A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設(shè)計方案，易上手，低成本！

氮化鎵電源IC U8722DE采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8722DE采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下，導通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。隨著負載的逐漸降低，系統(tǒng)導通的谷底個數(shù)逐漸增加，當谷底數(shù)超過6個時，不再檢測谷底電壓，系統(tǒng)進入降頻工作模式，通過進一步降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。

在同步整流內(nèi)置MOSFET導通期間，同步整流ICU7110W采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值Vth_off (典型值0mV)，經(jīng)過關(guān)斷延遲Td_off (典型值22ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道關(guān)斷。在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前，U7110W處于關(guān)機狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值3.5V)后，芯片關(guān)機，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

深圳銀聯(lián)寶科技PD快充A+C口30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，原廠直銷，一站式電源方案服務(wù)，降低綜合持有成本，可搭配協(xié)議芯片OM5256一起使用，量大可談！