產品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現，在高頻高功率場景中讓傳統硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54
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雙向器件，GaN BDS 的出現可以大大降低元器件的成本：無需工藝調整和 MASK 變動，通過合并漂移區和漏極及雙柵控制，即可實現單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產品升級，更是為高密度、高性能應用量身打造的動力解決方案，重新定義15W級電源的尺寸、效率與可靠性標準。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
30W氮化鎵全電壓認證方案1.方案介紹及產品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW
2025-11-28 17:18:042035 
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發燒友網站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-24 16:47:18
1 一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優劣勢對比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統半導體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573097 現在氮化鎵材料技術比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術嘛？
2025-11-14 07:25:48
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器
2025-11-13 10:27:082781 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系
2025-11-03 18:18:052813 
STMicroelectronics STWLC99符合Qi標準的無線電源接收器設計用于輸出功率高達100W的應用。該芯片支持Qi規范1.2.4和1.3，用于具有擴展功率曲線(EPP) 的電感
2025-10-22 10:54:28386 
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優化電源芯片的引腳在布局布線時，應當避免與其他信號線路平行敷設，以降低電磁干擾。根據芯片引腳功能和信號流向合理安排位置，減少交叉和迂回，降低布線
2025-08-28 16:18:507131 氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。
2025-08-26 10:24:432669 
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
景無線通訊：作為驅動放大器，提高通信基站、中繼器等設備的數據傳輸距離與質量。衛星通信：在C 波段 VSAT 系統中實現高頻信號放大，支持寬帶數據傳輸。機載雷達：為雷達發射機提供高功率、高效率的射頻信號，增強探測能力。無線電設備：用于高頻無線通訊收發器，實現信號調制與解調的關鍵功能。
2025-08-25 10:06:43
氮化鎵（GaN）技術為電源行業提供了進一步改進電源轉換的機會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導體一直主導著電子行業。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業
2025-08-21 06:40:348321 
隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場強度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變，產生的電場強度將足以擊穿芯片，這無疑對電子系統的電源電壓提出了更為嚴苛的要求。銀聯寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓啟動電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設備。
2025-08-19 17:38:341597 
磁芯飽和會導致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開關管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開關電源主變壓器在工作過程中不會進入磁飽和狀態。氮化鎵電源ic U8732內部集成有軟啟動功能，在
2025-08-18 16:30:465763 
芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進行連接的引腳。引腳可以傳輸數字信號和模擬信號，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點介紹的是深圳銀聯寶氮化鎵電源ic U8731的腳位特征！
2025-07-29 14:07:594016 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 和柵極驅動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！
2025-07-18 16:08:412963 
在電源轉換技術不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)，專注于滿足數據中心、工業以及電動交通應用對高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
需求主要集中在內置的LED燈耳勺、續航及APP連接上，一顆小功率的電源管理芯片即可滿足。關注這個品類的小伙伴，可以了解下深圳銀聯寶的氮化鎵電源管理芯片U8722SP！
2025-07-09 18:13:243450 炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯寶科技研發生產的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003435 PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無需更改PCB設計，否則就要重新設計PCB板
2025-06-26 16:11:111776 氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗
2025-06-20 17:26:561416 
A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設備充電需求，還可以兼容傳統USB-A設備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設計方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 CGH40120P 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設計。這款晶體管適用于多種射頻和微波應用，如雙向無線電、寬帶放大器、蜂窩基礎設施和測試儀器等
2025-06-17 15:58:01
同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節省成本，更是大大縮短了開發時間，使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認證測試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠實現更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內在特性。
2025-06-13 14:25:181361 
設備充電、大型電力傳輸系統、電動汽車充電、醫療設備無線供電、工業自動化設備無線供電以及航空航天等領域。 功率放大器在無線電能傳輸中的關鍵作用 高效驅動發射端電路：在無線電能傳輸系統中，發射端電路由高頻交流信
2025-06-12 18:06:13672 
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實現噪音和紋波最優化打嗝模式本質為電源保護機制（如短路保護），優化需在保障可靠性的前提下進行。高頻噪聲問題需協同芯片設計、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵
2025-06-12 15:46:16962 摘要
本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩固可靠的設計。此外，本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502384 
恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進的電子技術，實現了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調節系統的輸入或輸出參數（如電壓、電流等），使得系統在負載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯寶氮化鎵
2025-05-29 16:53:04911 開關損耗。氮化鎵快充電源ic U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化！
2025-05-26 18:02:421062 LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管 （GaN FET） 驅動器，專為超高頻、高效率應用而設計，具有可調死區時間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側低側匹配，可優化系統效率。該器件還具有一個內部 LDO，無論電源電壓如何，都能確保 5V 的柵極驅動電壓。
2025-05-24 15:53:00891 
氮化鎵器件開關頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應能力，確保高頻工況下精準控制同步整流管的開通與關斷時。同步整流芯片U7106應用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉換效率！
2025-05-23 17:49:301310 充電器都能輕松應對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！
2025-05-23 14:21:36883 電源方案全電壓認證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片
2025-05-22 15:41:26734 CS管腳通常用于采樣電感電流，實現峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實現過流保護功能。?此外，CS管腳還可以用于設定系統的最高工作頻率。通過連接不同阻值的RSEL電阻，可以設定不同的系統工作頻率上限。氮化鎵電源ic U8724AH復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。
2025-05-22 11:33:48752 
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電
2025-05-19 17:29:50735 
當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
深圳銀聯寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！
2025-05-13 16:28:041036 
英諾賽科針對48V架構開發了兩款行業領先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節能的數據中心賦能。
英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方案利用氮化鎵高頻高效的優勢和四相交錯Buck
2025-05-12 14:00:001145 
芯片?恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！
2025-05-10 14:22:16871 ℃，被迫使用暴力扇散熱，噪音高達55dB；體積桎梏：磁性元件體積占比超60%，制約機架密度提升。仁懋氮化鎵（GaN）解決方案，以“高頻高效、極寒運行”重構AI電源
2025-05-10 12:06:39984 
深圳銀聯寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導體今日正式宣布推出 全新專為電機驅動
2025-05-09 13:58:181258 
在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現高效率，還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器
2025-05-08 11:08:401153 
恒功率電源芯片具有穩壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應用場景，如充電器、LED驅動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS，不僅可以提高電路的穩定性和可靠性，同時也可以提高能源利用效率，使優勢發揮到最大！
2025-05-07 17:58:32673 深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設備出現過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設備中構建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！
2025-04-29 18:17:541107 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02942 EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21719 
銀聯寶氮化鎵快充芯片U8723AH內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統E
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。但參數性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細拆解一下兩者不同之處!
2025-04-23 16:18:51944 通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時實現了98.5%的效率。在DRS，我們
2025-04-22 11:35:39866 
氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。
2025-04-18 17:06:54837 ? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產表現，可為車載充電機（OBC）和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264296 
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58665 深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
2025-03-31 14:26:10
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 微波、低頻無線電波和高頻光波都是電磁波譜中的不同部分，它們在頻率范圍、波長、傳播特性、應用領域等方面存在一些區別。
2025-03-14 18:13:272967 
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054783 
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 電動汽車設計師致力于通過提升功率、縮小系統尺寸并減少散熱需求，使電動汽車更輕量化、自動化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級功率器件在功率轉換、高頻開關和熱管理領域的突破性進展，電動汽車的能
2025-03-03 11:41:561005 
氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334528 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491181 海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優點，轉換效率高達91%，應用廣泛，性價比高。一、產品介紹40WACDC系列氮化鎵電源
2025-02-24 12:02:321020 CSBA系列通過采用低損耗金屬磁粉芯材料和優化的線圈結構，進一步降低磁芯損耗和電阻損耗，從而提升氮化鎵電源的整體效率。例如，在數據中心服務器電源中，低損耗電感可減少能源浪費，符合綠色節能的發展趨勢。
2025-02-20 10:50:171008 
UM2060-30 是一款 30W 應用頻率 2～6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管芯片。這款芯片具有高效 率、高增益的特性。主要用于收發組件，無線電通信等，工作在 28V 供電模式。關鍵
2025-02-19 18:20:06
過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362014 
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測
2025-02-13 16:22:261075 電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021105 深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片2025年持續發力氮化鎵芯片YLB銀聯寶/YINLIANBAO無線通信領域，設備往往需要在有限的空間內實現強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081231 
在半導體制造這一微觀且精密的領域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 
在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關速度和高頻率的開關能力，能夠迅速地切換電路狀態，實現
2025-01-15 16:08:501733 電子發燒友網站提供《AN138-無線電源用戶指南.pdf》資料免費下載
2025-01-12 11:23:480 東科半導體集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產品概述DK87XXAD是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關芯片
2025-01-08 15:33:07
集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋120W-AC-DC電源管理芯片-DK8712AD一、產品概述DK87XXAD電源管理芯片是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關芯片
2025-01-08 15:29:04
場效應管代換手冊
2025-01-08 13:44:213 集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋AC-DC-180W電源管理芯片-DK8718AD一、產品概述：DK87XXAD是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率電源管理芯片
2025-01-08 10:53:32
帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4。
2025-01-06 15:52:201000
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