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英飛凌S-Cell嵌埋式PCB封裝技術(shù)方案深度解讀:6層PCB工程、熱/電邊界、輸出能力、經(jīng)濟(jì)價(jià)值、平臺(tái)導(dǎo)入

向欣電子 ? 2026-04-09 07:21 ? 次閱讀
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以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球|SysPro備注:這篇我們聚焦于英飛凌S-Cell 功率芯片PCB封裝技術(shù),把它背后的功率板邊界、PCB 工程約束、熱/電收益和技術(shù)經(jīng)濟(jì)賬做一次系統(tǒng)化拆解、盡可能講透。

核心目標(biāo):把 S-cell、6 層 PCB、低寄生換流回路、半橋功率板組織方式、整開關(guān)熱耦合結(jié)果、系統(tǒng)輸出能力和導(dǎo)入門檻放回同一張系統(tǒng)地圖里,回答這條路線到底值不值得做、什么平臺(tái)該先做、什么平臺(tái)不能,如何判定是否可上車?

  • 關(guān)于英飛凌 S-cell、SiC chip embedding、半橋功率板、低寄生電感與主逆變器導(dǎo)入策略的系統(tǒng)拆解
  • 文字原創(chuàng),素材來源:英飛凌
  • 非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載,或進(jìn)行散播
  • 本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布,詳細(xì)分布見目錄頁


導(dǎo)語

過去一段時(shí)間,我們已經(jīng)在知識(shí)星球里持續(xù)寫過不少與功率芯片嵌埋式 PCB 封裝技術(shù)相關(guān)的方案與系列解讀,包括板級(jí)功率集成、低寄生互連、功率器件冷卻界面的重構(gòu)等。這些內(nèi)容把一個(gè)大的方向逐步鋪開了:當(dāng)功率密度、開關(guān)速度和系統(tǒng)集成繼續(xù)往前推時(shí),傳統(tǒng)模塊邊界并不是永遠(yuǎn)不動(dòng)的。

今天,我們聚焦于英飛凌的S-Cell結(jié)構(gòu)的SiC 芯片嵌入式 PCB 方案。因?yàn)檫@套方案真正有價(jià)值的地方,不只是把 SiC 芯片埋進(jìn)板里,而是把原本分散在模塊、母排、驅(qū)動(dòng)接口、冷卻器和系統(tǒng)機(jī)械邊界里的若干問題,提前壓縮到一塊按系統(tǒng)任務(wù)定義的 power board 上來解決。

b2c68d22-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg圖片來源:英飛凌 / S-cell 與嵌埋式 PCB 方案示意

這篇文章我們會(huì)分成三條主線展開:

第一條是結(jié)構(gòu)主線:S-cell 為什么不是裸芯片直接進(jìn)板,而是先變成一個(gè)可測(cè)試、可復(fù)用的標(biāo)準(zhǔn)單元?

第二條是性能主線:為什么單芯片熱阻不一定天然占優(yōu),但一到整開關(guān)與熱耦合場(chǎng)景,結(jié)果反而開始逆轉(zhuǎn)?

第三條是系統(tǒng)主線:低寄生電感到底怎樣把 SiC 的高速開關(guān)能力真正兌換成輸出能力、輕載效率和平臺(tái)級(jí)設(shè)計(jì)自由度?

b2d2559e-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg圖片來源:英飛凌

正篇文章的大致展開邏輯如下:

1)這篇文章開頭,我們先把設(shè)計(jì)邊界立住;

2)再看 S-cell 與 6 層 PCB 的結(jié)構(gòu)關(guān)系;

3)然后把熱、電、半橋功率板、系統(tǒng)輸出和技術(shù)經(jīng)濟(jì)賬一層層串起來

下面,我們一起跟著這條主線,一起來聊聊:英飛凌S-Cell 功率芯片PCB封裝技術(shù),是如何沿著對(duì)象定義 - PCB 工程 - 熱邊界 - 電邊界 - 系統(tǒng)輸出 - 技術(shù)經(jīng)濟(jì) - 平臺(tái)導(dǎo)入這條鏈路,實(shí)現(xiàn)主驅(qū)逆變器技術(shù)路線的?


目錄

01 為什么說這不是一次普通封裝升級(jí)

  • 1.1 模塊邊界為什么會(huì)被改寫
  • 1.2 為什么英飛凌這套方案值得單獨(dú)拎出來講

02 S-cell 與 6 層 PCB,真正要看哪三層關(guān)系

  • 2.1 單元、棧疊與冷卻接口為什么必須一起看
  • 2.2 高壓隔離、厚銅、微孔與底部散熱其實(shí)是一套耦合設(shè)計(jì)

03 半橋功率板為什么會(huì)改寫開發(fā)組織方式

04 熱設(shè)計(jì)為什么不能只看單顆芯片熱阻

05 低寄生電感怎樣把 SiC 的速度變成系統(tǒng)收益

06 系統(tǒng)輸出與輕載效率,到底兌現(xiàn)了什么

07 技術(shù)經(jīng)濟(jì)賬該怎么算,賬面上真正貴的是什么

08 什么平臺(tái)該先導(dǎo)入,什么平臺(tái)要先把驗(yàn)證打牢

09 總結(jié):這條路線真正值得重視的地方到底是什么

注:以上完整內(nèi)容知識(shí)星球發(fā)布(點(diǎn)擊文末"閱讀原文"了解,)


公開正文 01

01 為什么這不是一次普通封裝升級(jí)

1.1 功率模塊邊界的改寫

很多人第一次看到 chip embedding,會(huì)自然把它放到“先進(jìn)封裝”這個(gè)框里理解。這個(gè)入口當(dāng)然沒有錯(cuò),但它很容易把后面真正關(guān)鍵的判斷都帶偏。因?yàn)檫@條路線如果只被理解成封裝升級(jí),我們后面就會(huì)本能地去比較尺寸、熱阻和局部結(jié)構(gòu),卻忽略了一件更本質(zhì)的事情:主逆變器里很多原本被默認(rèn)分開的對(duì)象,正在被重新組織到一塊 power board 上

b2ebb2fa-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg圖片來源:SysPro(示意)

換句話說,傳統(tǒng)主驅(qū)逆變器更多是“模塊 + 母排 + 驅(qū)動(dòng)板 + 冷卻器 + 機(jī)械支撐”幾個(gè)對(duì)象之間做協(xié)同;而在嵌埋式 PCB 路線里,器件、板級(jí)走線、局部直流鏈路、相點(diǎn)組織、冷卻界面部分接口定義會(huì)明顯更早地收斂。一旦對(duì)象的顆粒度變了,開發(fā)組織方式就會(huì)跟著變。這也是為什么我之前強(qiáng)調(diào):這不是模塊替換件的思路,而是一次邊界重排。

b2f75204-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.png圖片來源:SysPro(示意)

站在系統(tǒng)工程角度,這一章回答的是:我們到底在評(píng)審什么?

如果評(píng)審對(duì)象還是一個(gè)傳統(tǒng)模塊,那我們優(yōu)先問的是:模塊成熟不成熟?但如果評(píng)審對(duì)象已經(jīng)變成一塊面向系統(tǒng)任務(wù)定義的功率板,那我們首先要問的,就會(huì)變成:接口如何收斂、電熱路徑如何組織、以及驗(yàn)證邊界是否已經(jīng)重新定義?

所以,今天看這條路線,重點(diǎn)不是“有沒有把芯片埋進(jìn)去”,而是:有沒有借此把系統(tǒng)邊界收斂得更好如果答案是肯定的,那它就不是一個(gè)局部?jī)?yōu)化,而是主逆變器對(duì)象定義方式正在變化信號(hào)

|SysPro備注:這里更適合帶著“邊界是不是被重寫了”去看,而不是只盯著封裝工藝四個(gè)字。如下面這張圖,是 "S-cell - 嵌埋式 PCB - 系統(tǒng)連接 - 冷卻界面"已經(jīng)被放到一條連續(xù)鏈路里。也就是說,它一開始就不是一個(gè)孤立元件,而是朝著系統(tǒng)對(duì)象在組織。b3097e48-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg圖片來源:英飛凌 / S-cell 與嵌埋式 PCB 方案示意

1.2為什么英飛凌這套方案值得單獨(dú)拎出來講

我們之前在知識(shí)星球持續(xù)寫過不少關(guān)于PCB 封裝方案,一直關(guān)注我們的讀者對(duì)這個(gè)方向并不陌生。今天,我不計(jì)劃把這個(gè)方向從頭介紹一遍,而是把鏡頭明確聚焦于:英飛凌基于 S-cell 的嵌埋式 PCB 路線上。

為什么值得單獨(dú)拎出來講?

因?yàn)檫@套方案:并不是裸芯片直接進(jìn)板,而是先把高壓 SiC 做成標(biāo)準(zhǔn)化、可測(cè)試、可復(fù)用的 S-cell;再進(jìn)一步地把標(biāo)準(zhǔn)單元、板級(jí)互連、底部散熱、半橋功率板系統(tǒng)輸出能力串成了一條線。

一句話概括:它在裸芯片和系統(tǒng)功率板之間,主動(dòng)插入了一層更適合平臺(tái)化組織的中間顆粒度。

這一步的系統(tǒng)意義很大。因?yàn)橐坏?biāo)準(zhǔn)單元先成立,后面的并聯(lián)擴(kuò)展、板型復(fù)用、良率前移驗(yàn)證分層就都有了抓手,這是一條真正具備系統(tǒng)工程全局思維的技術(shù)路線。

b30ffcbe-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg圖片來源:SysPro(示意)


公開正文 02

02 S-cell 與 6 層 PCB,真正要看哪三層關(guān)系

01中我們先把邊界問題先做了澄清。搞明白了問題是什么,后續(xù)我們才能從逆變器整個(gè)系統(tǒng)的視角,去看待這其中關(guān)于熱、電和系統(tǒng)收益的判斷

英飛凌給出的這條路線真正重要的起點(diǎn)是:先把高壓 SiC 做成標(biāo)準(zhǔn)化、可測(cè)試的 S-cell再由 PCB 工藝把這些單元組織成半橋功率板。

b31bf74e-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg圖片來源:英飛凌

首先,從結(jié)構(gòu)上看:S-cell 是11 mm × 11 mm、厚約 1.27 mm的標(biāo)準(zhǔn)高壓?jiǎn)卧鴥?nèi)部對(duì)應(yīng)的是約5 mm × 5 mm的 SiC 芯片厚銅頂部結(jié)構(gòu)擴(kuò)散焊等關(guān)鍵層。

上面我們也提過,這個(gè)動(dòng)作的工程意義在于:先做成標(biāo)準(zhǔn)單元,就意味著良率篩選、前置測(cè)試、后續(xù)復(fù)用和并聯(lián)擴(kuò)展,都不必等到整塊功率板做完才知道結(jié)果。

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圖片來源:英飛凌 / S-cell 與 6 層 PCB 剖面示意

下面看板子。

從剖面示意能看出來,這種 6 層 PCB 不是普通邏輯板的思路,而是一種典型的功率板棧疊:1)頂部厚銅要為微孔和大電流路徑服務(wù),2)中間絕緣層要承擔(dān)高壓隔離,3)底部銅和冷卻器之間的界面要承擔(dān)主熱流輸出

b3333a9e-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg圖片來源:SysPro(示意)

這里面,我們更應(yīng)該重點(diǎn)看三層關(guān)系:

第一層是單元層,也就是 S-cell 自身是否已經(jīng)把高壓?jiǎn)卧獦?biāo)準(zhǔn)化;

第二層是棧疊層,激光微孔、厚銅、絕緣層和底部銅板怎樣構(gòu)成安全可靠的主電流與主熱流通道;

第三層是接口層,也就是它如何與冷卻器、母排、門極驅(qū)動(dòng)和測(cè)溫點(diǎn)對(duì)接。

只有把這三層一起看,后面的熱和電結(jié)果才有意義。

SysPro備注:上面6 層 PCB 剖面示意圖,也能看出,SiC內(nèi)嵌PCB的封裝方案不是“板更復(fù)雜了”,而是“板本身已經(jīng)開始承擔(dān)封裝體的角色”。b33e2b84-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.png圖片來源:SysPro(示意)


2.1 單元、棧疊與冷卻接口為什么必須一起看

如果只看S-cell單元,我們能看到的是前置可測(cè)、可并聯(lián)、可復(fù)用;如果只看 PCB,我們能看到的是激光微孔、厚銅和絕緣層設(shè)計(jì);但真正決定方案能不能成立的是:S-cell 與 PCB 棧疊、以及 PCB 與冷卻器接口能不能同時(shí)成立

這背后的原因是兩點(diǎn):

1)主熱流,最終不是停在板里,而是要盡快穿過底部界面進(jìn)入冷卻器;

2)主電流,也不是只在單元里閉合,而是要通過板內(nèi)結(jié)構(gòu)、母排連接和換流回路完成系統(tǒng)任務(wù)。

b3546a84-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.png圖片來源:SysPro(示意)SysPro備注:以后再看類似路線時(shí),一定要把“板級(jí)棧疊圖”和“系統(tǒng)接口圖”放在同一頁上看。只看其中任何一張,都會(huì)容易把真正決定成敗的那層關(guān)系漏掉


2.2 高壓隔離、厚銅、微孔與底部散熱其實(shí)是一套耦合設(shè)計(jì)

...

到這里為止,公開節(jié)選先把兩件事講清楚:

第一,這不是局部封裝升級(jí),而是對(duì)象邊界被改寫;

第二,S-cell、6 層 PCB 與冷卻接口必須一起看。

后面的 03–08 章,我們會(huì)把熱、電、系統(tǒng)輸出、技術(shù)經(jīng)濟(jì)和平臺(tái)導(dǎo)入繼續(xù)展開。

b362ac2a-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg

圖片來源:英飛凌



以下內(nèi)容在知識(shí)星球中發(fā)布

完整版導(dǎo)航

后面的第 03–09 章,在知識(shí)星球完整版繼續(xù)展開

以上01~02章節(jié)為全文節(jié)選。后面的完整版,會(huì)繼續(xù)把半橋功率板組織方式、熱耦合結(jié)果、低寄生電感、系統(tǒng)輸出、技術(shù)經(jīng)濟(jì)賬與導(dǎo)入路徑層層展開。

  • 03 半橋功率板為什么會(huì)改寫開發(fā)組織方式
  • 04 熱設(shè)計(jì)為什么不能只看單顆芯片熱阻(熱邊界、熱耦合)
  • 05 低寄生電感怎樣把 SiC 的速度變成系統(tǒng)收益
  • 06 系統(tǒng)輸出能力與輕載效率,到底兌現(xiàn)了什么
  • 07–09PCB封裝技術(shù)的經(jīng)濟(jì)賬、導(dǎo)入策略與結(jié)論建議


完整版章節(jié)概覽

公開節(jié)選|主線

  • 01 為什么說這不是一次普通封裝升級(jí)
  • 02 S-cell 與 6 層 PCB,真正要看哪三層關(guān)系

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03 半橋功率板為什么會(huì)改寫開發(fā)組織方式

  • 3.1 六并聯(lián)意味著對(duì)象已經(jīng)按系統(tǒng)需求伸縮
  • 3.2 接口內(nèi)生化之后,模塊、母排與驅(qū)動(dòng)板的邊界會(huì)怎樣變化

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04 熱設(shè)計(jì)為什么不能只看單顆芯片熱阻

  • 4.1 單顆不一定占優(yōu),為什么整開關(guān)反而開始領(lǐng)先
  • 4.2 真正需要盯住的是熱耦合,而不是孤立數(shù)字

b3895172-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg

05–06 低寄生電感、系統(tǒng)輸出與輕載效率

  • 5.1/5.2 看 Rgon、Rgoff 與 Esw 怎么把器件速度變成系統(tǒng)收益
  • 6.1/6.2 看輸出能力和輕載效率到底兌現(xiàn)了什么

b39519c6-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg

07–08 技術(shù)經(jīng)濟(jì)賬與導(dǎo)入路徑

  • 7.1/7.2 不能只看單板價(jià)格,還要把開發(fā)節(jié)拍、驗(yàn)證投入和組織成本算進(jìn)去
  • 8.1/8.2 更適合優(yōu)先導(dǎo)入的平臺(tái),以及更穩(wěn)妥的三層驗(yàn)證推進(jìn)方式

b3a4e8e2-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg

09 總結(jié):這條路線真正值得重視的地方到底是什么

  • 9.1/9.2 為什么這條路線最值得重視的,是重新獲得定義系統(tǒng)邊界的自由

b3aefa4e-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg如何進(jìn)入知識(shí)星球查看完整版

繼續(xù)查看第 03–09 章

這篇節(jié)選已經(jīng)把前兩章公開出來。后面的完整版,建議按“功率板對(duì)象 → 熱邊界 → 電邊界 → 輸出邊界 → 技術(shù)經(jīng)濟(jì) → 導(dǎo)入路徑”的順序繼續(xù)讀。

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優(yōu)先繼續(xù)閱讀第 03–10 章重點(diǎn)看熱耦合、低寄生電感、系統(tǒng)輸出和導(dǎo)入策略章節(jié)。

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英飛凌S-cell / 嵌埋式PCB / chip embedding / 低寄生電感 / 半橋功率板 / 主逆變器b3bb245e-33a1-11f1-ab55-92fbcf53809c.png加入星球

這篇完整內(nèi)容發(fā)布在「SysPro電力電子技術(shù)」

系統(tǒng)級(jí)專題深拆:把器件、功率板、熱、電和平臺(tái)導(dǎo)入放在同一條主線上講透。

完整版繼續(xù)展開:半橋板、熱耦合、電性能、系統(tǒng)輸出、技術(shù)經(jīng)濟(jì)賬與導(dǎo)入策略。

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以上《英飛凌S-cell嵌埋式PCB封裝技術(shù)方案深度解讀》系列 · 節(jié)選,完整版解讀、相關(guān)產(chǎn)品方案信息、技術(shù)報(bào)告、原創(chuàng)解讀、前瞻記錄等內(nèi)容會(huì)「SysPro 電力電子技術(shù)」知識(shí)星球<嵌入式PCB與先進(jìn)封裝專欄>發(fā)布,歡迎進(jìn)一步查閱、學(xué)習(xí),希望有所幫助!

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    功率芯片<b class='flag-5'>PCB</b><b class='flag-5'>嵌</b><b class='flag-5'>埋</b><b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>封裝</b>“從概念到量產(chǎn)”,如何構(gòu)建?

    PCIM2025論文摘要 | 基于英飛凌S-cell產(chǎn)品的嵌入PCB方案在主驅(qū)逆變器應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)分析與研究

    完整版內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要本文介紹了一種基于英飛凌S-cell產(chǎn)品(1.2kV/SiC)的嵌入
    的頭像 發(fā)表于 09-02 18:42 ?3815次閱讀
    PCIM2025論文摘要 | 基于<b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>S-cell</b>產(chǎn)品的嵌入<b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>PCB</b><b class='flag-5'>方案</b>在主驅(qū)逆變器應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)分析與研究

    多層PCB盲孔與孔工藝詳解

    多層PCB盲孔與孔工藝詳解 一、基本定義與區(qū)別 盲孔(Blind Via)? 僅連接PCB表層(TOP/BOTTOM)與相鄰內(nèi)層,不貫穿整個(gè)板子,例如8板中連接L1-L3
    的頭像 發(fā)表于 08-29 11:30 ?2014次閱讀

    技術(shù)PCB多層板中的應(yīng)用案例

    孔是PCB多層板中一種重要的高密度互連(HDI)技術(shù),其特點(diǎn)是完全位于電路板內(nèi)部之間,不與頂層或底層相連,從外部無法直接觀察到 。由于其不占用表面空間,
    的頭像 發(fā)表于 08-13 11:53 ?1648次閱讀
    <b class='flag-5'>埋</b>孔<b class='flag-5'>技術(shù)</b>在<b class='flag-5'>PCB</b>多層板中的應(yīng)用案例

    Si、SiC與GaN,誰更適合上場(chǎng)?| GaN芯片PCB封裝技術(shù)解析

    以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率GaN芯片PCB封裝技術(shù)全維解
    的頭像 發(fā)表于 08-07 06:53 ?2137次閱讀
    Si、SiC與GaN,誰更適合上場(chǎng)?| GaN芯片<b class='flag-5'>PCB</b><b class='flag-5'>嵌</b><b class='flag-5'>埋</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    毫米之間定成敗:PCB背鉆深度設(shè)計(jì)與生產(chǎn)如何精準(zhǔn)把控

    中需標(biāo)注背鉆的 “目標(biāo)深度” 和 “允許誤差”(通常要求 ±0.05mm,高頻板需 ±0.025mm)。 工程輸出時(shí)一定要最后輸出背鉆鉆帶,防止因修改資料,導(dǎo)致背鉆通過
    發(fā)表于 07-28 14:20

    PCB設(shè)計(jì)避坑指南

    至目標(biāo)厚度 設(shè)計(jì)完成關(guān)鍵步驟:用工具驗(yàn)證疊設(shè)計(jì)完成后,如何驗(yàn)證?傳統(tǒng)方法依賴工程師經(jīng)驗(yàn),現(xiàn)在 華秋DFM軟件提供了一站解決方案
    發(fā)表于 06-24 20:09

    Simcenter FLOEFD EDA Bridge模塊:使用導(dǎo)入的詳細(xì)PCB設(shè)計(jì)和IC特性來簡(jiǎn)化分析

    優(yōu)勢(shì)使用導(dǎo)入的詳細(xì)PCB設(shè)計(jì)和集成電路特性進(jìn)行分析,省時(shí)省力將詳細(xì)的PCB數(shù)據(jù)快速導(dǎo)入SimcenterFLOEFD通過更詳細(xì)的電子設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:36 ?1959次閱讀
    Simcenter FLOEFD EDA Bridge模塊:使用<b class='flag-5'>導(dǎo)入</b>的詳細(xì)<b class='flag-5'>PCB</b>設(shè)計(jì)和IC<b class='flag-5'>熱</b>特性來簡(jiǎn)化<b class='flag-5'>熱</b>分析

    2025上海車展,那些芯片內(nèi)嵌PCB封裝技術(shù)方案

    -關(guān)于2025上海車展·全球6家芯片內(nèi)嵌PCB技術(shù)方案解讀-文字原創(chuàng),素材來源:2025上海車
    的頭像 發(fā)表于 05-30 06:33 ?4134次閱讀
    2025上海車展,那些芯片內(nèi)嵌<b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>PCB</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>方案</b>

    PCB表面處理丨沉錫工藝深度解讀

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    發(fā)表于 05-28 10:57