以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，有著顯著的優勢和巨大的發展潛力，越來越得到國內外的重視。氧化鎵（Ga2O3）具有4.8 eV的超寬帶隙，在功率電子器件、深紫外探測等應用領域受到世界各國科研和產業界的強烈關注。

近日，“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇”在長沙召開。論壇在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，由極智半導體產業網與中國電子科技集團第四十八研究所等單位聯合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關裝備產業創新發展”、“關鍵零部件及制造工藝創新突破”、“產業鏈上下游協同創新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”，邀請產業鏈上下游的企業及高校科研院所代表深入研討，攜手促進國內碳化硅及其他半導體產業的發展。

期間，在“氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體”分論壇上，廈門大學教授張洪良分享了氧化鎵薄膜外延及電子結構的研究成果與進展。

氧化鎵半導體器件產業鏈包括單晶襯底、外延薄膜、器件制作等多個環節。其中，單晶和外延薄膜是材料基礎，其品質直接決定器件的性能。報告分享了當前氧化鎵薄膜外延的發展現狀，并重點介紹了課題組氧化鎵薄膜外延、電子結構、摻雜與缺陷機制等方面的研究進展。

報告介紹了氧化鎵摻雜關鍵科學問題，解答了摻雜如何導致能帶結構、光學性質的變化等問題。

會議現場

報告分析了硬X射線光電子能譜(HAXPES)， 利用6-10 keVX射線激發光電子，更深的界面探測深度，獲得體相信息。高能X射線光電子能譜增強Ga 4s軌道敏感性，高分辨測量氧化鎵導帶、價帶和缺陷態信息。

嘉賓簡介：

張洪良，現任廈門大學教授。2012年獲得牛津大學無機化學博士學位，2008年新加坡國立大學碩士學位，2003年山東大學本科。2012-2017年先后在美國西北太平洋國家實驗室和劍橋大學從事博士后工作。

研究方向為寬禁帶氧化物半導體薄膜外延、能帶調控及光電探測器件，迄今在Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Nat. Commun., Adv. Mater.，等發表論文150余篇，申請專利11項。主持國家重點研發計劃課題、國家自然科學基金委面上基金、企業合作研發等項目8項。曾獲國家高層次“青年”人才、劍橋大學Herchel Smith Research Fellowship、臺灣積體電路制造公司（TMSC）最佳國際研究生科研獎。

編輯：黃飛

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