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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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外延層的摻雜濃度對SiC功率器件的重要性

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1月31日，三菱電機株式會社宣布已成功開發出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導體模塊，該模塊采用單芯片構造和新封裝，實現了世界最高功率密度的額定輸出功率。

2018-02-03 標簽：三菱電機 sic 功率模塊 1.0萬 0

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SiC MOSFET驅動電壓尖峰的抑制方法簡析（下）

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本文介紹了適用于工業電源應用的各種電源轉換器拓撲結構，以及設計人員在選擇拓撲結構及其相關組件之前必須考慮的因素。在此過程中，它介紹了 ROHM 半導體的...

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