引言

近日，中國汽車工業協會公示 2025 中國汽車芯片創新成果推薦名單，上海貝嶺自主研發的車規級、特高壓平面MOSFET BLQ3N120 成功入選。該活動經多方嚴格評審，從眾多產品中篩選優質芯片，BLQ3N120 的入選彰顯其技術領先性與產業適配性。

此次入選不僅是對上海貝嶺技術實力的認可，更是發展動力。未來公司將加大研發投入，推出更多創新產品，助力汽車電子產品供應豐富與提升！

產品特性

上海貝嶺推出的車規級特高壓平面硅基MOSFET BLQ3N120，采用先進的晶胞結構，可降低導通損耗、提高開關性能并增強雪崩能量，在確保車規級品質的情況下，耐壓可做到1200V。主要特點有：高擊穿電壓、低導通電阻、低閾值電壓VTH、高結溫等，填補了國內車規級、特高壓平面MOSFET市場領域的空白。

優勢特征&參數

? VDS：1200V

? ID：3A

? RDS（ON）：5Ω

? IDSS：200nA（@VDS =1200V, VGS= 0V, Tj = 25℃）

? VGS(TH)：3V ~ 5V

? Fast Switching

? Low Crss

? 100% avalanche tested

? AEC-Q101 qualified

典型應用

基于車規級、特高壓平面MOSFET BLQ3N120特性，其可應用于新能源汽車電池管理系統（BMS）的總壓檢測、絕緣檢測、粘連檢測、主驅/PTC等的輔助電源、主動泄放電子開關等。

比如，在BMS“三大檢測”（總壓檢測、絕緣檢測、粘連檢測）采樣通道通斷控制應用中，早期解決方案是干簧管或光MOS，但其成本高。而BLQ3N120因具備耐壓高、關斷漏電流小、成本低等特點，可以替換干簧管或光MOS，完全勝任BMS“三大檢測”通道通斷控制需求，而且還具有成本更低的優勢！

MOSFET BLQ3N120在BMS“三大”檢測中的應用

再比如，在主驅等反激輔助電源應用中，BLQ3N120因具備耐壓高、開關頻率高等特點，還可以用作電子開關管。

反激輔電示意框圖