上次我們討論了功率器件的短路保護（過流保護）最常見方法：退飽和檢測，這次繼續

想象一個場景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉化為交流電送到電機的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關我開，你開我關，突然在某一個時刻，下管好端端的開著，上管莫名其妙的開了，結果就是電流直接從電池正極通過上管，然后直接流過下管，流到負極，此時電流可能從一開始的幾十A迅速上升到幾千A，同時母線電壓也加到了MOSFET上，功率模塊發生了短路（硬開關短路故障）

如圖，可以看到，紅色線表示的電流在0.5us內就沖到了3000A以上，而此時VDS根本沒有降下來，也就是說器件壓根就沒進入飽和區就直接退出了，此時的高壓*大電流，功率極高，芯片內部溫度急劇升高，幾個微秒之內可能就升到了300℃以上。

一旦芯片的溫度超過芯片材料的本征區，芯片就會因過熱而失效（燒毀），因此，需要在芯片達到溫度極限前迅速把電流降下來，關掉器件。

前面我們提到了怎么檢測出這個異常狀態，今天我們討論這個時間關系。

依然是這張圖，器件開啟后，在內部前沿消影時間TDESAT leb內，是不檢測的，然后采樣電容Cblank在經過Blanking time充電后，到達那個設置的DESAT點（圖中是9V），此時比較器電平反轉，此時有一個濾波時間TDESAT filter，然后關斷指令傳遞到柵極，這個是邏輯和驅動的動作延時時間T delay，此時柵極才關斷。從發現故障到柵極開始真正關斷的反應時間被稱為TDESAT OUT。一般反應時間有100多ns以上。

好的，現在故障發現了，關管的指令也下達了，是不是意味著此時萬事大吉了呢？還不行，還要考慮一種情況，那就是關斷電流很大，快速關管的過程中，超高的di/dt結合回路雜散電感，會在DS兩端形成一個非常高的電壓峰值，一旦這個電壓尖峰大于芯片的耐壓極限，那么芯片也會因為電場強度太高而被擊穿！（下圖Vcepeak高了母線電壓312V）

為了避免這種情況，不知道哪個大神發明了一種辦法，不就是di/dt太高嘛，那我想辦法把di/dt降一點好了，讓電流先降下來，然后再快速關斷，于是，軟關斷技術誕生了。

很多軟關斷本質上是二極關斷，也就是先把控制開關的柵極電壓降一部分（不直接降到0以下），把電流降下來，同時穩住VDS不上升，等電流降得差不多了，再一把關掉，此時，因為電流小了很多，因此di/dt也大不到哪里去，于是VDS的尖峰也高不到哪里去

從這兩張圖就可以看得非常明顯，在0時刻發生短路，1us后DESAT腳電壓超過比較電壓發現故障，大約在1.5us時刻，柵極接收到信號進行關斷動作，但是柵極并不是直接把柵壓降到0或負值，而是先降到大概9V左右，維持一段時間（稱為保持時間TTLSET），大概到了3us的時刻，電流此時已經降下來了，柵壓迅速從此時的9V降到-4V，此時為3.5us，也就說，第一段關斷，大約花了1.5us，而第二段關斷，只花了0.5us，通過這種分級關斷的方式，最大程度地降低了VDS兩端的電壓尖峰，從而保證了器件的安全關斷。