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維安1000V超高耐壓，大電流超結MOSFET填補國內空白

放眼國內外，現階段1000V及以上超高耐壓大電流MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，且存在價格高，交付周期長等弊端。對此維安(WAYON)面向全球市場，對800V及以上超高壓MOS產品進行了大量的技術革新，通過多年的產品技術積累，開發出國內領先的工藝平臺，使得WAYON出產的超高壓SJ-MOSFET產品封裝更小、耐壓更高、導通電阻更低，給市場貢獻的高功率密度的800V及900V以上的耐壓產品填補了國內空白，打破了進口品牌壟斷的局面，也降低了客戶對國外產品的依存度。

目前高壓MOSFET工藝結構主要有垂直雙擴散性(VD MOSFET)和超結(Super-Junction)兩種，參見如下圖1，圖2。

圖1- VD-MOSFET 結構示意圖

圖2- SJ-MOSFET 結構示意圖

SJ-MOSFET第一篇專利是在1993年，1998年開始商業化量產使用。WAYON 1000V超結工藝產品技術是利用電荷平衡原理實現高耐壓的低導通電阻特性。

圖3 每mm2 導通電阻和耐壓BV曲線

由圖3可知平面型工藝VD-MOSFET存在圖中藍色硅極限的技術瓶頸Rdson*A ∝BV2.5。要實現超高耐壓，傳統VD-MOSFET 導通電阻RDSON會很高，比如某進口品牌5N100 1000V,750mA RDSON高至17Ω，WAYON 5N100C2 1000V,3A RDSON 僅有3.5Ω，目前WAYON 1000V產品最低內阻可至0.8Ω。

其次相比VD-MOSFET 工藝結構產品，SJ-MOSFET封裝更小、成本更低。目前市場主流的1000V耐壓MOSFET，多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封裝為主。WAYON TO-220F封裝，在小封裝的基礎上可實現1000V器件RDSON 0.8Ω，900V,950V器件0.31Ω，800V器件可至0.09Ω。

應用優勢

高耐壓特性MOSFET具有更高浪涌特性，可提高系統可靠性。

圖4 700V MOSFET 4KV 浪涌波形

圖5 800V MOSFET 4KV 浪涌波形

對比圖4，圖5可知，高耐壓器件在浪涌測試承受的電流應力更小。

超高耐壓的器件主要應用場景為工業三相智能電表、LED照明驅動電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。

維安超高耐壓量產型號

900V 物料規格型號

1000V 物料規格型號

審核編輯：湯梓紅