特瑞仕半導體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD. 日本東京) 推出升壓同步整流PFM 控制DC/DC 轉換器XC9140 系列產品。
2012-08-08 09:15:23
1837 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導
2022-05-19 16:03:513914 
日前，意法半導體推出L6983 38V/3A同步整流DC/DC轉換器，在任何負載時都能保持高能效，最高能效達到95％，片上集成同步整流MOSFET晶體管，可以節省外部元件，簡化設計過程。 L6983
2020-02-13 16:02:461990 意法半導體布局第三代半導體多年，是推動氮化鎵、碳化硅等發展商用的主要廠商之一。在氮化鎵方面，2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發硅基氮化鎵功率切換元件制造技術。意法
2020-02-24 08:57:484103 2022年7月25日，中國 - 意法半導體VNF1048F車規高邊開關控制器集成強化的系統保護診斷功能和意法半導體的I2-t硅熔斷保護技術。 ? 作為意法半導體新推出的集成I2-t保護功能
2022-07-25 14:36:481844 
(IGBT)，現在出現了氮化鎵(GaN)晶體管，可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如，Navitas半導體推出尺寸最小的65W USB-PD (Type-C)電源轉換器參考設計NVE028A，正是
2018-10-23 16:12:16
前言 同步整流（SR）控制器能夠提高電源的轉換效率。本文將一起探討它們的優勢以及它們如何使電源開發人員的工作更輕松。憑借出色的性能，寬帶隙（WBG）功率半導體-比如碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN
2022-02-17 08:04:47
間接測量輸出功率，并據此調節驅動器輸出電壓或進入禁用模式；在LLC應用中，LLD電路用于測量跳周期模式的占空比，并據此改變驅動器輸出電壓或進入禁用模式。結語安森美半導體新一代同步整流驅動控制器NCP
2019-06-17 05:00:09
中國，2018年11月2日 - 意法半導體的 STM32L412和STM32L422微控制器（MCU）以功能專一和封裝緊湊為特色，為注重成本預算的消費類、工業和醫療應用帶來超低功耗技術和優異的處理
2018-11-05 14:11:08
中國，2017年11月15日——橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新的超低功耗微控制器，讓每天與人
2017-11-21 15:21:22
微控制器的關機模式功耗低至33nA，EEMBC ULPBench測試成績取得402 ULPMark-CP。新產品傳承意法半導體的低功耗技術專長，例如，自適應電壓調節、實時加速、功率門控和在以前的STM32L
2018-10-17 10:37:12
傳感器的電源電壓和電流，進而簡化連網產品、智能傳感器、移動機器人或無人機控制器等注重功耗的項目開發。詳情請瀏覽： www.st.com/profiMEMS-PR相關新聞意法半導體STM32F4基本型產品線
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
中國，2018年4月10日 ——意法半導體的STLQ020低壓差（LDO）穩壓器可以緩解在靜態電流、輸出功率、動態響應和封裝尺寸之間權衡取舍的難題，為設計人員帶來更大的自由設計空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年10月10日——意法半導體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調試探針，進一步改進代碼燒寫及調試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
意法半導體的AlgoBuilder 固件開發工具能將寫代碼工作從固件開發中分離出來，讓用戶使用可立即編譯的STM32 *微控制器（MCU）運行的函數庫模塊，在圖形用戶界面上創建傳感器控制算法。以簡化
2018-07-13 13:10:00
半導體(ST)完整全橋系統封裝內置MOSFET、柵驅動器和保護技術以節省空間，簡化設計，精簡組裝意法半導體(ST)推出內置32位MCU的電機驅動器，簡化電池供電機器人和電器設備的電機控制系統意法半導體高集成度數字電源控制器簡化設計，助力應用達到最新能效安全標準`
2018-06-25 11:01:49
`意法半導體的STCH03 脈寬調制（PWM）控制器擁有很高的集成度，采用一次側調整技術實現精確的恒流輸出，幫助經濟型手機充電器、電源適配器或輔助電源更好地滿足能效法規對平均效率和待機功率的嚴格限制
2018-07-13 11:35:31
功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
中國，2018年8月27日——意法半導體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機驅動器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導通電阻RDS（ON）的功率開關管，有助于簡化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
STM32* 微控制器上開發先進的高能效電機驅動器的難度。此舉為空調、家電、無人機、樓宇自動化、機床、醫療設備、電動車等產品設備工程師研發先進電機驅動帶來更多機會，而且無需專門的研發經驗。基于意法半導體上一代
2018-03-22 14:30:41
意法半導體已將其 STM32Cube.AI 機器學習開發環境放入云中，并配有可云訪問的意法半導體MCU板進行測試。這兩個版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發布一款創新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產品可簡化手機與其它便攜電子產品的電路設計，為
2011-11-24 14:57:16
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通過簡單的“數字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設計的機會，從而極為有效地縮短了產品上市
2023-06-15 15:32:41
結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應用(如集成電機驅動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
（如處理器）。具有高輸入至輸出電壓比的開關模式功率轉換器的效率較低。這些電源管理模塊通常涉及多個轉換階段。從中間的54/48伏總線直接轉換到處理器內核電壓可以降低成本并提高效率。氮化鎵憑借其獨特的開關
2019-03-14 06:45:11
和意法半導體今天聯合宣布將硅基氮化鎵技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃，這標志著氮化鎵供應鏈生態系統的重要轉折點，未來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在硅晶圓制造方面的規模化和出色運營完美結合
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發，有望降低成本50%以上。 目前已開發出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進工藝技術，光效
2014-01-24 16:08:55
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
，可幫助系統設計人員簡化和加快產品開發，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
的自由設計空間，使他們能夠靈活地定義無刷IPM電機的電氣參數，滿足實際應用對電機的高功率密度和高速性能的需求。 意法半導體還增加了定子電壓閉路弱磁控制算法，降低微控制器對電機參數和環境變化的敏感性
2009-05-04 11:40:00
意法半導體的廣泛數字電源產品組合可滿足數字電源設計的要求。我們的產品包括MCU（專為數字功率轉換應用而設計，采用全數字控制方法）和數字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲器）。意法半導體
2023-09-07 06:49:47
ST Voltage Regulator Finder 應用軟件，方便工程師、采購人員、學生或企業用戶在智能手機或平板上快速、輕松地尋找并購買意法半導體的穩壓器、精密基準電壓芯片及直流電源轉換器等產品
2018-05-28 10:35:07
功率模塊（APM）、加熱和冷卻單元等。表1：突破性半導體材料的最佳應用氮化鎵的魅力在于其固有的超越硅的幾個屬性。氮化鎵提供更低的開關損耗；更快的速度，類似RF的開關速度；增加的功率密度；更好的熱預算
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
到 1MHz 以上。新的控制器正在開發中。微控制器和數字信號處理器（DSP），也可以用來實現目前軟開關電路拓撲結構，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優化的磁性材料，已經可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規模生產、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
條件下實現高能效，是達到這個市場需求的關鍵要素，同時也是半導體廠商研發新技術的動力。 因為過去幾年技術改良取得較大進步，意法半導體最新的功率MOSFET技術可以成功地替代變頻電機控制器的IGBT開關
2018-11-20 10:52:44
產生不良影響。安森美半導體最新推出的同步整流控制器FAN6248，優化用于LLC諧振轉換器，完美地解決上述挑戰，適用于高能效服務器和臺式電腦電源、大屏液晶電視及顯示器電源、網絡和電信電源、高功率
2018-12-03 11:07:15
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。意法半導體的數字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設計、技術文檔和eDesignSuite軟件配置器和設計工具來實現
2023-09-06 07:44:16
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
如何使用UCC24624同步整流器控制器提高LLC諧振轉換器的效率？
2021-06-17 11:21:32
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
意法半導體ST推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級，提高電機驅動能效
中國，2008年7月16日 —— 以降低電動汽車等電動設備的運營成本和環境影
2008-07-29 14:13:02918 意法半導體發布超低功耗整流二極管
功率半導體供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新的高能效功率整流二極管
2010-04-06 13:29:521162 硅谷數模半導體公司(Analogix Semiconductor, Inc.,)日前推出了其能效型顯示轉換器設備系列，可將系統平臺的DisplayPort輸出轉換成現行的單或雙LVDS嵌入式屏幕。
2011-09-19 09:00:02758 
橫跨多重電子應用領域半導體供應商 意法半導體 (ST)近日推出新款高壓蕭特基二極體(Schottky diode)，有助于提高電信基地臺和熔接設備的效能和穩健性。 意法半導體的新款200V功率蕭特基
2011-10-08 09:05:281566 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商及全球電源管理芯片領導供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款業界獨有的照明控制器芯片，讓
2018-04-27 10:06:001415 2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業電源的靈活性。
2018-07-04 11:32:595661 意法半導體發布的VIPer26K高壓功率轉換器集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼備寬壓輸入與設計簡單的優點。
2019-08-03 10:00:405779 STNRGPF12是意法半導體的雙通道交錯式升壓PFC控制器，兼備數字電源的設計靈活性和模擬算法的快速響應性，控制器配置和優化的過程非常簡單，使用意法半導體的eDesignSuite軟件就可以輕松完成。
2019-08-07 17:05:014716 臺積電昨日宣布，與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產品。意法半導體預計今年晚些時候將首批樣品交給其主要客戶。
2020-02-21 15:41:183076 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，與傳統的硅功率半導體相比，優勢十分明顯，例如，在大功率工作時能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。
2020-02-24 17:15:131626 以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導體材料越來越受到市場重視，半導體企業正在競相加速布局。日前，意法半導體宣布已簽署收購法國氮化鎵創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。
2020-03-10 11:22:193244 意法半導體VIPer26K發布高壓功率轉換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼備寬壓輸入與設計簡單的優點。
2020-03-18 15:24:513098 中國，2020年4月7日——意法半導體的VIPer222控制器可用于高達8W的高壓電源轉換器，具有體積小、低成本，功能齊全，可應用于家用電器、樓宇自動化設備、智能照明和智能電表等應用。
2020-04-07 15:21:363740 意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 意法半導體推出了一個新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導體。該系列產品屬于意法半導體的STPOWER 產品組合，能夠顯著降低各種電子產品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432 電源，例如，充電器、PC機外部電源適配器、LED照明驅動器、電視機等家電。消費電子產品的全球產量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應用中，意法半導體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業驅動電機、太陽能逆變器、電動汽車及其充電設施。
2022-01-17 14:22:543358 功率因數校正(PFC)控制器、諧振半橋控制器、800V啟動電路，以及管理這三個模塊的數字引擎。PFC 控制器可以在過渡模式、非連續電流模式(DCM) 和谷底跳躍之間動態切換，以實現最佳能效。半橋控制器執行意法半導體的時移控制?(TSC)專利技術，以實現精確的軟開關操作。 ?
2022-05-17 17:42:183500 
意法半導體和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。
2022-05-20 09:16:172067 中國—— 意法半導體推出 L3751 同步降壓控制器，具有緊湊的尺寸和6V至 75V的輸入電壓范圍，適用于從工業設備到純電動輕型汽車等各種應用領域。這款3.5mm x 4.5mm的控制器還適用于常用的24V和48V電信和網絡設備。
2022-10-25 14:34:19977 使用UCC24624同步整流器控制器提高LLC諧振轉換器的效率
2022-11-01 08:25:27
3 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統硅材料進行替代。預計中短期內硅基氮 化鎵將在手機快充充電器市場快速滲透，長期在基站、服務器、新能源汽車等諸多場景也將具有一定的增長潛力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 16:44:264975 
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙（WBG）半導體，具有快速的開關速度，更高的擊穿強度和高導熱性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-10 10:43:342743 
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。
2023-02-12 13:52:271619 反向恢復電荷、體積小和能耗低、抗輻射等優勢。 曾經射頻半導體市場中主要用到的是LDMOS技術，而如今，硅基氮化鎵技術基本已經取代了傳統的LDMOS技術，與傳統的LDMOS技術相比，硅基氮化鎵技術可提供的功率效率能夠超過70%，單位面積功
2023-02-12 14:30:283190 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對傳統硅材料功率器 件進行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍寶石基氮化鎵具有良好的熱穩定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 意法半導體發L6983i10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。
2023-05-19 09:56:311516 2023年5月20日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振 (QR)反激式功率轉換器。
2023-05-20 16:59:50754 ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意法半導體的集成柵極驅動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術的開關頻率比傳統硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態設計規范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 電子發燒友網站提供《意法半導體微控制器EMC設計指南.pdf》資料免費下載
2023-10-07 15:08:5715 2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:111621 意法半導體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉換器的設計難度，提高轉換能效，目標應用包括工業電源、便攜式設備充電器和 AC/DC適配器。
2024-03-07 16:26:571046 意法半導體近日發布了其全新同步整流控制器SRK1004，該控制器專為簡化采用硅基或氮化鎵（GaN）晶體管的功率轉換器的設計流程而設計，同時顯著提高了轉換效率。該控制器適用于多種應用，包括工業電源、便攜式設備充電器以及AC/DC適配器等。
2024-03-12 10:53:171448 為了推動氮化鎵(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升，意法半導體近日推出了EVL250WMG1L參考設計。該設計基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)技術，是一款諧振轉換器
2024-12-25 14:19:481143 為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP）的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151134 意法半導體新款微型單片降壓轉換器DCP3601集成大量的功能，具有更高的設計靈活性，可以簡化應用設計，降低物料清單成本。這款芯片內置功率開關與補償電路，構建完整的輸出電壓設置電路，僅需電感器、自舉電容、濾波電容、反饋電阻等6個外部元件。
2025-03-24 11:40:231235 意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:581139 意法半導體的新離線高壓轉換器VIPer11B可為高達8W的應用（包括照明、智能家居設備、家用電器和智能電表）提供高能效、低成本的小電源。
2025-07-18 14:38:37831 為提供卓越的效率和功率密度，意法半導體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設計進程，推出了基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計。
2025-07-18 14:40:16942 ????????意法半導體推出一系列GaN反激式轉換器，幫助開發者輕松研發和生產體積緊湊的高能效USB-PD充電器、快充和輔助電源。新系列轉換器在低負載條件下采用意法半導體專有技術，確保電源和充電器無聲運行，為用戶帶來出色的使用體驗。
2025-11-24 10:03:51314
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