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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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智能混合信號(hào)無(wú)橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)
評(píng)估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦。快速支路開(kāi)關(guān)采用GaN HEMT,交流電同步整流器采用Si-MOSFET,在整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)...
IGBT和SiC電源開(kāi)關(guān)知識(shí)科普
IGBT 和 SiC 電源開(kāi)關(guān)有哪些市場(chǎng)和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功 率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進(jìn),大功率應(yīng) 用的...
2022-03-18 標(biāo)簽:IGBT電源開(kāi)關(guān)SiC 9k 0
隨著碳達(dá)峰,碳中和的提出,新能源相關(guān)的產(chǎn)業(yè)可以說(shuō)是得到了飛速的發(fā)展,包括風(fēng)光儲(chǔ)以及馬路上每天看得見(jiàn)的新能源汽車(chē)。
2023-09-12 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)散熱器SiC 8.9k 0
Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹
功率電子器件在電力存儲(chǔ),電力輸送,電動(dòng)汽車(chē),電力機(jī)車(chē)等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
2023-04-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiCDBC 8.9k 0
SiC MOSFET模塊串?dāng)_問(wèn)題及應(yīng)用對(duì)策
針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的串?dāng)_問(wèn)題,文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比,有效減小測(cè)量誤差;然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵...
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱(chēng)外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特...
SiC功率器件是怎樣進(jìn)行封裝的?有什么要點(diǎn)?
使用三種無(wú)鉛焊料系統(tǒng):Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實(shí)現(xiàn)了無(wú)孔隙焊點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)看到,焊點(diǎn)厚度在熱退火之前和之后...
消費(fèi)者、各行業(yè)及政府都在采取各項(xiàng)措施以增加對(duì)可再生能源的利用,這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的,支持本地發(fā)電的拓?fù)洌⑼ㄟ^(guò)...
2020-12-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)太陽(yáng)能光伏SiC 8.7k 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護(hù)—軟關(guān)斷
想象一個(gè)場(chǎng)景:一輛高端新能源車(chē)行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量
寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān):緩慢的開(kāi)關(guān)沿可減少過(guò)沖和EMI
在寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的新時(shí)代,器件類(lèi)型的選擇包括具有自己的特性并聲稱(chēng)具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開(kāi)關(guān)...
在電動(dòng)汽車(chē)的逆變器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代傳統(tǒng)的硅基逆變器時(shí),SiC 解決方案將帶來(lái)約 5-10% 的效率提升。
2023-07-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET逆變器 8.3k 0
SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)高頻大功率變換——固態(tài)變壓器應(yīng)用案例剖析
在傳統(tǒng)的配電網(wǎng)結(jié)構(gòu)中,工頻變壓器是實(shí)現(xiàn)電能分配和電壓等級(jí)變換的主要電氣設(shè)備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組,常采用油浸式或者干式,具有可靠性高,效...
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來(lái)了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車(chē)充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
SiC和GaN功率半導(dǎo)體在混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)的主傳動(dòng)系逆變器中的應(yīng)用
SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管(晶體管、開(kāi)關(guān)管)。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來(lái)體積...
2018-06-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體SiC 7.8k 0
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