近日，上海貝嶺IGBT芯片BLG80T65FDK7-F在頭部客戶40KW與60KW電源模塊等項(xiàng)目中成功實(shí)現(xiàn)批量交付，為充電樁的高效、可靠運(yùn)行注入強(qiáng)勁“芯”動(dòng)力。

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，市場對高效率、高功率快充基礎(chǔ)設(shè)施的需求日益增強(qiáng)。充電樁核心部件——電源模塊，正面臨能量轉(zhuǎn)換效率、小型化集成與散熱性能等方面的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，這也驅(qū)動(dòng)著相關(guān)技術(shù)的持續(xù)迭代與創(chuàng)新升級。

從輸入輸出類型來看，電源模塊主要包括AC-DC（交流轉(zhuǎn)直流）與DC-DC（直流轉(zhuǎn)直流）兩大類。在AC-DC功率整流端，上海貝嶺推出的第七代溝槽場截止（T-FS）IGBT——BLG80T65FDK7-F，具備較高開關(guān)頻率，并以較低的Vce(sat)與開關(guān)損耗有效降低系統(tǒng)充電損耗，顯著提升整體充電效率。該產(chǎn)品外觀如圖1所示。

圖1 BLG80T65FDK7-F產(chǎn)品外觀圖

產(chǎn)品型號：BLG80T65FDK7-F

主要參數(shù)：VCES為650V

IC為80A

VCE(sat).typ為1.6V

工藝類型：第七代溝槽場截止（T-FS）

封裝信息：TO247

應(yīng)用領(lǐng)域：充電樁電源模塊、光伏逆變、儲能

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.開關(guān)性能優(yōu)化，支持高開關(guān)頻率，具備低柵極電荷（Qg）與低開關(guān)損耗；

2.低飽和壓降VCE(sat)，有效降低導(dǎo)通損耗；

3.漏電流小，有助于提升系統(tǒng)能效與運(yùn)行穩(wěn)定性。

低開關(guān)損耗優(yōu)勢明顯

圖2 IGBT開關(guān)損耗對比

如圖2所示，在25℃和 175℃條件下，我司 BLG80T65FDK7 產(chǎn)品 Eon、Eoff、Ets均優(yōu)于競品 H5系列；

低飽和壓降VCE(sat)，有效降低導(dǎo)通損耗

圖3 IGBT飽和壓降VCE(sat)對比

如圖3所示，在25 ℃和 175 ℃條件下，我司 BLG80T65FDK7 的 VCE(sat) 均優(yōu)于競品 H5系列；

低漏電流Ices，高溫表現(xiàn)更穩(wěn)

圖4 IGBT漏電流Ices對比

如圖4所示，在常溫25℃條件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲線與競品一致；在高溫175℃條件下，其漏電流遠(yuǎn)低于競品。

為客戶電源模塊設(shè)計(jì)提供一站式選型服務(wù)

上海貝嶺基于積塔半導(dǎo)體最新工藝平臺為客戶設(shè)計(jì)選型提供完善的功率產(chǎn)品系列，主要包括650V IGBT、1200V SIC MOS/FRD、超結(jié)及高壓MOS等滿足電源模塊高可靠性、高效率的要求。

此外還為客戶提供了電源管理芯片、存儲器芯片、數(shù)字隔離器以及運(yùn)放比較器等系列產(chǎn)品配套使用。

以直流電源模塊三相 Vienna +全橋 LLC 拓?fù)錇槔峁┲饕β势骷a(chǎn)品選型建議請參考。

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表1直流充電樁產(chǎn)品選型