從單管到系統級解決方案，碳化硅半橋DCM模塊正重構新能源汽車電驅成本公式：通過集成銀燒結+DTS工藝與超低寄生電感，使800V平臺逆變器成本降低、體積縮減、提升電驅系統效率，進而轉化為有效增加新能源汽車續航里程。碳化硅半橋DCM的核心在于利用SiC器件的高頻開關特性與DCM模式的電感能量完全釋放機制。當行業將降本焦點鎖定于芯片代工成本時，派恩杰已通過“芯片-封裝-拓撲”垂直整合能力，在碳化硅半橋DCM模塊領域建立起三重護城河。

派恩杰DCM模塊獨家工藝

派恩杰DCM模塊的底層優勢在于芯片設計與封裝工藝的深度協同，作為國內少數擁有全套“銀燒結+DTS雙面散熱”技術的公司，其自主設計的超低寄生電感架構，將雜散電感降低至行業領先的標準，確保了模塊100kHz高頻下的極致效率。

派恩杰碳化硅(SiC)半橋模塊的DCM封裝模塊采用半橋拓撲設計，支持1500V，母線1000V電壓平臺，正成為新能源汽車、光伏逆變器等高壓大功率場景的核心解決方案，這種通過材料特性(SiC的高頻低損耗)與工作模式(DCM的輕載高效)的技術協同組合，正在突破傳統硅基模塊的效率瓶頸，成為高性能電動汽車平臺應用的標桿之作。

技術與研發的領導力：創始人、資深電力電子領域專家黃興博士將北美半導體產業化經驗與中國市場需求深度融合，構建起從底層物理模型到車規級量產的完整技術護城河。這種領導力不僅體現在產品參數的領先，更在于對行業痛點的預見性解決方案——通過碳化硅芯片量產布局與嵌入式PCB封裝技術，同步解決DCM模塊的成本與性能瓶頸，重新定義高壓功率器件的技術標準。

供應鏈與制造的可靠性：派恩杰的供應鏈與制造優勢，本質是“技術自主+工藝創新+質量體系”的三位一體能力。當行業多數企業仍依賴外購芯片與傳統封裝時，派恩杰已通過“芯片-封裝-驗證”全鏈路自主可控體垂直整合實現DCM模塊從設計到量產的全鏈路可控，這不僅保障了800V平臺客戶的穩定交付，更使其在寄生電感控制、功率密度等核心指標上達到國際領先水平。車規級產品均已通過嚴苛的車規級認證(AEC-Q101、IATF 16949等)，既保障了車規級產品的穩定交付，又通過垂直整合實現技術迭代與成本控制的雙重優勢。

這種“降本不降質”的能力，使派恩杰DCM模塊在800V平臺逆變器中，實現物料成本降低的同時，實現功率密度的有效提升，為新能源電驅系統體積縮減提供了核心支撐。

派恩杰DCM產品型號

PAAA12800MM

PAAA12600MM

DCM產品優勢

1、革命性的散熱能力

極低的熱阻： 由于消除了基板這一主要熱障，模塊的熱阻(Rth(j-c))相比傳統模塊顯著降低約30%-60%。

更高電流輸出： 在相同芯片面積和溫升條件下，DCM模塊能承載的額定電流可提升20%至50%，或在同等電流下，芯片結溫更低。

提升系統功率密度： 優異的散熱性能允許使用更小的芯片或模塊，使得整個電力電子系統的結構更緊湊、功率密度更高。

2、卓越的可靠性

更強的溫度循環能力： 模塊內部連接點(如焊接層)的溫度變化(ΔTj)更小，且結構更堅固，因此其功率循環能力和溫度循環壽命遠超傳統模塊。

更高的結溫能力： 許多DCM模塊采用燒結銀等先進連接技術，允許芯片在最高結溫175℃甚至更高的條件下穩定工作，拓寬了應用邊界。

3、優化的雜散系數

低寄生電感： 緊湊的對稱封裝結構使得主回路內部的寄生電感極低(通常<8nH)，這有助于：

降低開關過電壓

減少開關損耗

允許更高的開關頻率運行

DCM產品目標應用領域

DCM模塊是高要求、高可靠性應用的理想選擇：

新能源汽車:主驅動逆變器、車載充電機、直流變換器

可再生能源:光伏逆變器、風電變流器

工業驅動:大功率變頻器、伺服驅動器

軌道交通:牽引變流器

不間斷電:高頻、高密度UPS

派恩杰：“

芯片”→“標準”

當中國車企還在為芯片供應焦慮時，派恩杰已通過DCM模塊證明：真正的技術壁壘從來不是單點突破，而是從“芯片”到“標準”的生態掌控力。

碳化硅半橋 DCM正推動電力電子設備向高效化、小型化轉型，隨著DCM車規級模塊量產以及驅動保護技術成熟，其在新能源汽車、光伏儲能等領域的滲透率正加速提升。與此同時，作為國際標準委員會JC-70成員，派恩杰正將DCM模塊技術轉化為行業話語權。以“全棧自主可控”為基石，承諾每年將營收25%投入研發，2025-2027年實現突破——車規級芯片性能再度提升、寄生電感超低的第四代封裝、車規級DCM模塊成本降低代替硅基方案。

我們不止提供功率模塊，更以“定義未來電驅標準”為愿景，讓中國芯驅動全球新能源產業從“跟隨創新”邁向“規則制定”。讓國產碳化硅產業真正實現從“替代進口”到“定義標準”的跨越，為全球電力電子革命提供核心動力。

派恩杰半導體

成立于2018年9月，是國內領先的第三代半導體功率器件設計與解決方案提供商。作為國際標準委員會 JC-70 成員單位之一，我們深度參與寬禁帶半導體功率器件國際標準制定。

公司已量產超過百款 650V / 1200V / 1700V SiC SBD 與 SiC MOSFET 產品，GaN HEMT 系列同步布局。其中，SiC MOSFET 芯片已大規模導入新能源乘用車及Tier-1動力平臺。

我們的器件廣泛應用于數據中心、AI計算、5G基站、儲能與充電樁、軌道交通、高端家電與航空航天等高要求場景，以高效率、高可靠性和高能量密度，助力全球能源轉型。