2016年1月7日——全球微控制器（MCU）及觸控技術解決方案領域的領導者Atmel公司今日宣布，將把下一代壓力傳感技術應用于最新面向智能手機應用的maXTouchU系列。Atmel的壓力傳感技術
2016-01-13 15:39:49
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
下一代SONET/SDH設備
2019-09-05 07:05:33
下一代定位與導航系統
2012-08-18 10:37:12
政策的出臺,面向下一代廣播電視網(NGB)的業務及其運營成為各廣電運營商的核心工作內容,廣電運營商提供的業務類型開始增多,從“單一業務”向“多業務、綜合業務”發展;與此同時隨著市場競爭的加劇,廣電運營商的服務理念也從“以業務為中心”逐步轉換到“ [hide]全文下載[/hide]
2010-04-23 11:33:30
如何進行超快I-V測量？下一代超快I-V測試系統關鍵的技術挑戰有哪些?
2021-04-15 06:33:03
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
TEK049 ASIC為下一代示波器提供動力
2018-11-01 16:28:42
隨著移動行業向下一代網絡邁進，整個行業將面臨射頻組件匹配，模塊架構和電路設計上的挑戰。射頻前端的一體化設計對下一代移動設備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢？
2019-07-31 07:42:54
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
2021-05-21 07:00:24
據彭博社報道，有傳聞稱蘋果公司目前正致力于開發下一代無線充電技術，將可允許iPhone和iPad用戶遠距離充電。報道稱，有熟知內情的消息人士透露：“蘋果公司正在與美國和亞洲伙伴展開合作以開發新的無線
2016-02-01 14:26:15
單片光學 - 實現下一代設計
2019-09-20 10:40:49
雙向射頻收發器NCV53480在下一代RKE中的應用是什么
2021-05-20 06:54:23
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試，結果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內實現功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
充分利用人工智能，實現更為高效的下一代數據存儲
2021-01-15 07:08:39
如何利用低成本FPGA設計下一代游戲控制臺？
2021-04-30 06:54:28
全球網絡支持移動設備體系結構及其底層技術面臨很大的挑戰。在蜂窩電話自己巨大成功的推動下，移動客戶設備數量以及他們對帶寬的要求在不斷增長。但是分配給移動運營商的帶寬并沒有增長。網絡中某一通道的使用效率也保持平穩不變。下一代射頻接入網必須要解決這些難題，這似乎很難。
2019-08-19 07:49:08
對實現下一代機器人至關重要的幾項關鍵傳感器技術包括磁性位置傳感器、存在傳感器、手勢傳感器、力矩傳感器、環境傳感器和電源管理傳感器。
2020-12-07 07:04:36
怎樣去設計GSM前端中下一代CMOS開關？
2021-05-28 06:13:36
的機遇和挑戰等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用2
2017-07-11 14:06:55
，進行了優化，還有簡潔的開發文檔。如果你是一名Java程序員，并且準備好和我一同加入機器間技術的潮流，或者說開發下一代改變世界的設備，那么就讓我們開始學習物聯網（IoT）把。在你開始嵌入式開發之前，你...
2021-11-05 09:12:34
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
面向下一代電視的低功耗LED驅動IC是什么？
2021-06-04 06:36:58
了解下一代網絡的基本概念掌握以軟交換為核心的下一代網絡(NGN)的形態與結構掌握下一代網絡的網關技術，包括媒體網關、信令網關、接入網關掌握軟交換的概念、原理、
2009-06-22 14:26:17
34 飛思卡爾推進下一代消費電子器件動作傳感技術
飛思卡爾半導體推出最新的動作傳感技術，以提升移動消費電子產品的使用體驗。MMA8450Q 加速計是高精確度、高功
2010-03-12 10:56:11
796 安森美半導體（ON Semiconductor）加入了領先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業界研究及開發項目，共同開發下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:311384 下一代網絡技術（NGN）的概念起源于美國克林頓政府1997年10月10日提出的下一代互聯網行動計劃（NGI）。其目的是研究下一代先進的組網技術、建立試驗床、開發革命性應用。NGN一直是業界普遍關注的熱點和焦點，一些行業組織和標準化機構也分別對各自領域的下一代網絡技術進行了研究。
2016-01-14 16:18:000 近日，廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”在松山湖成立，該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。
2018-06-11 01:46:0011051 行業標準的收緊和政府法規的改變是提高產品能效的關鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516426 第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應用在各個領域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸，被業界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038620 近日，2018中國寬禁帶功率半導體及應用產業發展峰會在濟南召開。會上，國家主管部門領導與技術專家、金融投資機構、知名企業負責人等共同研討寬禁帶功率半導體產業工藝和產業鏈建設，為技術協同以及產業、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253991 現代電子技術偏愛高壓，轉向寬禁帶半導體的高壓系統，是因為：首先，高壓意味著低電流，這也意味著系統所用的銅總量會減少，結果會直接影響到系統成本的降低；其次，寬禁帶技術(通過高壓實現)的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306039 Rolandberger發布了新報告“下一代技術革命‘AI’來襲”，分析了人們是否準備好迎接下一代技術革命。
2019-01-07 10:37:424812 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。典型的寬禁帶半導體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 先行區的橋頭堡。小鎮總占地面積約4900畝，將分“科技創新孵化區”、“產業先進智造區”和“半導體生態科技城”三大功能區，打造寬禁帶半導體產業技術領先高地。
2019-05-17 17:18:524423 虛擬現實頭顯在過去五年中取得了明顯的改進，并且在未來五年內，由于計算機圖形和顯示技術的進步，將向前邁出更大的一步。下一代無線技術是VR下一代發展的缺失環節，因為當代無線VR硬件無法滿足用戶期望的流暢沉浸。
2019-08-11 10:46:201006 在這個網絡研討會,我們將提供工具需求和設計技術,將幫助你在你的路徑設計下一代無線產品。
2019-11-06 07:06:003832 隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分， 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） ， 具有寬禁帶、高熱導率、高
2020-01-19 17:22:002205 
寬禁帶材料實現了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開發，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監管措施，以確保所有依賴能源的產品都需具有最高能效。
2020-12-08 10:27:000 基于新興GaN和SiC寬禁帶技術的新型半導體產品，有望實現更快的開關速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強功能。
2020-10-23 11:03:261297 現代寬禁帶功率器件（SiC， GaN）上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰，在某些情況下幾乎不可能實現。隔離探測技術的出現改變了這種局面，通過這一技術，設計人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:0022 Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰，共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應用場合下極為理想的半導體材料。文章結合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導體材料。
2021-03-01 16:12:0024 數字媒體設備的下一代安全技術
2021-05-27 13:53:4812 隨著功率電子市場的發展，傳統硅（Si）器件的性能已經接近了理論上的“天花板”，因此近年來以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶第三代半導體器件的研發日趨活躍。
2022-06-09 10:18:113995 對于寬禁帶半導體行業目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態形式、設備控制都不一樣，要想做好這個行業的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:534545 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。
2022-08-02 17:22:121581 隨著寬禁帶半導體材料成本得到明顯下降，其應用情況將會發生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導體，展示出高頻、高壓、高溫等獨特的性能優勢，迎來新的發展機遇
2022-10-28 11:04:341761 
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產品提供飛躍的機遇。
2022-12-02 09:56:041840 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421622 
寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 下一代無線通信的氮化鎵功率放大器
2022-12-22 11:34:04851 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷導帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810875 第三代寬禁帶半導體材料廣泛應用于各個領域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發展瓶頸，受到了業界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2211803 
2023年6月6日，東南大學迎來了建校121周年紀念日。當天下午，東南大學集成電路學院揭牌儀式在南京舉辦。 揭牌儀式上，“ 東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯合研發中心”共建合作協議正式簽署
2023-06-08 20:05:022674 
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產品提供飛躍的機遇。
2023-06-12 10:11:131657 
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產品提供飛躍的機遇。
2023-06-12 10:12:171456 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466547 
下一代硅光子技術會是什么樣子？
2023-07-05 14:48:561196 
點擊藍字?關注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據，寬
2023-10-08 19:15:02967 點擊藍字?關注我們 在工業、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中， 安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展
2023-10-20 01:55:01777 
半導體材料。 寬禁帶半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景。 寬
2023-11-03 12:10:021785 
股份有限公司共建的寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心成功獲批。矽力杰創芯驅動模擬未來寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導體的器件與電源管理
2023-11-15 08:19:401566 如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21843 
適用于下一代大功率應用的XHP?2封裝
2023-11-29 17:04:502359 
能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出
2023-12-07 10:45:021168 2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:111622 禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓
2023-12-16 08:30:341285 
半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施
2024-06-28 09:30:591877 在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術創新和產品質量著稱的公司宣布，計劃投資高達2億美元（約合1.84億歐元），用于研發下一代寬禁帶半導體產品，并在其位于漢堡的工廠建立生產基礎設施。
2024-06-28 11:12:341392 下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發和生產，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節能半導體領導者的地位。
2024-06-28 16:56:381691 在全球半導體產業日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現了其前瞻性的戰略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡工廠開發下一代寬禁帶半導體產品，并擴大其晶圓廠的產能。
2024-06-29 10:03:261673 功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區別： 材料類型：功率半導體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 的角色。它們是構成電子器件和光電子器件的基礎。根據禁帶寬度的不同，半導體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導體材料因其獨特的電子和光學特性，在高功率、高頻、高溫和高亮度應用中展現出巨大的潛力。 寬禁帶半導
2024-07-31 09:09:063202 電子發燒友網站提供《控制當前和下一代功率控制器的輸入功率.pdf》資料免費下載
2024-09-18 11:31:580 ，被稱為第三代寬禁帶半導體。 優勢 高溫、高頻、高耐壓：相比第一代（Si、Ge）和第二代（GaAs、InSb、InP）半導體材料，第三代半導體材料在這些方面具備明顯優勢。 導通電阻小：降低了器件的導通損耗。 電子飽和速率和電子遷移率高：提高
2024-12-05 09:37:102785 
時存在一些限制，如總體損耗較高、開關頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導體的興起，寬禁帶器件的應用使得提高電機的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能。《電機驅動系統
2024-12-25 17:30:32866 
本文介紹第三代寬禁帶功率半導體的應用 在電動汽車的核心部件中，車用功率模塊（當前主流技術為IGBT）占據著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅動系統的關鍵性能，還占據了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571151 
成為行業內的研究熱點。本文將重點探討第三代寬禁帶功率半導體器件的封裝技術及其應用。二、第三代寬禁帶功率半導體器件概述（一）定義與分類第三代寬禁帶功率半導體器件是指以碳化
2025-02-15 11:15:301613 
目前電氣化仍是減少碳排放的關鍵驅動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統硅器件相比，寬禁帶技術，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進功率轉換效率的關鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法，以應對當今電氣化的挑戰。
2025-02-19 09:37:10869 
：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發論壇上，英飛凌與匯川等企業展示了寬禁帶半導體技術的最新進展。從SiC與GaN技術的創新應用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
共探寬禁帶功率器件領域技術 作為寬禁帶功率器件領域的重要學術與產業交流平臺，2025 IEEE 亞洲寬
2025-08-28 16:00:57604 
電子發燒友App
工商網監
評論