封裝設計中的熱性能考量

國際半導體設備與材料協會標準 SEMI G38-0996 和固態技術協會 JEDECJESD51 標準中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示，其中T3...

2023-05-16 標簽：芯片封裝TSV 1.9k 0

應用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術

直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關鍵推動者，可提高封裝密度和器件性能。要實現3DIC對下一代器件的優勢，TSV縮放至關重要。

2022-04-12 標簽：晶圓清洗TSV 1.8k 0

TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化技術

本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術的核心環節，主要應用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流...

2025-08-12 標簽：硅晶圓集成技術TSV 1.8k 0

基于TSV的減薄技術解析

在半導體三維集成（3D IC）技術中，硅通孔（TSV）是實現芯片垂直堆疊的核心，但受深寬比限制，傳統厚硅片（700-800μm）難以制造直徑更小（5-2...

2025-07-29 標簽：芯片工藝硅片 1.7k 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的應用和優勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成T...

2023-07-25 標簽：存儲器TSV3d nand 1.7k 0

硅通孔(TVS)技術相關知識 絕緣層在先進封裝中的應用

硅通孔(TVS)技術相關知識

2023-11-20 標簽：集成電路TSV硅通孔 1.6k 0

全球封裝技術向先進封裝邁進的轉變

先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商，市場格局較為集中，前6 大廠商份額合計超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標簽：芯片摩爾定律封裝技術 1.6k 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（上）

華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內的消費產品相關設備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進封裝。 TSV 處理的各...

2022-07-19 標簽：封裝光刻TSV 1.3k 0

構建適用于三維集成系統的互連線長分布模型

在三維集成電路設計中，TSV技術通過垂直互連顯著優化了互連線長分布特性。基于倫特定律的經典分析框架，可構建適用于三維集成系統的互連線長分布模型。

2025-08-21 標簽：集成電路模型TSV 1.1k 0

銅在微機電系統中的應用

在 MEMS（微機電系統）中，銅（Cu）因優異的電學、熱學和機械性能，成為一種重要的金屬材料，廣泛應用于電極、互連、結構層等關鍵部件。

2025-08-12 標簽：mems微機電系統TSV 1.1k 0

封裝設計中的熱性能考量

國際半導體設備與材料協會標準 SEMI G38-0996 和固態技術協會 JEDECJESD51 標準中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示，其中T3...

2023-05-16 標簽：集成電路TSV 1.1k 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（下）

本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學計量可重復性，然后將該光學配準數據與最終的電氣配準數據進行比較，來仔細檢查圖像放置性能。

2022-07-19 標簽：封裝光刻TSV 1.1k 0

TSV和TGV產品在切割上的不同難點

技術區別TSV硅通孔（ThroughSiliconVia），指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結構。硅中介層有TSV的集成是最常見的一種2...

2025-10-11 標簽：芯片TSV 936 0

簡單認識3D SOI集成電路技術

在半導體技術邁向“后摩爾時代”的進程中，3D集成電路（3D IC）憑借垂直堆疊架構突破平面縮放限制，成為提升性能與功能密度的核心路徑。

2025-12-26 標簽：集成電路半導體TSV 608 0