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33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優化

銀聯寶科技 ? 2025-08-28 16:18 ? 次閱讀
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電源芯片的引腳在布局布線時,應當避免與其他信號線路平行敷設,以降低電磁干擾。根據芯片引腳功能和信號流向合理安排位置,減少交叉和迂回,降低布線難度。對于功耗較大的芯片,可通過接地引腳均勻分布或設置散熱通道提升散熱效率?。今天就帶著大家一起了解下深圳銀聯寶科技的33W氮化鎵電源芯片U8733L腳位特點!


氮化鎵電源芯片U8733L采用HSOP-7封裝,引腳名稱為:

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出OVP檢測、驅動能力分檔判定管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

4 NTC I/O 外置溫度檢測,過溫降功率和過溫保護功能。

5 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內置高壓GaN FET漏極、高壓啟動供電管腳


氮化鎵電源芯片U8733L集成外置NTC功能,NTC引腳外接NTC電阻,通過內部上拉電流源上拉,檢測TEM引腳電壓,當判定TEM管腳電壓Vntc

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如圖所示,氮化鎵電源芯片U8733L通過輔助繞組檢測輸出電壓的范圍設定系統工作于不同的工作狀態下,包括恒壓模式(CV)、恒功率模式(CP)和恒流模式(CC)。同時通過外置NTC檢測,設置不同的恒功率參數,實現降功率功能。具體為,當芯片未觸發降功率功能時,在2.8V

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其中Rsense為采樣電阻,其中Np為變壓器原邊匝數,Na為輔助繞組匝數,R1為DEM上分壓電阻值,R2為DEM下分壓電阻值,VCP_Ref1是恒定功率的基準值。在Vdem<2.8V或者3.1V

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當氮化鎵電源芯片U8733L外置NTC檢測到達到降功率閾值后,芯片內部的恒功率和恒流參數切換到VCP_Ref2和VCC_Ref2,從而實現降功率的功能。

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