肖特基二極管與普通硅二極管(PN結二極管)最核心的結構差異,就在于它沒有P+外延層(或P型半導體層),取而代之的是金屬-半導體結(肖特基結)。
圖表1 肖特基二極管的結構差異
1.更低的正向壓降:
在普通PN結二極管中,電流導通需要克服P區和N區接觸形成的內建電勢差(勢壘)。硅材料PN結的這個勢壘高度通常在0.7V左右,因此需要大約0.7V的電壓才能讓二極管開始顯著導通(開啟電壓)。
肖特基二極管是金屬(如鉬、鈦、鉑)與N型半導體直接接觸形成的金屬-半導體結。這個結形成的肖特基勢壘高度通常比PN結勢壘低得多(大約在0.15V-0.45V之間,取決于金屬材料和半導體摻雜濃度)。
圖表2 二極管的VI特性
2.更快的開關速度/無少數載流子存儲效應:
在普通PN結二極管正向導通時,除了多數載流子(N區的電子進入P區,P區的空穴進入N區)導電外,還會向對方區域注入少數載流子(P區的電子,N區的空穴)。這些注入的少數載流子需要時間才能復合消失。肖特基二極管是多數載流子器件。在正向導通時,主要是N型半導體中的電子注入到金屬中形成電流(金屬中的空穴很難注入到半導體中)。沒有空穴注入到N型半導體中,也就沒有少數載流子(空穴)在N區存儲。
3.更低的結電容:
PN結二極管的結電容主要由耗盡層電容(勢壘電容)和擴散電容(由少數載流子存儲引起)組成。在正向偏置時,擴散電容通常占主導。
肖特基二極管由于沒有少數載流子存儲效應(沒有擴散電容),其結電容主要是耗盡層電容。并且,金屬-半導體結的結構特性通常使其耗盡層電容也比同等面積的PN結略低。
結論:
肖特基二極管少了P+層,采用金屬-半導體結,這直接造就了其低導通壓降、超快開關速度、低結電容這三大核心優勢,使其在低壓、大電流、高頻領域成為首選。工程師在設計時必須根據具體的電壓、電流、頻率、溫度等條件權衡利弊,進行選型。
應用場景
肖特基二極管的核心優勢在于其低正向壓降和極快的開關速度。這兩個特性決定了它的主要應用場景:
以下是肖特基二極管最常見的應用方式:
- 低壓大電流整流(特別是開關電源輸出端):

圖表3 半波整流電路
場景:在開關電源(如電腦電源、手機充電器、DC-DC轉換器)的輸出級,需要將高頻交流電(通常來自變壓器次級或電感)整流成直流電。
作用:由于輸出電壓通常較低(如3.3V,5V,12V),即使普通硅整流二極管0.7V的壓降也會造成顯著的功率損耗(壓降x電流)和發熱。肖特基二極管的正向壓降通常只有0.15V-0.45V,在大電流輸出時能顯著提高效率,降低溫升,減小散熱器尺寸。
連接:通常用在變壓器次級繞組之后,串聯在輸出回路中(如全波整流橋中的兩個臂,或作為中心抽頭繞組的整流管)。
2.開關電源中的續流二極管:
場景:在Buck(降壓)、Boost(升壓)、Buck-Boost(升降壓)等DC-DC轉換器拓撲中,以及反激式開關電源中。
作用:當控制開關管(MOSFET)關斷時,電感中存儲的能量需要維持電流流動。肖特基二極管為這個電流提供了一條低損耗的續流通路,將電感能量釋放到負載或輸出電容。其快速的開關速度至關重要,能迅速導通以接管電流,并在開關管下次導通前快速關斷,防止反向電流沖擊開關管,提高轉換效率并減少開關噪聲。
連接:通常并聯在電感(或變壓器初級/次級)兩端,陰極接在開關管漏極/集電極(或變壓器同名端)與輸出正極的連接點上。
3.防止電源反接保護:
場景:在電池供電設備、電源輸入端口等,防止用戶誤將電源極性接反,導致電路板上的元器件損壞。
作用:利用二極管的單向導電性。當電源極性正確時(正極接二極管陽極,負極接陰極),二極管導通,為電路供電(會有約0.3V的壓降)。當電源極性接反時(正極接陰極,負極接陽極),二極管截止,阻止電流流入電路板,從而保護后端電路。
連接:串聯在電源輸入的正極路徑上(陽極接輸入電源正極,陰極接電路板電源正極入口)。需注意壓降帶來的功耗和電壓損失。
4.高頻應用與檢波:
場景:射頻電路、高速數字電路中的信號箝位、小信號檢波(如AM收音機)、高速邏輯門中的輸入保護等。
作用:利用其極低的結電容(比普通PN結二極管小得多)和快速的開關特性,在高頻信號下性能更好,信號失真小。作為檢波器時,其低開啟電壓特性有助于提高對小信號的靈敏度。
連接:根據具體電路功能設計,如并聯在信號線與地之間進行箝位,或串聯在信號路徑中進行整流/檢波。
5.邏輯門中的輸入箝位:
場景:在TTL等邏輯電路中(雖然現代CMOS中較少見)。
作用:防止輸入電壓過低(低于地)或過高(超過電源電壓+Vcc)損壞內部晶體管。利用肖特基二極管導通壓降低(約0.3V)的特性,能更快、更有效地將輸入電壓箝位在安全范圍內(-0.3V到Vcc+0.3V)。
連接:通常集成在芯片內部,一個二極管陽極接地、陰極接輸入引腳;另一個二極管陰極接Vcc、陽極接輸入引腳。
選型:選擇肖特基二極管時,必須仔細考慮:
最大正向平均整流電流:確保能承受電路中的最大工作電流。
最大反向峰值電壓:必須高于電路中可能出現的最大反向電壓,并留有余量。
工作溫度范圍:高溫性能是關鍵限制因素。
封裝與散熱:大電流應用必須考慮散熱。
審核編輯 黃宇
-
肖特基二極管
+關注
關注
5文章
1133瀏覽量
37953
發布評論請先 登錄
德昌SOD-123封裝肖特基二極管選型指南與應用場景
低電容高壓肖特基二極管 skyworksinc
表面貼裝混頻器/檢測器肖特基二極管 skyworksinc
表面貼裝混頻器和檢測器肖特基二極管 skyworksinc
表面貼裝, 0201 低勢壘硅肖特基二極管 skyworksinc
表面貼裝通用肖特基二極管 skyworksinc
硅無光束肖特基二極管 - 成對和四成對 skyworksinc
零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管 skyworksinc
硅肖特基二極管芯片 skyworksinc
肖特基二極管怎么用+原理
評論