完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
文章:3310個 瀏覽:262956次 帖子:485個
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)憑借著在高壓、高頻、高溫環(huán)境下的卓越性能,SiC MOSFET正在重塑儲能變流器(PCS)的技術(shù)格局,成為提升系統(tǒng)效率、功...
艾德克斯IT8915-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)測試(電動車集電極IGBT模塊)
深圳市科瑞杰科技有限公司--電動車用IGBT模塊常用的典型型號為650V、550A的模塊,其測試項目,主要包括額定值測試、特性測試、耐久性及可靠性測試等...
近日,工信部公示2025年國家級綠色工廠、綠色工業(yè)園區(qū)名單,宏微科技成功獲評“國家級綠色工廠”。
華大半導(dǎo)體入選2024年版中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄
近日,國務(wù)院國資委正式印發(fā)《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄(2024年版)》(以下簡稱《目錄》),旨在加快中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果應(yīng)用推廣,促進成果轉(zhuǎn)化落地。...
2026-02-25 標簽:mcuIGBT華大半導(dǎo)體 236 0
上海貝嶺IGBT芯片BLG80T65FDK7-F實現(xiàn)批量交付
近日,上海貝嶺IGBT芯片BLG80T65FDK7-F在頭部客戶40KW與60KW電源模塊等項目中成功實現(xiàn)批量交付,為充電樁的高效、可靠運行注入強勁“芯”動力。
英飛凌最新IGBT賦能奇瑞鯤鵬系列混動車型的底層技術(shù)揭秘
本篇為知識星球節(jié)選,完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布-1200+最新電動汽車前瞻技術(shù)報告與解析已上傳知識星球,歡迎學(xué)習(xí)交流導(dǎo)語:在上一篇文章中,我們對英飛...
國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面替代進口IGBT模塊的戰(zhàn)略價值
傾佳楊茜-追夢赤子心:國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面替代進口IGBT模塊的戰(zhàn)略價值與前沿應(yīng)用解析 在全球能源結(jié)構(gòu)向分布式、清潔化、低碳化轉(zhuǎn)型的宏大歷史背景...
SST固態(tài)變壓器級聯(lián)架構(gòu)下分布式直流母線電壓均壓問題的對策
在固態(tài)變壓器(Solid State Transformer, SST)的級聯(lián)架構(gòu)中(通常為級聯(lián)H橋 CHB + 雙有源橋 DAB 構(gòu)成的 輸入串聯(lián)輸出...
2026-02-24 標簽:MOSFETIGBT固態(tài)變壓器 393 0
SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析
工業(yè)功率半導(dǎo)體技術(shù)變革研究報告:SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC S...
2026-02-16 標簽:IGBTSiC MOSFET 143 0
第七代IGBT單管BLG80T65FDK7-F充電樁頭部客戶認可,實現(xiàn)批量交付
近日,上海貝嶺IGBT芯片BLG80T65FDK7-F在頭部客戶40KW與60KW電源模塊等項目中成功實現(xiàn)批量交付,為充電樁的高效、可靠運行注入強勁“芯”動力。
新品 | TRENCHSTOP? IGBT 7 H7 750V分立器件
新品TRENCHSTOPIGBT7H7750V分立器件TRENCHSTOPIGBT7H7750V硬開關(guān)型分立器件,是650V版本的升級產(chǎn)品,專為滿足綠色...
國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口英飛凌IGBT模塊FF300R12KS4的研究報告
國產(chǎn)SiC模塊BMF240R12KHB3全面取代進口英飛凌IGBT模塊FF300R12KS4的研究報告:技術(shù)優(yōu)勢、商業(yè)價值與高頻電源應(yīng)用分析 BASiC...
解決SiC模塊取代IGBT模塊的最后痛點:基于2LTO驅(qū)動技術(shù)的SiC模塊短路耐受時間延展
攻克SiC模塊取代IGBT模塊的最后壁壘:基于2LTO驅(qū)動技術(shù)的SiC模塊短路耐受時間延展研究報告 ——以BASiC BMF540R12MZA3與2LT...
2026-02-03 標簽:IGBTSiC驅(qū)動技術(shù) 380 0
新品 | 采用6500V IGBT 4溝槽柵場截止技術(shù)的IHV-A模塊
新品采用6500VIGBT4溝槽柵場截止技術(shù)的IHV-A模塊IHV系列6500V/675A/130mmIGBT模塊,應(yīng)用了IGBT4溝槽柵場截止技術(shù),是...
IGBT死區(qū)時間設(shè)定指南:死區(qū)計算方法、對逆變器的影響、死區(qū)優(yōu)化策略 v2.0
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于IGBT死區(qū)時間的定義和應(yīng)用解讀-文字原創(chuàng),素材來源:Infineon等廠商-在保證原文內(nèi)容邏輯...
羅姆車載應(yīng)用端的低壓MOSFET和高壓IGBT研討會亮點回顧
2026年1月21日,“車載應(yīng)用端的低壓MOSFET和高壓IGBT”在線研討會得到了大家的支持,再次謝謝大家的熱情參與!錯過本次直播的小伙伴,可以點擊下...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT模塊是當之無愧的“功率核心”,從儲能PCS、變頻器到新能源汽車電控,其穩(wěn)定運行直接決定整套系統(tǒng)的可靠性。而散熱設(shè)計,正是守護IG...
上海貝嶺批量交付車規(guī)級發(fā)動機點火IGBT專用柵極驅(qū)動芯片SAQ3100
聚焦汽車電子核心技術(shù)突破!上海貝嶺開始批量交付車規(guī)級發(fā)動機點火IGBT專用柵極驅(qū)動芯片SAQ3100,為汽油燃油發(fā)動機動力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行再添關(guān)鍵芯片保障!
國產(chǎn)SiC模塊替代進口IGBT模塊在磁懸浮中央空調(diào)變頻器的技術(shù)先進性和商業(yè)價值
國產(chǎn)SiC模塊BMF540R12MZA3替代進口IGBT模塊2MBI800XNE-120在磁懸浮中央空調(diào)變頻器的技術(shù)先進性和商業(yè)價值 BASiC Sem...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |