面向消費電子充電器和電源適配器、工業照明電源、太陽能微逆變器

意法半導體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開關管半橋的第二代產品MasterGaN6，該功率系統級封裝（SiP）在一個封裝內集成新的BCD柵極驅動器和導通電阻（RDS(on)）僅140mΩ的高性能GaN功率晶體管。

依托意法半導體MasterGaN系列業已建立的高集成度優勢，MasterGaN6進一步擴大了產品功能，新增故障指示引腳與待機功能引腳。這些功能可以實現智能系統管理，提升節能省電效果，同時新產品還集成了低壓差線性穩壓器（LDO）和自舉二極管，在保證最優驅動性能的同時減少外圍元器件數量。

新驅動器采用快速時序設計，導通時間與傳輸延遲很短，支持高頻開關操作，幫助設計人員大幅縮小電路尺寸。此外，超快喚醒時間還提升突發模式運行性能，在輕載工況下實現最佳能效。

MasterGaN6內置全面的安全保護功能，包括交叉導通保護、熱關斷與欠壓鎖定，幫助工程師降低物料成本，縮小PCB面積，簡化電路布局。

MasterGaN6最大輸出電流10A，面向消費電子和工業應用，包括充電器、適配器、照明電源和DCAC太陽能微型逆變器。該產品的半橋配置適配多種拓撲結構，例如，有源鉗位反激（ACF）、諧振LLC、反向降壓轉換器和功率因數校正（PFC）電路。

為方便設計人員快速評估新芯片，意法半導體推出了EVLMG6評估板，并將MasterGaN6納入eDesignSuite PCB熱仿真工具的支持范圍內。

MasterGaN6現已量產，采用9mm×9mm緊湊型QFN封裝。