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派恩杰Easy 3B碳化硅模塊的應用場景

派恩杰半導體 ? 來源:派恩杰半導體 ? 2025-10-09 18:11 ? 次閱讀
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派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導體材料特性,具有高擊穿場強、高熱導率、高電子飽和速度,在高壓性能、功率密度、散熱效率及兼容性方面表現均衡,2000V 設計尤其適用于大規模光伏電站及儲能系統,適配需要高電壓、高效率和高可靠性的應用場景,減少電壓降和損耗,提高發電與儲能效率。

產品型號

PAAA20350PM

產品優勢

超高耐壓:VDSS>2000V,適用于母線電壓1500V系統;

含銅基板散熱:提升散熱面積,降低芯片的溫度沖擊力;

AMB陶瓷基板:使用導熱系數更高、韌性更強的Si3N4陶瓷基板;

支持集成多種拓撲結構:包括半橋、全橋、三相橋、三電平以及boost。

應用場景

光伏逆變器:將直流電轉換為交流電,支持光伏陣列的輸出,降低線纜與開關損耗,提升能量轉換效率;

儲能系統:雙向高效充放電,控制能量流動,優化充放電過程,延長電池壽命,確保系統穩定性;

工業 UPS / 充電樁:高壓輸入、高效率輸出,滿足大功率需求。

落地案例

1500V DC大型地面電站項目

技術實施方案

拓撲革新:用兩電平架構替代傳統三電平,單臺逆變器器件數量使用減少,回路復雜度降低;

散熱優化:依托模塊氮化鋁基板與雙面散熱設計,取消原強制水冷系統,改用自然風冷 + 局部散熱片組合方案;

高頻適配:開關頻率得以顯著提升,濾波電感體積有效縮減,逆變器整體尺寸實現縮小。

應用成效

較傳統硅基方案,最高轉換率得以有效提升,且每度電成本降低從而實現了降本增效,同時因適配多風沙、高溫環境,有效延長了運維周期。

電側網200MWh構網型儲能電站

技術實施方案

雙向轉換優化:模塊充放電切換響應時間縮短,配合虛擬同步機控制算法,一次調頻響應速度提升,滿足電網 AGC 調度要求;

電池系統適配:2000V 模塊直接適配 1500V DC 磷酸鐵鋰電池組,電池串聯數量減少,單簇故障風險降低;

熱管理創新:利用模塊高溫耐受特性,將 PCS 工作環境溫度上限提升至,散熱風扇數量減少,噪音有效降低。

應用成效

能效提升,年節電增加,同時可靠性升級延長了模塊使用生命周期,更是因調頻響應速度達標,獲得電網輔助服務收益較傳統方案提升,投資回收周期縮短。

150kW工業UPS與240kW快充樁雙場景應用

技術實施方案

某超大型數據中心要求 UPS 系統實現 "零中斷供電",且適配高密度服務器的瞬時負載波動。采用Easy 3B 1200V模塊構建 ANPC 拓撲 UPS 系統。某城市公交集團建設快充站,要求單樁輸出功率達標高要求,且適應戶外高溫、高濕環境。選用Easy 3B 1200V模塊構建 LLC 諧振拓撲充電模塊。

應用成效

數據優化有效避免了服務器掉電風險,同時適配數據中心算力動態調整需求,使得充電模塊效率在一定程度實現提升且較硅基方案減少了損耗;先進的封裝設計讓充電模塊體積縮小,減少了安裝空間。

派恩杰 2000V 碳化硅器件通過平衡性能與成本,為中高壓電力電子系統提供了高效、可靠的解決方案,尤其在新能源和能源轉型相關領域具有較強的應用潛力。更多產品及具體型號的參數(如導通電阻、電流等級等)可通過我們的官方網站查看 datasheet,以匹配您的具體應用場景的需求。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商,國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOSFET芯片已大規模導入國產新能源整車廠和Tier 1,其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區塊鏈5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業特種電源、UPS、電機驅動等領域。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:派恩杰Easy 3B 2000V 高壓適配 | 賦能光伏 / 儲能 / 工業,高效轉換 “零” 距離

文章出處:【微信號:派恩杰半導體,微信公眾號:派恩杰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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