨特的低電阻PN 結結構組成，因此具備更加強大的浪涌電流處理
2010-05-10 00:09:49
19 肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理
基本原理是：在肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理金屬（例如鉛）和半導
2010-02-26 13:38:584312 肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，肖特基二極管被廣泛應用于變頻器、開關電源、驅動器等電路，作為低壓、高頻、大電流整流二極管、保護二極管、續流二極管等使用
2017-10-23 14:57:394379 肖特基二極管廣泛應用于開關電源中，每一個從事電子行業的人都有聽過肖特基，但我們是否真正了解，肖特基內部結構、應用范圍以及為什么肖特基廣泛應用于高頻開關電源中？那么下面就讓我們一起走進肖特基的世界尋找
2017-11-10 10:54:1415 肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，肖特基二極管被廣泛應用于變頻器、開關電源、驅動器等電路，作為低壓、高頻、大電流整流二極管、保護
2018-01-21 10:44:3724950 推動高能效創新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。
2018-03-01 13:14:179301 前面讓我介紹基礎內容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產品的優勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:507154 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認證 與傳統 SOD/T 封裝二極管相比節省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:522955 
肖特基二極管因為幾乎沒有反向恢復trr。因此，可以在很高開關頻率下運行，而VF又非常小，受到電源工程師的廣泛青睞。不過，因為反向漏電流IR大，如下圖1 所示，所以不適合用作高耐壓元件，通常最高耐壓可達200V。
2022-04-12 09:34:532420 ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:071642 
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品。
2023-02-16 09:55:061350 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473720 肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點，廣泛用于開關電源及功率變換器中。
2023-04-17 17:14:143948 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
二極管具有許多顯著不同之處。肖特基二極管的開關速度非常快，具有低反向電流和低漏電流。在一些電路中，它可以被用來代替普通二極管。 肖特基二極管最主要的功能是作為開關或者整流器。下面將會具體分析一下肖特基二極管的一些
2023-08-28 17:22:3914445 肖特基二極管的作用 三腳肖特基二極管的作用 肖特基二極管常見型號與作用? 肖特基二極管是一種半導體器件，利用P型半導體和N型半導體之間的PN結形成的二極管性質進行電子的輸送，是一種具有優良高頻特性
2023-08-31 17:29:573609 肖特基二極管為什么三個引腳 三端型肖特基二極管接法 肖特基二極管是一種半導體器件，與普通二極管相比，它的電壓降低和回復時間更短，因此在許多電路中都被廣泛應用。肖特基二極管有三個引腳，其中兩個為正極
2023-09-02 10:33:5812154 肖特基二極管在開關電源中發揮著十分重要的作用，它可以擴大交流電轉化為直流電的范圍，提高開關電源的效率，還可以節省成本，增加使用壽命。本文將就肖特基二極管在開關電源中的作用進行探討，并分析應該如何選擇
2023-09-02 10:34:004723 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V
2023-09-22 09:25:32840 1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:461464 
近日，半導體器件領域企業SemiQ宣布，其QSiC?產品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS
2024-06-14 11:36:491351 
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944 
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結構設計，額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅
2024-07-05 09:36:122318 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN
2024-07-24 09:26:20822 
SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導體材料的應用范疇。SiC作為一種寬禁帶半導體材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導體材料的重要應用之一，其工作原理和結構在電力電子領域具有獨特的重要性。以下將詳細闡述SiC二極管的工作原理和結構，同時結合其技術特性和應用場景進行深入分析。
2024-09-10 15:09:393508 時間短和開關損耗小，因此廣泛應用在變頻器、開關電源、模塊電源、驅動電路等場合。以下是對肖特基二極管應用領域及其在開關電源中應用的介紹： 肖特基二極管的應用領域 電源管理 ：肖特基二極管廣泛應用于電腦電源的整機電路、筆
2024-12-13 16:17:022603 電子發燒友網站提供《AN028：SiC功率二極管的可靠性.pdf》資料免費下載
2025-01-23 16:38:360 轉換器等領域。 碳化硅（SiC）屬于第三代半導體，派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統Si肖特基二極管具有
2025-02-25 15:44:15791 
轉換器。 碳化硅（SiC）屬于第三代半導體，派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統Si肖特基二極管具有更高的耐
2025-02-25 16:01:30888 
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC
2025-03-20 11:16:591046 
——FAE視角下的效率優化關鍵器件在現代電子系統中，開關電源（SMPS）以其高效率和小型化優勢成為主流電源解決方案。而在SMPS設計中，MDD肖特基二極管作為關鍵整流器件，因其優異的正向導通特性
2025-04-15 09:37:43617 
在當今電子設備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時代，功率半導體器件的性能提升至關重要。碳化硅（SiC）肖特基二極管作為新一代功率半導體，憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用領域的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管。
2025-11-28 14:15:39205
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