非晶(無定形)材料指原子排列缺乏長程周期性的固體材料，普遍存在于自然界中，也是工業生產及日常生活中使用最為廣泛的一類材料。非晶氧化鎵具有超寬的禁帶寬度和優異的物理化學特性，是制造高功率芯片和柔性
2023-06-27 08:57:41
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在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動超寬禁帶功率器件進入大規模落地階段。
2025-07-11 09:12:482948 
今天，富士通半導體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設計出體積更小、效率更高電源組件，可廣泛應用于ICT設備、工業設備與汽車電子等領域。
2013-07-23 15:00:171386 近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體
2022-08-22 09:44:015287 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:2914900 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制作P型半導體。學習氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:094855 
過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362016 
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態與非晶態之間的化合物。其物化性質可通過調控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續調整，兼具寬禁帶半導體特性與靈活的功能可設計性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領域展現出獨特優勢。
2025-05-23 16:33:201474 
氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優值和約翰遜優值，在功率和射頻器件領域具有重要的應用前景。本文聚焦于 Ga2O3射頻器件
2025-06-11 14:30:062165 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后，氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構體，其中β-Ga 2 O 3 （ β 相氧化鎵）最為穩定，也是
2022-12-21 02:35:002517 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后，氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構體，其中β-Ga 2 O 3 （ β 相氧化鎵）最為穩定，也是
2022-12-28 09:14:252676 鎵開關IC，這是業內首款高達1700V的氮化鎵開關IC。新品一出，PI再次成為在氮化鎵領域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業。 PI的功率變換開關持續迭代 早在2022年，PI就推出了1700V 碳化硅初級開關的汽車級高壓開關電源IC，彼時，該產品以高輸入電壓，高輸出
2024-11-18 08:57:006137 
生長4英寸導電型氧化鎵單晶仍沿用了細籽晶誘導+錐面放肩技術，籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面襯底，適合SBD等高功率器件應用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后，氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 ，可以讓研究人員在創業期間每年獲得10萬美元生活津貼和10萬美元研發經費，并獲得其他項目、學員和潛在投資者、行業專家等建立聯系的機會。 值得關注的是，Gallox是全球首家將氧化鎵器件商業化的公司
2025-09-06 00:05:096996 成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產業線。行業分析人士表示，氧化鎵是第四代半導體材料，在市場對性能好、損耗低、功率密度高的功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場發展潛力巨大
2023-03-15 11:09:59
改進控制技術來降低器件功耗，比如諧振式開關電源?？傮w來講，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業自動化場合，功率電子器件已越來越多
2018-05-08 10:08:40
最近的設計中用到了OPA364的信號調理電路，ADS8325的AD轉換電路設計。但在數據表中沒有提到封裝的耐壓特性，能否請教一下如何選型高耐壓器件的知識？
2024-12-25 06:43:24
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
相比，能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?！喝c半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
SiC功率器件和高溫器件（包括用于噴氣式引擎的傳感器）。西屋公司已經制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻的MESFET。ABB公司正在研制高功率、高電壓的SiC整流器和其他SiC低頻功率器件，用于工業和電力系統。
2019-03-03 07:00:00
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統中的應用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
不易損傷，不燃性結構涂裝3、選用高品質瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型電阻氧化膜電阻的缺點 氧化膜電阻在直流下容易發生電解使氧化物還原，性能不太穩定。耐壓較低。用真空鍍膜或者陰極濺射工藝，將
2013-07-15 16:49:07
不易損傷，不燃性結構涂裝3、選用高品質瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型電阻氧化膜電阻的缺點 氧化膜電阻在直流下容易發生電解使氧化物還原，性能不太穩定。耐壓較低。用真空鍍膜或者陰極濺射工藝，將
2013-07-15 16:47:00
繼電保護測試儀用
高電壓
功率放大電路的
研制，大
功率 高帶寬電壓?。。?/div>
2013-07-16 13:04:25
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量）和其他性質讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化鎵是固態射頻功率應用領域
2023-02-27 15:46:36
固體氧化物燃料電池研究進展和發展動態1在已研究發展的六類固體氧化物燃料電池電解質中，釔穩定氧化鋯（YSZ）、稀土金屬摻雜氧化鈰（RDC）、堿土摻雜鎵酸鑭（L
2009-11-09 11:48:04
13 大功率高耐壓場效應管參數114種
2010-01-13 15:34:11289 常用大功率高耐壓場效應管參數
型 號 耐壓(V) 電流(A) 功率(W) 型 號
2008-10-18 10:54:099477 一種低高度高耐壓繼電器的研制 1 引言
根據IEC335《家用及類似用途電器的安全》、IEC730《家用及類似用途電自動控制器的
2009-12-08 09:23:151209 首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011094 
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優化性能提升效率，不過隨著工藝技術的發展這個改善的空間已經不大了
2010-05-10 17:50:571347 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:2020 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002379 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關器件制造技術。
2018-09-30 14:36:334536 西安電子科技大學微電子學院周弘副教授總結了目前氧化鎵半導體功率器件的發展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質量外延層生長、高性能二極管以及場效應晶體管的研制進展。同時對氧化鎵低熱導率特性的規避提供了可選擇的方案，對氧化鎵未來發展前景進行了展望。
2019-01-10 15:27:1017618 
，GaN 130 W/m-K和Si 130 W/m-K），這在高功率密度應用中尤為凸顯。其中熱管理的方式包括將器件層轉移到另一層熱傳導更多的基板上；將基板減??；添加散熱器；頂部熱提取或使用風扇或液體流動的主動冷卻等。
2019-01-24 11:47:1119623 
氮化鎵功率器件及其應用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:007864 
關鍵詞：gan , SiC , 導通電阻 , 功率元件 , 氧化鎵 技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件.pdf(930.95 KB, 下載次數: 5) 2012-4-21 09
2019-02-11 11:08:011450 
觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業務部門總經理）的訪談，了解氮化鎵器件和解決方案的最新進展與新應用。
2019-08-05 06:06:003811 近日，氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達產后預計實現年銷售30億元以上，可進一步推動嘉興集成電路新一代半導體產業。
2020-07-06 08:46:052191 從器件的角度來看， Ga 2 O 3 的Baliga品質因子要比SiC高出二十倍。對于各種應用來說，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠遠高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:035651 本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發系統中的應用。下面結合半導體的物理特性，對氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點加以說明。
2022-04-24 16:54:336940 
FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結構更穩定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。
2022-07-28 11:22:552411 器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化鎵 (GaN)。盡管迄今為止它在低壓應用（大約 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高電子遷移率晶體管 (HEMT) 并不適用于中壓（大致定義為 1.2 至 20 kV） ) 應用，包括電動汽車傳動系統和許多電網應用。這
2022-07-29 10:35:012194 
如何開發出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。
2022-12-21 10:21:581332 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后，氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構體，其中β-Ga 2 O 3 （ β 相氧化鎵）最為穩定，也是
2022-12-28 07:10:061603 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導通電阻（Rds（on））。由于
2023-01-29 17:41:005708 什么是氮化鎵技術 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件
2023-02-03 14:14:454119 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:093643 
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-13 16:49:5614118 氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。
2023-02-19 14:32:393120 氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統、電源調節器、電源濾波器等應用。
2023-02-19 17:20:4811077 
我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應，外延、器件環節產業化進程幾乎空白，研發主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。
2023-02-22 10:59:334889 氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制造P型半導體。近期斯坦福、復旦等團隊已在實驗室實現了氧化鎵P型器件，預計將逐步導入產業化應用。
2023-02-27 18:06:433476 氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。
2023-03-13 12:25:26950 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發。
2023-04-14 15:42:06977 第三代半導體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:233689 
關鍵詞：5G材料，高導熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導語：隨著功率器件向微型化、集成化快速發展，其產生的功率密度隨之顯著增加，對散熱技術也提出了更高的要求。熱界面材料用于填充固體界面間
2022-11-04 09:50:182981 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現大尺寸單晶襯底等優勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應用前景。
2023-07-27 10:24:022970 
三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發和銷售企業Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發高性能低損耗氧化鎵功率半導體，為實現低碳社會做出貢獻。
2023-08-02 10:38:181727 三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發優質節能功率半導體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30926 
氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優點。
2023-08-17 14:24:162130 
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154484 調查結果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩步擴大。
2023-09-04 15:13:241214 
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:3410640 
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:231900 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:442506 氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現在高溫、強輻照等極端環境下的應用。
2023-11-15 10:45:252827 
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領域具有廣闊的應用前景。
2023-12-19 09:24:281998 
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場強度，但在制備器件時，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:292188 氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導體）管驅動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅動芯片廣泛應用于功率電子
2023-12-27 14:43:233430 2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶。通過增加單晶襯底的直徑和質量，可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:352554 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 北京順義園內的北京銘鎵半導體有限公司在超寬禁帶半導體氧化鎵材料的開發及應用產業化方面取得了顯著進展，其技術已領先國際同類產品標準。
2024-06-05 10:49:071852 特性，并展示了近期在高壓器件方面的一些進展。氧化鎵的固有材料特性氧化鎵的β相(β-Ga2O3)已成為評估UWBG材料選擇的關鍵候選。多個因素促成了這一點。表1列出了
2024-06-18 11:12:311583 
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是三種不同的功率半導體器件，各自在不同的應用領域發揮著重要作用。
2024-07-18 16:53:2213137 
、高擊穿電場和高熱導率等特性，使其在功率器件、射頻器件及光電轉化設備等展現出無與倫比的優勢。這不僅大幅提升了相關器件的效率和穩定程度，還為全球能源合理運用、環境友好型發展等重要課題帶來了新的希望和助力。 京東方華
2024-08-01 11:52:512013 風電等功率模組應用需求。然而氧化鎵熱導率極低，限制了氧化鎵高功率器件的發展。近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所（以下簡稱為上海微系統所）異質集成XOI課題組與哈爾濱工業大學孫華銳教授課題組通過“萬能離子刀”剝離轉移技術制備了
2024-11-13 11:16:271884 
β 相氧化鎵（β-Ga2O3）具有超寬半導體帶隙、高擊穿電場和容易制備等優勢，是功率器件的理想半導體材料。但由于 β-Ga2O3價帶頂能級位置低、能帶色散關系平坦，其 p 型摻雜目前仍具有挑戰性
2024-12-10 10:02:144854 
的GaN-on-Silicon工藝技術為合作注入動力。兩者強強聯合，旨在滿足市場上對具有高耐壓和高頻特性的功率元器件日益增長的需求。 氮化鎵
2024-12-10 17:24:441182 的 650V 氮化鎵 HEMT工藝推出了 EcoGaN 系列新產品。 ? 羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰略合作伙伴關系 ? 羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發技術與臺積電業界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優
2024-12-12 18:43:321573 
VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40902 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區技術總監張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰展開深入交流。
2025-04-29 11:13:001029 
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