它究竟有何獨特之處。 文件下載： BFU520YX.pdf 產品概述 基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族，適用于高達2 GHz的小信號到中功率應用。這種封裝形式不僅便于安裝，而且在一定程度上保護了晶體管，使其在各種環境下
2025-12-30 17:35:13
410 SMDJ58A單向 TVS瞬態抑制二極管：3000W大功率電流低殘壓 極速防雷
2025-12-25 16:13:321002 
雙極型三極管作為重要的半導體器件，廣泛應用于功率放大、開關控制等場景。德昌雙極型三極管的SOT-523和SOT-883封裝在小型化和高性能方面表現出色，但在大功率輸出時，散熱問題成為關鍵考量因素
2025-12-08 16:48:01238 
為了方便廣大電子硬件工程師用好薩科微slkor的產品，為客戶提供配套的技術服務，讓產品更好為客戶創造價值，薩科微推出晶體管光耦PC817應用電路等系列方案，可以廣泛 應用于PLC、工業控制、開關電源
2025-12-04 11:36:34
在電子電路設計中，晶體管的合理選擇和應用對于電路性能起著關鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數字晶體管。
2025-12-02 15:46:03252 
在電子電路設計中，合理選擇晶體管至關重要，它關乎著電路的性能、成本和空間利用。今天就來為大家詳細介紹ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3這一系列數字晶體管。
2025-12-02 09:41:59318 
選型手冊：VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威兆半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借
2025-11-28 12:14:04237 
在電子工程師的日常設計工作中，通用晶體管是不可或缺的基礎元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NST846MTWFT NPN通用晶體管，它在諸多方面展現出了獨特的優勢，下面我們就來詳細了解一下。
2025-11-26 15:10:43260 
在電子設備的設計中，選擇合適的晶體管對于實現高效、穩定的性能至關重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管，看看它在電子設計領域能為我們帶來哪些優勢。
2025-11-26 15:01:11259 
在電子工程師的日常設計工作中，晶體管作為基礎且關鍵的元件，其性能和特性直接影響著整個電路的表現。今天，我們就來詳細探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優勢。
2025-11-26 14:28:03280 
安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設計用于通用放大器應用。該晶體管采用可濕性側翼DFN2020-3封裝，可實現最佳自動光學檢測（AOI），具有出色的熱性
2025-11-26 14:12:12435 
安森美NST856MTWFT PNP晶體管設計用于通用放大器應用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側翼，適用于汽車行業。NST856MTWFT晶體管 無鉛、無鹵/無BFR,符合
2025-11-26 13:45:33426 
安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設備，專為通用放大器和低速開關應用而設計。此系列互補功率晶體管采用環氧樹脂，符合UL 94 V-0（0.125英寸）標準；其引腳經成型處理
2025-11-25 11:38:42505 onsemi MUN5136數字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網絡。這些數字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網絡，單片偏置網絡由兩個電阻器組成，一個是串聯基極電阻器，另一個是基極-發射極
2025-11-24 16:27:15579 
，該網絡由一個系列基極電阻和一個基極-發射極電阻組成。BRT將所有組件集成到單個設備中，從而消除了單個組件。使用BRT可以降低系統成本和電路板空間。NSBCMXW組件采用XDFNW3封裝，具有卓越的散熱性能。這些晶體管非常適合用于電路板空間和可靠性至關重要的表面貼裝應用。
2025-11-22 09:44:46811 
安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設計用于替換單個設備和相關外部偏置電阻網絡。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管和一個單片偏置網絡，該網絡由一個系列
2025-11-21 16:22:38625 
選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高穩定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 
電壓選擇晶體管應用電路第二期
以前發表過關于電壓選擇晶體管的結構和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
Vishay VSMA1094750X02大功率紅外發光二極管是星形產品組合的一部分，設有波長為940nm的紅外發光二極管。Vishay VSMA1094750X02設計采用雙堆疊發射器芯片。該器件
2025-11-13 14:52:00385 選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導通損耗
2025-11-05 15:53:52207 【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會（AEC）汽車應用標準的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559490 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系列
2025-11-03 18:18:052813 
中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管，以100V耐壓、超300A持續電流的硬核參數，融合SGT（屏蔽柵晶體管）工藝與高適配封裝，不僅精準破解這一行業痛點，更在工業驅動、新能源儲能、消費電子三大領域構建起“高效能-高可靠-低成本”的應用生態，成為國產中低壓大功率器件的標桿選擇。
2025-10-24 17:53:57904 
晶體管是一種以半導體材料為基礎的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓和信號調制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調節輸出電流，實現信號放大或電路開關功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
電子發燒友網綜合報道 ?近日，英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標準的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列，并已經開始提供符合AEC-Q101標準的預生產產品系列樣品，包括高壓
2025-10-24 09:12:119040 電子發燒友網為你提供()5 GHz 大功率 WLAN 前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有5 GHz 大功率 WLAN 前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，5 GHz 大功率
2025-10-15 18:30:45
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應晶體管），在極端短路條件下的表現。通過一系列嚴謹的測試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
隨著集成電路科學與工程的持續發展，當前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個大族，衍生出 100 多種不同類型的器件，推動集成電路技術
2025-09-22 10:53:481310 
電子發燒友網為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關產品參數、數據手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-09-15 15:31:09
大功率電源的定義及應用大功率電源是指功率在500瓦以上的電源產品，能給機器提供穩定的電力供應，也就是用通過電路控制開關管進行高速的導通與截止。將直流電轉化為高頻率的交流電提供給變壓器進行變壓，從而
2025-09-09 14:08:17551 
選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246127 
電子發燒友網綜合報道 最近，意法半導體推出了一款面向大功率家電應用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2，該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優異的熱性能和軟開關拓撲
2025-07-28 07:29:003529 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布擴展其雙極性晶體管(BJT)產品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472331 在電源轉換技術不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)，專注于滿足數據中心、工業以及電動交通應用對高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
電子發燒友網為你提供()密封高速晶體管雙通道光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有密封高速晶體管雙通道光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封高速晶體管雙通道光耦合器真值表，密封高速晶體管雙通道光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:33:02
電子發燒友網為你提供()耐輻射光電晶體管密封光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有耐輻射光電晶體管密封光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射光電晶體管密封光耦合器真值表，耐輻射光電晶體管密封光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:29:59
芯片制程從微米級進入2納米時代，晶體管架構經歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構演進到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022045 
電子發燒友網為你提供()密封表面貼裝光電晶體管光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有密封表面貼裝光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封表面貼裝光電晶體管光耦合器真值表，密封表面貼裝光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-04 18:31:18
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2025-07-04 18:30:49
電子發燒友網為你提供()耐輻射、光電晶體管光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有耐輻射、光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:31:17
電子發燒友網為你提供()光電晶體管光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，光電晶體管光耦合器真值表，光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:30:33
電子發燒友網為你提供()用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器真值表，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:30:00
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2025-07-02 18:35:21
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業界最高質量標準，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 IHW20N120R3電磁爐IGBT功率管規格書
2025-06-23 16:09:49
4 IHW20N135R5電磁爐IGBT功率管規格書
2025-06-23 16:09:384 晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發光器件和光敏器件組合在一起的半導體器件，用于實現電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應和半導體
2025-06-20 15:15:49730 
的過渡步驟。
不過2017 年提出的叉片設計初始版本似乎過于復雜，無法以可接受的成本和良率進行制造。現在，Imec 推出了其叉片晶體管設計的改進版本，該設計有望更易于制造，同時仍能為下一代工藝技術提供功率
2025-06-20 10:40:07
Analog Devices Inc. ADRF5141大功率發射和接收開關IC是采用硅工藝制造的50Ω 反射式SPDT開關IC。這些開關IC設計用于發射和接收應用，在接收路徑上集成有功率限制器
2025-06-18 14:16:51662 
在設計驅動電路時，經常會用到MOS管做開關電路，而在驅動一些大功率負載時，主控芯片并不會直接驅動大功率MOS管，而是在MCU和大功率MOS管之間加入柵極驅動器芯片。
2025-06-06 10:27:162887 
型號：2SD1313、2SC5242
提供樣品，技術支持。
阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買
2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管 產品供應
2025-06-05 10:24:29
深圳市三佛科技有限公司供應2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專為低頻或音頻放大，直流轉直流轉換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
自半導體晶體管問世以來，集成電路技術便在摩爾定律的指引下迅猛發展。摩爾定律預言，單位面積上的晶體管數量每兩年翻一番，而這一進步在過去幾十年里得到了充分驗證。
2025-06-03 18:24:131494 
一、核心定義與結構特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）為核心，集成續流二極管（FWD）的復合功率器件，通過多層封裝技術實現高電壓、大電流承載能力35。其典型結構包含： ? 芯片
2025-05-22 13:49:381271 
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 電子發燒友網為你提供()耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-05-19 18:33:42
當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關?。它是現代電子技術的核心元件，幾乎所有電子設備（從手機到超級計算機）都依賴晶體管實現功能。以下
2025-05-16 10:02:183876 、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關電路、模擬開關電路、開關電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路、功率放大器的設計與制作、拓寬頻率特性等。
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2025-05-15 14:24:23
LM195/LM395 是具有完全過載保護的快速單片電源集成電路。這些器件充當高增益功率晶體管，芯片上包括電流限制、功率限制和熱過載保護，使其幾乎不可能因任何類型的過載而損壞。在標準 TO-3 晶體管功率封裝中，LM195 將提供超過 1.0A 的負載電流，并可在 500 ns 內切換 40V。
2025-05-15 10:41:11781 
LP395 是一款具有完全過載保護的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環氧樹脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
電子發燒友網站提供《ZSKY-D882-SOT-89-3L NPN硅功率晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 17:21:590 電子發燒友網綜合報道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD（肖特基二極管）的工業用GaN晶體管產品系列CoolGaN G5，該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率
2025-04-28 00:19:003055 
晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動態響應的可能性。寬帶隙晶體管在現代電力系統中扮演著關鍵角色，包括開關電源(SMPS)、逆變器和電動機驅動器，因為
2025-04-23 11:36:00780 
為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統二進制邏輯門電路通常比較復雜，有沒有一種簡單且有效的器件實現
2025-04-16 16:42:262 ?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅動器等全套功率半導體解決方案，助力科士達大功率高頻UPS系統實現技術突破。英飛凌與科士達已共同攜手三十余年，
2025-04-16 10:26:26826 
多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，FET和IC，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨器電路設計，FET低頻功率放大器的設計與制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋型OP放大器的設計與制作，進晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設計，放大電路的性能，共發射極應用，觀察射極跟隨器的波形，增強輸出電路的設計，射極跟隨器的性能和應用電路，小型功率放大器的設計和制作
2025-04-14 16:07:46
MT0620D作為一款N溝道功率管，具有一系列顯著的基本特性。首先，它具有較高的擊穿電壓，這意味著在高電壓環境下，MT0620D能夠保持穩定的性能，不易損壞。其次，該功率管的導通電阻較低，這有
2025-03-26 17:53:161019 電子發燒友網站提供《MJE13005D高壓快速開關NPN功率晶體管英文手冊.pdf》資料免費下載
2025-03-21 16:52:420 電子發燒友網站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-17 17:15:420 柵極（Gate）是晶體管的核心控制結構，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會在半導體表面形成導電溝道，從而調節電流的導通與截止。
2025-03-12 17:33:202746 
本書主要介紹了晶體管，FET和Ic，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨電路的設計，FET低頻功率放大器的設計和制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋行型op放大器的設計與制作
2025-03-07 13:55:19
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強輸出的電路，小型功率放大器的設計與制作，功率放大器的設計與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設計和制作，渥爾曼電路的設計，負反饋放大電路的設計，直流穩定電源的設計與制作，差動放大電路的設計，op放大器電路的設計與制作等
2025-03-07 13:46:06
氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設計與制作， 雙管電路的設計與制作，3~5管電路的設計與制作，6管以上電路的設計與制作。書中具體內容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應，雙管射極跟隨器等內容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對，NFN晶體管的fT為8.5CHz，而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現出低噪聲，使其
2025-02-26 09:29:07866 
HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管，采用 Intersil Corporation 的互補雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz，而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
電子發燒友網站提供《BCP69系列PNP中等功率晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-19 15:37:450 電子發燒友網站提供《BCP69-Q系列 PNP中等功率晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-19 15:34:550 ，為眾多應用場景帶來前所未有的變革潛力。 V: 18770344597 這款晶體管采用 TO-252 封裝，耐壓高達 700V，典型導通電阻僅 460mΩ，在高壓大功率應用中優勢顯著。作為常關型器件
2025-02-18 16:47:25949 
電子發燒友網站提供《BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:21:230 電子發燒友網站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:19:460 電子發燒友網站提供《BCP52系列晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:36:370 電子發燒友網站提供《PBSS4480X晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:24:530 電子發燒友網站提供《PBSS5350PAS晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 15:09:070 由格拉斯哥大學研究人員領導的一項具有里程碑意義的進展可能有助于創造用于大功率電子產品的新一代金剛石基晶體管。 該團隊找到了一種新方法，將金剛石作為晶體管的基礎，該晶體管在默認情況下保持關閉狀態，這對
2025-02-09 17:38:42748 電子發燒友網站提供《BC817W-Q系列NPN通用晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 16:24:130 電子發燒友網站提供《BC807W-Q系列PNP通用晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 15:44:270 電子發燒友網站提供《PDTA123ET晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-08 18:18:200 電子發燒友網站提供《PDTC123EMB晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-08 16:58:190 , Gate-all-Around）全環繞柵極晶體管(GAAFET)等先進結構，在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就，但進一步微縮的挑戰日益顯現。為了延續摩爾定律的發展趨勢，并滿足未來高性能計算的需求，業界正積極研發下一代晶體管架構——互補場效應晶體管（Complementary FET, CFET）。
2025-01-24 10:03:514437 
近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221221 
意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271021
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