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功率芯片技術(shù)

功率芯片PCB嵌入式封裝技術(shù) · 從晶圓到系統(tǒng)級應(yīng)用的全路徑解析

以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率芯片PCB嵌入式封裝：從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的全鏈路解析》三部曲-文字原創(chuàng)，素材來源：Infieon、...

2026-02-04 標(biāo)簽：pcb 嵌入式功率芯片 626 0

功率芯片PCB內(nèi)埋式封裝：從概念到量產(chǎn)的全鏈路解析(下篇：封裝工藝制程全解析)

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率芯片嵌入式封裝：從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的全鏈路解析》三部曲-文字原創(chuàng)，素材來源：TMC現(xiàn)場記錄、西...

2025-07-17 標(biāo)簽：pcb 封裝功率芯片 1.9k 0

解讀納微電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用型GaNSense氮化鎵功率芯片

據(jù)估計(jì)，電動(dòng)機(jī)和驅(qū)動(dòng)器消耗的電力約占全球總發(fā)電量的 45%，相當(dāng)于每年超過 12,000 太瓦時(shí)（TWh）的電力，約為全球最大的新疆 5GW 太陽能發(fā)電...

2025-07-01 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微 3.8k 0

納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析

前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。

2025-06-03 標(biāo)簽：DC-DC 氮化鎵功率芯片 2.8k 0

新型SIC功率芯片：性能飛躍，引領(lǐng)未來電力電子！

隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，對功率半導(dǎo)體器件的性能要求日益提高。碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）作為一種第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶...

2025-03-27 標(biāo)簽：芯片封裝功率芯片半導(dǎo)體設(shè)備 1.4k 0

納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護(hù)技術(shù)

這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...

2025-03-12 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 功率芯片 2k 0

汽車上芯片種類及安全需求和性能需求

隨著車輛的網(wǎng)聯(lián)化和智能化的逐步提升，汽車上芯片的數(shù)量越來越多。據(jù)網(wǎng)上統(tǒng)計(jì)，2021年每輛汽車的芯片需求已經(jīng)突破1000顆，一些高端新能源汽車的芯片需求甚...

2024-11-11 標(biāo)簽：芯片控制芯片功率芯片 3.6k 0

GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝

GaAs晶圓作為常用的一類晶圓，在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過程中需要關(guān)注的點(diǎn)。

2024-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 GaAs 2.3k 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...

2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.8k 0

驅(qū)動(dòng)功率芯片決定整車的什么性能?

驅(qū)動(dòng)功率芯片是電動(dòng)汽車的核心部件之一，它直接影響著整車的性能。一、引言隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境污染問題的日益嚴(yán)重，電動(dòng)汽車作為一種清潔、環(huán)保的交通工具...

2024-07-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車機(jī)械電子器件 1.8k 0

功率芯片帖子

tas5548輸入全音量的i2s數(shù)據(jù)會(huì)破音，為什么？

標(biāo)簽：音頻放大器 I2S 功率芯片 608 5

功率芯片資料下載

第三代半導(dǎo)體GaN產(chǎn)業(yè)鏈研究立即下載

類別：報(bào)告 2023-10-18 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 2k 0

TC358774XBG/TC358775XBG低功率芯片規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2023-06-13 標(biāo)簽：lvds 功率芯片 735 0

納微半導(dǎo)體推出智能GaNFast氮化鎵功率芯片立即下載

類別：電子資料 2023-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 699 0

深圳力芯微電子LX5091X立即下載

類別：IC中文資料 2022-06-08 標(biāo)簽：充電器功率芯片 707 0

ZWI002 氮化鎵合封功率芯片應(yīng)用原理圖立即下載

類別：電源技術(shù) 2022-01-11 標(biāo)簽：功率芯片 1.2k 0

基于Icepak的放大器芯片熱設(shè)計(jì)與優(yōu)化立即下載

類別：嵌入式開發(fā) 2015-08-24 標(biāo)簽：Icepak 熱設(shè)計(jì)功率芯片 1.3k 0

功率芯片資訊

上海貝嶺車規(guī)級MOSFET BLQ3N120入選2025中國汽車芯片創(chuàng)新成果

近日，中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)公示 2025 中國汽車芯片創(chuàng)新成果推薦名單，上海貝嶺自主研發(fā)的車規(guī)級、特高壓平面MOSFET BLQ3N120 成功入選。該活動(dòng)...

2025-12-18 標(biāo)簽：MOSFET 功率芯片上海貝嶺 585 0

南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610

今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出 700V 高壓 GaN 半橋功率芯片 SC3610，可實(shí)現(xiàn)高精度電壓驅(qū)動(dòng)、更優(yōu)的通道延時(shí)匹配和更好的 ...

2025-11-28 標(biāo)簽：GaN 功率芯片南芯科技 1.8k 0

納微半導(dǎo)體宣布一系列重要人事任命

近日，納微半導(dǎo)體宣布了一系列重要人事任命，多名高管的加入將為納微注入全新動(dòng)力。

2025-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2.3k 0

功率芯片PCB嵌埋式封裝“從概念到量產(chǎn)”，如何構(gòu)建？

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率芯片嵌入式封裝：從概念到量產(chǎn)的全鏈路解析》三部曲-文字原創(chuàng)，素材來源：TMC現(xiàn)場記錄、西安...

2025-09-20 標(biāo)簽：pcb 封裝功率芯片 3k 0

功率芯片PCB內(nèi)埋式封裝：從概念到量產(chǎn)的全鏈路解析(中篇)

2025-09-06 標(biāo)簽：pcb 封裝功率芯片 1.1k 0

功率芯片PCB內(nèi)埋式封裝技術(shù) · 從概念到量產(chǎn)的全鏈路解析&quot;三部曲&quot;（匯總篇）

2025-07-26 標(biāo)簽：pcb 功率芯片 1.8k 0

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事（中篇）

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《TMC2025記錄|功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)》系列-文字原創(chuàng)，素材來源：TMC現(xiàn)場記錄、廠商官網(wǎng)-本...

2025-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料功率半導(dǎo)體功率芯片 1.7k 0

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事（上篇）

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《TMC2025觀察|功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)》系列-文字原創(chuàng)，素材來源：TMC現(xiàn)場記錄、廠商官網(wǎng)-本...

2025-06-28 標(biāo)簽：嵌入式功率半導(dǎo)體功率芯片 1.5k 0

納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證

? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...

2025-04-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 5k 0

初步了解納微雙向氮化鎵開關(guān)

似乎我們的所有設(shè)備，都只能一味地“索取”電能，但你有沒有想過，有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時(shí)，將儲(chǔ)存的電能反向輸送。

2025-04-15 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 1.1k 0

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Arduino

Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

20nm

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村田

村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽

金升陽

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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

Vicor

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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
MHL

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Bourns

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體感控制

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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
模擬芯片

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閃存技術(shù)

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閃存是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
美滿電子

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Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
Kinetis

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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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華星光電

華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
驍龍

驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

Mobileye

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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

CC2541

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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
STM32F4

STM32F4

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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
PFM

PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會(huì)對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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