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派恩杰半導體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導體功率器件設計銷售企業（Fabless模式），持續專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設計研發與產品銷售。
碳化硅(SiC)作為第三代半導體的核心材料，正在電動汽車(EV)、可再生能源和工業應用領域引發一場深刻的革命。其卓越的高
從傳統互聯網數據中心(IDC)到人工智能數據中心(AIDC)的演進，本質上是一場能源效率與算力密度的極限競賽。AI算力的
2025年12月6日，“寧波德業股份有限公司2026年全球供應商大會在寧波”在寧波北侖隆重舉行。本次大會以“聚勢賦能，鏈
派恩杰DCM模塊的底層優勢在于芯片設計與封裝工藝的深度協同，作為國內少數擁有全套“銀燒結+DTS雙面散熱”技術的公司，其
11月10日，為期四天的第四屆中國電力電子與能量轉換大會暨展覽會、中國電源學會第二十八屆學術年會（CPEEC&C
派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導體材料特性，具有高擊穿場強、高熱導率、高電子飽和速度，在高壓性能、功率密
近日，派恩杰半導體順利斬獲歐洲頭部車企的量產訂單。這一重大跨越標志著派恩杰在碳化硅（SiC）功率器件領域的技術實力與產品
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高
第三代半導體功率器件企業派恩杰獲“2025尋找寧波最具投資價值企業”最具潛力獎!
近日，寧波創投界一年一度的“尋找寧波最具投資價值企業”頒獎活動舉行。本屆活動緊扣“科創”主題，錨定“新質生產力”，聚焦高
在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸”
派恩杰半導體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導體功率器件設計銷售企業（Fabless模式），持續專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設計研發與產品銷售。
派恩杰產品有SiC SBD，SiC MOS以及GaN HEMT等，廣泛應用于服務器及數據中心電源、新能源汽車、智能電網、5G物聯網、工業電機、逆變器等場景和領域。成立僅6個月即完成第一款可兼容驅動650V GaN功率器件；同年發布Gen3技術的1200V SiC MOS產品，技術指標國內領先；2020年公司推出650V、1700V SiC MOS產品，完成三大產品系列布局；2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全陣容產品，豐富了650V、1200V、1700V SiC MOS產品線，將發布100余款不同型號功率器件。
從傳統互聯網數據中心(IDC)到人工智能數據中心(AIDC)的演進，本質上是一場能源效率與算力密度的極限競賽。AI算力的爆發正將數據中心推向“電力極限”。
近日，在西安·曲江國際會議中心舉辦的2024中國電力電子與能量轉換大會暨中國電源學會第二十七屆學術年會及展覽會（CPEEC & CPSSC 20...
正向浪涌能力是評價碳化硅二極管應用和可靠性的一項重要參數，為簡約表述，下文二極管皆指代碳化硅二極管。通常二極管廠家會對二極管進行 10ms浪涌的測試。
2022年開工第一天，派恩杰半導體在全球首推PD 快充的碳化硅應用方案
派恩杰半導體在此65W USB PD快充方案中， 在不更改任何驅動參數條件下與傳統硅功率器件650V/125mohm進行性能比較， 在滿載條件下完整展現...
碳化硅(SiC)作為第三代半導體的核心材料，正在電動汽車(EV)、可再生能源和工業應用領域引發一場深刻的革命。其卓越的高電壓、高頻率和高溫性能，使得功率...
2025年12月6日，“寧波德業股份有限公司2026年全球供應商大會在寧波”在寧波北侖隆重舉行。本次大會以“聚勢賦能，鏈接未來”為主題，來自全球的客戶、...
派恩杰DCM模塊的底層優勢在于芯片設計與封裝工藝的深度協同，作為國內少數擁有全套“銀燒結+DTS雙面散熱”技術的公司，其自主設計的超低寄生電感架構，將雜...
11月10日，為期四天的第四屆中國電力電子與能量轉換大會暨展覽會、中國電源學會第二十八屆學術年會（CPEEC&CPSSC 2025）在深圳國際會...
派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導體材料特性，具有高擊穿場強、高熱導率、高電子飽和速度，在高壓性能、功率密度、散熱效率及兼容性方面表現均衡...
近日，派恩杰半導體順利斬獲歐洲頭部車企的量產訂單。這一重大跨越標志著派恩杰在碳化硅（SiC）功率器件領域的技術實力與產品質量獲得國際頂尖車企的高度認可，...
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統...
第三代半導體功率器件企業派恩杰獲“2025尋找寧波最具投資價值企業”最具潛力獎!
近日，寧波創投界一年一度的“尋找寧波最具投資價值企業”頒獎活動舉行。本屆活動緊扣“科創”主題，錨定“新質生產力”，聚焦高端裝備、芯片制造、數字經濟、新材...
在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數據中心的電源...
近日，派恩杰半導體正式發布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產品的導通電阻RDS...
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