AI算力的“能耗之痛”
在AI訓練集群中,單臺服務器功耗已突破4kW,電源系統面臨三重極限挑戰:
效率瓶頸:傳統硅器件在高壓PFC段效率僅95%,年損耗電量超10萬度/千臺;
散熱危機:電源模塊溫升>40℃,被迫使用暴力扇散熱,噪音高達55dB;
體積桎梏:磁性元件體積占比超60%,制約機架密度提升。

仁懋氮化鎵(GaN)解決方案,以“高頻高效、極寒運行”重構AI電源設計邏輯。
高壓段性能突破:PFC+LLC全GaN化
核心料號:MOTGD65R070N / MOTGD65R120Q / MOTGD65R160Q

技術亮點:
1. 超低導通損耗:
- MOTGD65R070N的RDS(on)僅70mΩ、@650V,PFC段效率大幅度提升;
- 支持1MHZ高頻運行,PFC電感體積縮小50%。
2. 抗沖擊防護:
- 通過IEC 61000-4-5雷擊測試4級認證。
3. 高溫穩定性:
- 175℃結溫下參數漂移<5%,MTBF突破15萬小時。

核心料號:MOT4815G(40V/15A)、MOT8840G(80V/40A)、MOT7848A(100V/48A)
技術亮點:
1.超快開關速度:
- MOT4815G的Qrr<10nC,反向恢復損耗降低70%;
- 支持2MHz開關頻率,輸出濾波電容體積減少80%。
2. 多相并聯均流:
- MOT8840G動態均流偏差<3%,支持8相并聯輸出400A;
- 具有極低的熱阻(RthJC),無散熱片設計。
3. 智能驅動集成:
- MOT7848A內置溫度傳感與過流保護,故障響應時間<50ns。

場景化選型指南
| 功率段| PFC級推薦型號| DC/DC級推薦型號| 方案優勢
| 240W | MOTGD65R120Q | MOT4815G×4相 | 無散熱片設計,厚度<20mm
| 320W | MOTGD65R070N| MOT8840G×6相| 效率>98%@50%負載
| 400W | MOTGD65R160Q | MOT7848A×8相 | 支持12V/300A輸出,紋波<30mV

當AI算力進入“千瓦級單機”時代,仁懋氮化鎵以“讓每一焦耳電力都轉化為算力” 的硬核實力,正在為全球數據中心打造零損耗能量引擎。立即聯系銷售領取《AI服務器電源選型》,獲取免費樣片!
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