羅姆推出絕緣功能車用柵極驅(qū)動IC，支持SiC功率元件

　　羅姆宣布開發(fā)出了具備絕緣功能的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動IC“BM6103FV-C”，將從2012年6月開始樣品供貨。該產(chǎn)品是通過在芯片上嵌入變壓器實現(xiàn)的，可確保2500Vrms的絕緣耐壓。

　　外形尺寸僅為6.50mm×8.10mm×2.01mm（SSOP-B20W）。據(jù)羅姆介紹，與將柵極驅(qū)動IC和光電耦合器組合使用時相比，新產(chǎn)品可使封裝面積縮小約50％。而且，“與其他具備絕緣功能的柵極驅(qū)動IC相比，封裝面積為業(yè)界最小”（羅姆）。此外，新產(chǎn)品的耗電量也很小，羅姆介紹稱，與使用現(xiàn)有外置光電耦合器時相比，耗電量可大幅削減至約1/4。該產(chǎn)品可用于驅(qū)動硅（Si）功率MOSFET、IGBT以及SiC（碳化硅）功率MOSFET等。具體用途方面，該公司提到了電動汽車（EV）及混合動力車（HEV）等配備的逆變器裝置。

　　BM6103FV-C的最大柵極驅(qū)動電壓為24V，額定輸出電流為5.0A（峰值），輸入輸出的延遲時間為400ns（最大值），最小輸入脈沖寬度為250ns（最大值）。另外，羅姆使用已上市的柵極驅(qū)動IC，對于實際驅(qū)動SiC功率MOSFET進(jìn)行了試驗，證實該產(chǎn)品能在輸出電流最大為400A的條件下穩(wěn)定驅(qū)動耐壓為＋800V的SiC功率元件。

　　BM6103FV-C內(nèi)置防止柵極電壓升高功能、故障信號輸出功能、低電壓鎖定（UVLO）功能、過熱保護(hù)功能、可設(shè)置自動恢復(fù)時間的短路保護(hù)功能、短路保護(hù)時的軟關(guān)斷功能以及Mirror Clamp功能等，還可驅(qū)動低壓側(cè)開關(guān)。該產(chǎn)品的工作溫度范圍為－40～＋125℃。樣品價格為1000日元。由泰國的ROHM Integrated Systems （Thailand）公司生產(chǎn)，預(yù)定從2012年9月開始以月產(chǎn)1萬個的規(guī)模開始量產(chǎn)。

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2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊

2025-09-29 14:35:18

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羅姆與英飛凌攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對應(yīng)用于車載充電器、太陽能

2025-09-29 10:46:22

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羅姆助力舍弗勒新型高電壓逆變磚實現(xiàn)量產(chǎn)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）與德國大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)（總部位于德國赫爾佐根奧拉赫，以下簡稱“舍弗勒”）宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開始量產(chǎn)搭載羅姆SiC（碳化硅）MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國大型汽車制造商設(shè)計的產(chǎn)品。

2025-09-26 09:37:27

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適用于SiC/GaN器件的雙通道隔離驅(qū)動方案SLMi8232BDCG-DG介紹

柵極驅(qū)動器，小體積封裝（SOP16W）和高可靠性設(shè)計特別適合高噪聲環(huán)境下的功率驅(qū)動需求。通過可編程死區(qū)時間和完善的保護(hù)功能，該芯片為工業(yè)電源、新能源逆變及電動汽車充電等應(yīng)用提供了緊湊且安全的解決方案。 #隔離驅(qū)動器 #柵極驅(qū)動 #SiC驅(qū)動 #SLMi8232

2025-09-18 08:20:40

羅姆將攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai

的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時，羅姆還將在現(xiàn)場舉辦技術(shù)研討會，分享其最新的電力電子解決方案。羅姆憑借其業(yè)界先進(jìn)的碳化硅為核心的功率元器件技術(shù)，以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和模塊技術(shù)。在提供電源解決方案的同時，為工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的節(jié)能化、小型化做出

2025-09-17 15:59:47

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德州儀器DRV3256-Q1汽車級三相柵極驅(qū)動單元(GDU)技術(shù)解析

峰值灌電流的柵極驅(qū)動電流，以及90V MOSFET瞬態(tài)過壓支持來支持大功率電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。高效自舉架構(gòu)可最大限度地降低功率損耗和柵極驅(qū)動器的自發(fā)熱。電荷泵允許柵極驅(qū)動器支持100% PWM占空比控制。

2025-09-11 13:56:55

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羅姆邀您相約PCIM Asia Shanghai 2025

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布將于9月24日～26日參加上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會（以下簡稱PCIM Asia Shanghai）。屆時，羅姆將展示其在工業(yè)

2025-09-10 14:34:45

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UCC21737-Q1 汽車級SiC/IGBT隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于工作電壓高達(dá)2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達(dá) ±10A的峰值拉電流和灌電流。

2025-09-09 15:37:02

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東芝SmartMCD系列柵極驅(qū)動IC產(chǎn)品概述

在電動汽車（xEV）市場蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，電氣化、零部件集成化、電子控制單元（ECU）小型化以及低噪音電機(jī)等需求日益凸顯。為順應(yīng)這一趨勢，東芝推出帶有嵌入式MCU的SmartMCD柵極驅(qū)動IC——TB9M003FG，其以創(chuàng)新性的設(shè)計和卓越性能，引領(lǐng)汽車電機(jī)控制領(lǐng)域邁向新的發(fā)展階段。

2025-09-06 17:05:18

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德州儀器UCC5871-Q1汽車級IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC

2025-08-29 09:28:22

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UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器設(shè)計用于高達(dá)2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護(hù)特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。

2025-08-27 15:17:20

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柵極驅(qū)動器環(huán)路設(shè)計對SiC MOSFET開關(guān)性能的影響

摘要每個功率開關(guān)都需要一個驅(qū)動電路，這是必要的，但容易被忽視。柵極驅(qū)動電路對功率器件的開關(guān)過程有著非常重要的影響，本文分析了驅(qū)動電路的輸出能力和雜散參數(shù)這兩個參數(shù)。本文以SiCMOSFET關(guān)斷過程為基礎(chǔ)，分析了與驅(qū)動電路輸出能力和雜散參數(shù)相關(guān)的影響因素，并通過理論分析和仿真結(jié)果進(jìn)行驗證。此外，還列

2025-08-22 17:19:47

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SiLM27531HAC-7G車規(guī)級單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門極驅(qū)動解析

系統(tǒng)響應(yīng)速度，支持更高開關(guān)頻率。極快開關(guān)邊沿：典型上升時間9ns，下降時間8ns，有效降低開關(guān)損耗，提升整體轉(zhuǎn)換效率。專為驅(qū)動MOSFET、SiC和GaN等高速功率器件優(yōu)化。強勁驅(qū)動

2025-08-09 09:18:36

霍爾IC在電動車調(diào)速轉(zhuǎn)把中的應(yīng)用與原理

驅(qū)動電機(jī)以最高功率運行。三、技術(shù)優(yōu)勢 ?高精度控制?：線性霍爾IC可實現(xiàn)0.01V級信號分辨率，消除機(jī)械觸點磨損導(dǎo)致的調(diào)速頓挫感。 ?環(huán)境適應(yīng)性?：支持-40℃~150℃寬溫工作，且具備IP67防護(hù)

2025-08-07 10:46:37

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

輸出灌電流和1.5kV DC功能性隔離。上至30V的大電源電壓范圍支持使用雙極電源來有效驅(qū)動IGBT和SiC功率FET。UCC23113可驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率FET。

2025-08-03 17:04:13

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深愛半導(dǎo)體代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB

2025-07-23 14:36:03

羅姆與獵芯網(wǎng)簽署正式代理銷售協(xié)議

~同步啟動面向中國市場的“ROHM官方技術(shù)論壇(Engineer Social Hub?)”技術(shù)支持服務(wù)~ 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，與中國電子元器件平臺型電商*獵芯網(wǎng)

2025-07-22 09:25:37

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Texas Instruments UCC5881-Q1柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC5881-Q1柵極驅(qū)動器是一款隔離式、可配置、可調(diào)節(jié)的大驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動 EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC MOSFET和IGBT。該

2025-07-10 14:42:37

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芯馳科技與羅姆合作推出車載SoC X9SP參考設(shè)計

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)芯馳科技面向智能座艙聯(lián)合開發(fā)出參考設(shè)計“REF68003”。該參考設(shè)計主要覆蓋芯馳科技的智能座艙SoC*1“X9SP”產(chǎn)品，其中配備了羅姆的PMIC*2產(chǎn)品，并在2025年上海車展芯馳科技展臺進(jìn)行了展示。

2025-06-30 10:48:59

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羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

隨著人工智能持續(xù)重新定義計算的邊界，為這些進(jìn)步提供動力的基礎(chǔ)設(shè)施也必須同步發(fā)展。作為功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者，羅姆很榮幸成為支持英偉達(dá)全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。這

2025-06-25 19:45:43

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基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC

2025-06-24 17:26:28

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Littelfuse非對稱TVS二極管在SiC MOSFET柵極驅(qū)動器中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動電路，確保

2025-06-24 09:20:47

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羅姆發(fā)布高效能100V功率MOSFET，助力AI服務(wù)器電源管理升級

近日，羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，專為AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路設(shè)計。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性，滿足日益增長的人工智能計算需求。根據(jù)羅姆的介紹

2025-06-11 10:35:57

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矽塔柵極驅(qū)動IC原廠代理供應(yīng)

柵極驅(qū)動IC 矽塔的柵極驅(qū)動解決方案具有全系統(tǒng)化、性能高效穩(wěn)定的產(chǎn)品特點，同時可為客戶有效降低方案成本，可用于60-900V 雙NMOS柵極驅(qū)動，P+N MOS驅(qū)動和單NMOS驅(qū)動。我矽塔的柵極

2025-06-07 11:26:34

BM6GD11BFJ-LB羅姆首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC開始量產(chǎn)

? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“ BM6GD11BFJ-LB ”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件

2025-06-04 14:11:46

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矽塔柵極驅(qū)動IC原廠代理供應(yīng)

2025-05-30 15:20:34

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組？特性是什么？主要應(yīng)用哪里？

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件，通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合

2025-05-26 14:37:05

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UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器的過流

2025-05-16 17:32:51

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UCC5871-Q1 具有高級保護(hù)功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器的過流

2025-05-16 14:02:45

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羅姆推出SiC塑封型模塊HSDIP20

近年來，為實現(xiàn)無碳社會，電動汽車的普及速度進(jìn)一步加快。在電動汽車領(lǐng)域，為延長車輛的續(xù)航里程并提升充電速度，所采用的電池正在往更高電壓等級加速推進(jìn)，同時，提升OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出功率的需求也

2025-05-16 10:54:58

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UCC23113 具有功能隔離（1.2kVRMS）的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V

2025-05-16 10:49:24

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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體

2025-05-15 17:34:42

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UCC5880-Q1 具有高級保護(hù)功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù)，例如基于分流

2025-05-15 16:48:57

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UCC5881-Q1 具有高級保護(hù)功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù)，例如基于分流

2025-05-15 11:32:02

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羅姆與獵芯網(wǎng)簽訂授權(quán)分銷合同

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布已與中國的電子元器件網(wǎng)絡(luò)電商獵芯網(wǎng)（以下簡稱“ICHunt”）簽訂了授權(quán)分銷合同。

2025-05-12 09:51:02

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基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器

對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題，而驅(qū)動電路在這些方面都起著

2025-05-08 11:08:40

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SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計的關(guān)鍵點

柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運行的關(guān)鍵，設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動電源的要求。

2025-05-06 15:54:46

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電力電子新未來：珠聯(lián)璧合，基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動雙龍出擊

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC)分銷商

2025-05-03 15:29:13

627

SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計注意事項

柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運行的關(guān)鍵，設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計、驅(qū)動電阻選擇、死區(qū)時間等注意事項。

2025-04-24 17:00:43

2028

驅(qū)動電路設(shè)計（十）——柵極電荷和應(yīng)用

，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動器的相關(guān)功能。MOSFET功率半導(dǎo)體是電壓型驅(qū)動，驅(qū)動的本質(zhì)是對柵極端口的電容充電，驅(qū)動峰值電流是受功率器件驅(qū)動電阻和驅(qū)動器內(nèi)

2025-04-14 17:04:23

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川土微電子推出CA-IS3223EHS-Q1半橋柵極驅(qū)動器

川土微電子全新推出全國產(chǎn)化CA-IS3223EHS-Q1半橋柵極驅(qū)動器，支持±800V高壓隔離與20V寬電源供電，兼具驅(qū)動能力（+1.9A/?2.2A）與低延時（70ns）特性，為中小功率場景提供高性價比解決方案。

2025-04-09 15:01:23

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33V單通道數(shù)字隔離柵極驅(qū)動器拉/灌6A電流驅(qū)動SIC MOSFET及IGBT

33V，適合驅(qū)動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。集成的 UVLO 保護(hù)確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)

2025-04-03 14:23:02

SiC MOSFET為什么需要專用的柵極驅(qū)動器

完成了高端到“白菜”的轉(zhuǎn)變，迅速實現(xiàn)了普及的進(jìn)程。 ? 根據(jù)國信證券數(shù)據(jù)，我國2025年1月新能源上險乘用車主驅(qū)模塊中SiC MOSFET占比為18.9%，800V車型滲透率約15%，800V車型中碳化硅滲透率為71%。 ? SiC應(yīng)用越來越廣泛，對應(yīng)的柵極驅(qū)動器也受到了更多的

2025-04-03 00:07:00

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ROHM(羅姆)傳感器_MEMS選型指南

ROHM（羅姆）傳感器_MEMS選型指南

2025-04-01 15:58:37

新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列

性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅(qū)動器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關(guān)，設(shè)計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。1

2025-03-18 17:04:16

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CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

及高效率需求的應(yīng)用而設(shè)計。CAB450M12XM3在電動汽車充電站、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及牽引驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。主要特性極致功率密度：得益于SiC技術(shù)

2025-03-17 09:59:21

東芝推出全新柵極驅(qū)動IC TB9103FTG

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，量產(chǎn)面向車載直流有刷電機(jī)應(yīng)用的柵極驅(qū)動IC[1]——“TB9103FTG”，其典型應(yīng)用包括用于電動后門和電動滑門的閂鎖電機(jī)[2]和鎖定電機(jī)[3]，以及電動車窗和電動座椅的驅(qū)動電機(jī)等。

2025-03-13 18:06:11

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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型

2025-03-11 15:11:55

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東芝TLP5814H 具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型

2025-03-06 19:24:01

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基于e-Compressor SiC 方案 onsemi NCV57100 柵極驅(qū)動器簡介

世平集團(tuán)基于onsemi的柵極驅(qū)動器和SiC技術(shù)，開發(fā)了一款適用于800V車用電空調(diào)壓縮機(jī)的解決方案。本文將以世平集團(tuán)的800Ve-CompressorSiC方案為例，深入解析其中采用的安森美(onsemi)柵極驅(qū)動器NCV57100的核心特性及其應(yīng)用。

2025-02-21 16:34:51

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為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案

BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC

2025-02-06 11:54:03

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新品 | 2EP1xxR - 頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源用20V全橋變壓器驅(qū)動器

新品2EP1xxR-頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源用20V全橋變壓器驅(qū)動器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驅(qū)動電源用全橋變壓器驅(qū)動器IC系列，采用緊湊型TSSOP8引腳封裝，具有功率集成和優(yōu)化

2025-01-24 17:04:39

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羅姆半導(dǎo)體宣布2025財年換帥

近日，日本羅姆半導(dǎo)體宣布了一項重要人事變動，計劃在2025財年伊始(即2025年4月1日)進(jìn)行高層調(diào)整。現(xiàn)任董事會成員東克己將接替松本功，擔(dān)任羅姆半導(dǎo)體的總裁兼CEO，而松本功則將轉(zhuǎn)任執(zhí)行顧問一職

2025-01-22 14:01:48

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利用AgileSwitch Augmented Switching?柵極驅(qū)動器對62 mm SiC功率模塊進(jìn)行表征

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用AgileSwitch Augmented Switching?柵極驅(qū)動器對62 mm SiC功率模塊進(jìn)行表征.pdf》資料免費下載

2025-01-21 14:00:57

羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

）排放量增加已成為嚴(yán)重的社會問題。因此，為了實現(xiàn)零碳社會，努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。在這種背景下，羅姆致力于通過電子技術(shù)解決社會問題，專注于開發(fā)在大功率應(yīng)用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導(dǎo)體，并提供相關(guān)的電源解決方

2025-01-15 17:26:42

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