光電子器件的重要基礎(chǔ)材料。研究非晶氧化鎵的熱輸運特性對其在能源與光電子器件的熱管理及能量轉(zhuǎn)化等方面的應(yīng)用至關(guān)重要。
2023-06-27 08:57:41
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在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動超寬禁帶功率器件進入大規(guī)模落地階段。
2025-07-11 09:12:482948 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:094855 
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續(xù)調(diào)整，兼具寬禁帶半導(dǎo)體特性與靈活的功能可設(shè)計性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。
2025-05-23 16:33:201474 
氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。本文聚焦于 Ga2O3射頻器件
2025-06-11 14:30:062165 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構(gòu)體，其中β-Ga 2 O 3 （ β 相氧化鎵）最為穩(wěn)定，也是
2022-12-21 02:35:002517 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構(gòu)體，其中β-Ga 2 O 3 （ β 相氧化鎵）最為穩(wěn)定，也是
2022-12-28 09:14:252676 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）氧化鎵被認(rèn)為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導(dǎo)體材料，而對于氧化鎵的重要性，去年8月美國商務(wù)部工業(yè)和安全局的文件中披露，將對氧化鎵和金剛石兩種超寬禁帶半導(dǎo)體襯底實施出口
2023-11-06 09:26:003157 我國科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
，有如下反應(yīng)：42 （2） 上式表明，被氧俘獲的電子釋放出來，這樣半導(dǎo)體表面載流子濃度上升，從而半導(dǎo)體表面電阻率減小。三、氧化物半導(dǎo)體甲烷傳感器的研究進展 盡管甲烷是分子結(jié)構(gòu)最簡單的一種碳氫
2018-10-24 14:21:10
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構(gòu)成的電阻叫做氧化膜電阻。來源于：上上電子網(wǎng)`
2013-07-15 16:47:00
對LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有較多的研究；固體電解質(zhì)膜方面以對LIPON膜的研究為主；陽極膜方面以對鋰金屬替代物的研究為主，比如錫和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循環(huán)交通的提高。在薄膜鋰電池結(jié)構(gòu)方面，三維結(jié)構(gòu)將是今后研究的一個重要方向。
2011-03-11 15:44:52
光電子應(yīng)用正在推動砷化鎵（GaAs）晶圓和外延片市場進入一個新時代！在GaAs射頻市場獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α１痉謺闹黝}涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
和二氧化錳制成。這種材料組合使得電池在處理時更為方便，同時也降低了環(huán)境風(fēng)險，因為沒有使用重金屬等有害物質(zhì)。
(2)堆疊結(jié)構(gòu)：Molex薄膜電池采用堆疊結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)有助于減少陽極和陰極之間的距離，進而
2025-07-15 17:53:47
以晶態(tài)V2O5(c-V2O5)為原料,采用熔融淬冷法成功制取了V2O5薄膜電極,研究了該電極電化學(xué)阻抗譜(EIS)的基本形狀及其隨電位的變化,并用等效電路擬合了不同電位下的EIS,同時系統(tǒng)地測試分析了與電極材料性質(zhì)和電極荷電狀態(tài)相聯(lián)系的一些參數(shù)。對引起這些界面參數(shù)變化的可能原因進行了解釋。
2011-03-10 12:11:28
材料，將常規(guī)集成電路工藝和微機械加工獨有的特殊工藝相結(jié)合，全面繼承了氧化、光刻、擴散、薄膜、外延等微電技術(shù)，還發(fā)展了平面加『[技術(shù)、體硅腐蝕技術(shù)、固相鍵合技術(shù)、LIGA技術(shù)等，應(yīng)用這些技術(shù)手段制造出層
2019-08-01 06:17:43
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學(xué)協(xié)會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
激光器生長在氮化鎵/藍寶石模板上，位錯密度在108cm-2量級，如今氮化鎵激光器都生長在位錯密度為106cm-2量級或更低的氮化鎵自支撐襯底上，如圖3所示。 圖4、（a）由于外延結(jié)構(gòu)各層生長
2020-11-27 16:32:53
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構(gòu)成的電阻叫做氧化膜電阻。來源于：上上電子網(wǎng)
2013-07-15 16:49:07
。為了開發(fā)這些新的可彎曲產(chǎn)品，設(shè)計師現(xiàn)在可以使用現(xiàn)有的材料，如薄膜和塑料，來取代今天的硬電路板和大型電子元件。但他們很快就會有新的選擇。威斯康星大學(xué)麥迪遜分校進行的研究發(fā)現(xiàn)了一種利用木材制造功能微波放大器
2022-04-15 15:25:08
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
物半導(dǎo)體在光電子器件中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測器都要用到p型寬帶隙氧化物半導(dǎo)體。目前這類氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物[2]-[8]。在這類氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導(dǎo)電性以外,最近又報道了它的高溫?zé)犭娞厝南螺d
2010-04-24 09:00:59
硅來添加電子。 如果在任何其他寬帶隙氧化物中這樣做，結(jié)果可能是破碎的晶體和晶格斑點，這樣的話電荷會被卡住。氧化鎵能夠適應(yīng)通過“離子注入”標(biāo)準(zhǔn)工藝添加以及外延生長（沉積額外的晶體）過程中添加的摻雜劑
2023-02-27 15:46:36
各位大神，目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
of Houston)的 Ignatiev 研究小組報道了PrxCa12xMnO3 ( PCMO) 氧化物薄膜電阻轉(zhuǎn)換特性后,人們才開始投入大量的精力和財力對 RRAM進行研究。
2019-10-10 09:02:30
通過對陽極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進行研究,將陽極氧化參數(shù)對多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:50
13 自旋閥結(jié)構(gòu)薄膜及其自由層的特性研究劉 鵬（清華大學(xué)微電子學(xué)研究所，北京，100084）摘 要：基于自旋閥結(jié)構(gòu)的磁傳感器因其優(yōu)良的性能，在傳感器家族中具有越來越重要
2009-12-14 10:52:5534 日本田村制作所與光波公司宣布，開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預(yù)計可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板
2011-03-29 11:39:291317 壓電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
2017-10-17 14:16:1229 法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術(shù)研究院 （IEMN） 的最新結(jié)果顯示，ALLOS 即將推出的適用于 1200 V 器件的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過 1400 V 的縱向和橫向擊穿電壓。
2018-02-26 10:17:426459 
氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181790 近日，漢能薄膜發(fā)電集團宣布，其砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。世界三大再生能源研究機構(gòu)之一的德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）已認(rèn)證，漢能Alta高端裝備集團（以下簡稱“Alta”）的砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達到29.1%，再次刷新世界紀(jì)錄。
2018-11-12 16:38:2511109 美國佛羅里達大學(xué)、美國海軍研究實驗室和韓國大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān)，展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵（Ga2O3）的特性、能力、電流限制和未來發(fā)展前景。
2018-12-28 16:30:116687 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展?fàn)顩r。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長、高性能二極管以及場效應(yīng)晶體管的研制進展。同時對氧化鎵低熱導(dǎo)率特性的規(guī)避提供了可選擇的方案，對氧化鎵未來發(fā)展前景進行了展望。
2019-01-10 15:27:1017618 
最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變試驗設(shè)計的“世界觀”。基板襯底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:585381 
、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鎵、銦、鋁、磷或砷。在這一點上，作為我們?nèi)A林科納研究的重點，GaAs晶圓是一個很好的候選，它可以成為二極管等各種技術(shù)器件中最常見的襯底之一。 襯底表面對實現(xiàn)高性能紅外器件和高質(zhì)量薄膜層起著重要作用
2022-01-19 11:12:222382 
在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過外延生長的手段長出不同的材料膜層結(jié)構(gòu)。
2022-04-07 15:32:577549 
）、掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發(fā)光（PL）光譜進行表征，以允許對它們的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行檢查。XRD結(jié)果表明，當(dāng)薄膜在不同的氫氮濃度下刻蝕不同的時間時，ZnO的強度降低。上述觀察歸因于氧化鋅的溶解
2022-04-24 14:58:201931 
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時間和添加H2O2溶液對多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:341329 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用射頻磁控濺射系統(tǒng)，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備出表面紋理的氧化鋅。研究了合成膜的形貌、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)對蝕刻劑濃度的影響，得到了具有良好捕光特性的高效表面紋理氧化鋅薄膜。
2022-05-09 17:01:312448 
FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。
2022-07-28 11:22:552411 通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:3810576 二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級計算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生長半導(dǎo)體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術(shù)
2022-10-19 20:20:572465 
)半導(dǎo)體器件有可能實現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85
2022-11-29 14:46:531385 (UWBG)(帶隙4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85 eV的大帶隙和晶體生長方面的突破，導(dǎo)致了2012年第一個
2022-12-19 20:36:162293 
如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點。
2022-12-21 10:21:581332 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構(gòu)體，其中β-Ga 2 O 3 （ β 相氧化鎵）最為穩(wěn)定，也是
2022-12-28 07:10:061603 )半導(dǎo)體器件有可能實現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85
2022-12-28 17:46:23860 
氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:355312 氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因為其禁帶寬度大于2.2eV，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
2023-02-11 11:39:352689 
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)襯底外延， 基于自支撐氮化鎵晶圓片的同質(zhì)外延可能是大多氮化鎵基器件的絕佳選擇。
2023-02-14 09:18:101513 
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:415426 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質(zhì)量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:223015 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 的一些獨特特性。氮化鎵具有與硅相當(dāng)?shù)?
電子遷移率，但具有一個三倍大的帶隙，使之成為極好的高功率應(yīng)用和高溫的候選人操作。能夠形成薄型algan /GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)
圖，其表現(xiàn)出二維電子氣體現(xiàn)象導(dǎo)致高電子遷移率晶體管。氮化鎵研究的另一個有趣
2023-02-21 14:57:374 研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:411 我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。
2023-02-22 10:59:334889 氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團隊已在實驗室實現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2023-02-27 18:06:433476 氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點1800℃時必為β相。目前產(chǎn)業(yè)化以β相氧化鎵為主。
2023-03-08 15:40:005426 氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點1800℃時必為β相。目前產(chǎn)業(yè)化以β相氧化鎵為主。
2023-03-12 09:23:2714614 氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。
2023-03-13 12:25:26950 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06977 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。目前學(xué)術(shù)上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0033369 
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ絹碓降玫絿鴥?nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:291155 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物項的出口許可要求。
2023-07-04 17:21:352289 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 10:24:022970 
三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體，為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻。
2023-08-02 10:38:181727 液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測器研究機構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:202941 
三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30926 
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點。
2023-08-09 16:14:421396 
生長氮化鎵薄膜，形成GaN基礎(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)。由于氮化鎵材料的性質(zhì)優(yōu)良，GaN技術(shù)被廣泛應(yīng)用于LED、高頻功率放大器、射頻器件等領(lǐng)域。
2023-08-22 15:17:315816 近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:441442 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
這種作方法屬于“有機金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延（HVPE）法”相比，可以制作更高頻率器件。
2023-10-12 16:53:531678 通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:401429 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 。 氮化鎵主要有金屬有機化合物氣相外延法（MOVPE）、分子束外延法（MBE）和金屬有機化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）等制備方法。其中，MOVPE是最常用的制備方法之一。該方法通常在高溫下進行，通過金屬有機化合物鎵和氮氣反應(yīng)生成氮化鎵薄膜
2024-01-10 10:06:302384 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 薄膜電容是一種常見的電子元件，其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)對其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)進行詳細的介紹
2024-01-10 15:41:546424 
異質(zhì)外延是一種先進的晶體生長技術(shù)，它指的是在一個特定的襯底材料上生長出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化學(xué)組成的薄膜或外延層的過程，即：在一種材料的基片上生長出另一種材料。
2024-04-17 09:39:421714 
北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進展，其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
2024-06-05 10:49:071852 超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的未來應(yīng)用潛力。本文總結(jié)了氧化鎵材料的一些固有
2024-06-18 11:12:311583 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《建筑銅銦鎵硒薄膜光伏系統(tǒng)電氣設(shè)計與安裝（一).pdf》資料免費下載
2024-10-24 10:49:580 ? 半導(dǎo)體量子點（Quantum Dot，QD）以其顯著的量子限制效應(yīng)和可調(diào)的能級結(jié)構(gòu)，成為構(gòu)筑新一代信息器件的重要材料，在高性能光電子、單電子存儲和單光子器件等方面具有重要應(yīng)用價值。半導(dǎo)體量子點
2024-11-13 09:31:261405 
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長室的結(jié)構(gòu)
2024-12-31 15:04:18398 
VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40902 
薄膜外延生長是一種關(guān)鍵的材料制備方法，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。
2025-03-19 11:12:232319 
在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。
2025-04-29 11:13:001029 氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231755 
半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜（外延層），強調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061537 
外延片氧化清洗流程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝（如氧化層生長）提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實踐和技術(shù)資料的流程解析：一、預(yù)處理階段初步清洗目的：去除外延片表面的大顆粒塵埃
2025-12-08 11:24:01239 
隨著半導(dǎo)體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學(xué)常數(shù)及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非
2025-12-26 18:02:201017 
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