精彩回顧

2026年1月21日，“車載應用端的低壓MOSFET和高壓IGBT”在線研討會得到了大家的支持，再次謝謝大家的熱情參與！錯過本次直播的小伙伴，可以點擊下方查看回放。

1相關產品頁面

·安裝可靠性高的10種型號、3種封裝的車載Nch MOSFET

·實現業界超低損耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

·MOSFET產品列表

·IGBT產品列表

2相關產品頁面

面向車載應用的產品目錄

晶體管的種類和特征

羅姆功率半導體產品概要

除此以外，羅姆君選取了研討會中一些有代表性的提問在這里與大家分享，供大家回顧。

Q

羅姆低壓MOSFET/碳化硅產品優勢

A

低壓MOSFET車規級認證齊全，采用溝槽柵極結構，實現超低導通電阻，減少功率損耗，采用新一代制造工藝與高性能封裝技術，在性能上實現了關鍵突破，具備高電流承載能力與卓越的散熱特性，能夠充分滿足各類高端應用場景對穩定性和可靠性的嚴苛要求。SiC器件全產業鏈垂直整合，第四代溝槽柵結構，在導通電阻，開關損耗方面領先行業。

Q

車規高壓IGBT寬溫域參數漂移抑制方案

A

從芯片設計源頭降低參數的溫度敏感性，提升穩定性。

使用AMB襯底，銅夾片，雙面散熱等封裝技術，降低熱阻和熱應力，保證芯片在寬溫域下工作環境溫和均勻。

在驅動設計上增加主動抑制手段，通過外部電路實施“校正”參數漂移，確保系統行為一致。

Q

車規高壓IGBT保護響應速度與車載安全規范適配

A

器件本身具備高短路耐受能力，搭配DESAT+電流采樣雙快速檢測、分級關斷策略，過溫保護設三級機制且內置快響溫感；響應時間滿足ISO 26262/6469標準，配合冗余設計、整車系統協同，實現故障快速處置與多層安全防護。

Q

羅姆車規封裝認證與可潤濕側翼可靠性

A

全系列通過AEC-Q101、IATF 16949等核心車規認證；可潤濕側翼封裝采用獨有電鍍工藝，高低溫循環、振動、熱沖擊等嚴苛測試中，參數變化小、零失效或低損耗，還支持AOI檢測，提升焊接合格率與機械穩定性。

Q

RGP系列替換競品點火IGBT系統級驗證要點

A

首先確認點火能量和波形，雪崩能量耐受是最重要的參數之一。

其次確認極端工況結溫，進行耐久性測試等可靠性驗證。

同樣還要兼顧EMC測試，系統安全與診斷驗證。

Q

羅姆封裝技術獨特優勢

A

羅姆的封裝技術核心圍繞“高散熱、高密度、高可靠”三大目標，尤其針對汽車和工業等嚴苛應用。采用雙面散熱封裝技術，內部結構優化和材料創新，提高焊接工藝等完美滿足AEC-Q101標準，并優化封裝內部布局和引腳設計，有效降低柵極和源極寄生電感。