国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

IGBT死區時間設定指南:死區計算方法、對逆變器的影響、死區優化策略 v2.0

向欣電子 ? 2026-01-31 08:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

- 關于IGBT死區時間的定義和應用解讀- 文字原創,素材來源:Infineon等廠商- 在保證原文內容邏輯的基礎上,對結構進行了調整、進行了補充說明,便于理解與應用- 本篇為節選,完整內容會在知識星球發布,歡迎學習、交流


導語:電機控制器標定中,功率開關死區時間的設定至關重要。死區存在的第一任務:防止因信號產生干擾,導致功率開關元件(如IGBT)的上下橋臂同時導通,造成短路,從而引發功率元件的燒毀

但是,TA的意義遠不止如此。太長的死區時間同樣會導致電機性能下降、系統不穩定等問題(引起電流畸變、電壓波動、轉矩脈動和效率下降);太短的死區時間,可能引發功率元件燒毀、炸機等安全風險。因此,在標定過程中,需要精確設置死區時間,以在防止元件損壞、保證系統穩定性和提高控制精度和系統性能之間找到平衡點

f5510660-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:Infineon/SysPro

今天,我們通過對IGBT手冊的學習解讀,一起來了解下IGBT橋臂直通的原因及防止策略,看看如何尋找這個平衡點?主要回答幾點問題:什么是死區時間?TA逆變器究竟有什么影響?如何精確計算死區時間?與哪些因素相關?在避免直通的基礎上,通過哪些手段可以有效減小死區時間,以提升系統性能呢?

f55fbcb4-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:SysPro


目錄

1. IGBT橋臂直通的原因及防止策略

2. 死區時間對逆變器工作的影響

3. 如何計算合適的死區時間?(知識星球發布)

3.1 計算死區時間的基礎理論

3.2 開關和延遲時間的定義及解釋

3.3 門極驅動電阻對開關時間的影響

3.4 影響延遲時間的其它因素

3.4.1 開通延遲時間

3.4.2 關斷延遲時間

3.4.3 死區時間的計算案例

3.4.4 死區時間計算值的確認

4. 如何減小死區時間?(知識星球發布)

5. 總結

注: 本篇為節選,完整內容會在知識星球發布(點擊文末"閱讀原文")


01

IGBT橋臂直通的原因及防止策略

下圖展示了一個IGBT橋臂的典型結構。在正常運行情況下,兩個IGBT會依次開通和關斷。然而,如果兩個器件同時導通,將導致電流急劇上升,此時電流將僅受直流環節的雜散電感限制。f56e20a6-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:Infineon

雖然不存在故意使兩個IGBT同時開通的情況,但由于IGBT并非理想開關器件,其開通和關斷時間并不完全一致。為了避免IGBT橋臂直通,通常建議在控制策略中加入所謂的“互鎖延時時間”或更常見的“死區時間”。通過引入這一額外時區,確保其中一個IGBT首先關斷,然后在死區時間結束時開通另一個IGBT,從而避免由于開通和關斷時間不對稱導致的直通現象f5767288-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:網絡

| SysPro備注:這種策略的核心在于通過時間上的錯開,確保兩個IGBT不會同時導通,進而保護電路免受電流沖擊。了解了死區時間存在的原因,那么,TA對逆變器有什么影響呢?


02

死區時間對逆變器工作的影響

通常情況下,死區時間可分為兩種控制死區時間有效死區時間控制死區時間指在控制算法中加入的一段時間,用以確保器件獲得足夠的死區時間。設置控制死區時間的目的是為了保證有效死區時間總是足夠長。由于計算控制死區時間時是基于最壞的情況考慮,因此有效死區時間控制死區時間比例較大明確了死區時間的兩個概念,下面我們具體看看,死區時間除了仿真橋臂直通外,是否還有其他的附加影響?死區時間的作用在于防止IGBT橋臂直通;但另一方面,它也存在不利影響。為了說明死區時間的影響,我們考慮電壓源型逆變器的一個橋臂,如下圖所示。假設輸出電流按圖示方向流動,IGBT T1由開通到關斷,而T2經過一小段死區時間由關斷到開通。在有效死區時間內,兩個開關管都是關斷的,且續流二極管D2流過輸出電流,此時負的直流電壓加在輸出側,電壓極性符合設計要求。另一種情況,若T1由關斷到開通,而T2由開通到關斷,此時電流仍沿同一方向,電流在死區時間依然通過D2,輸出電壓仍為負值電壓極性不符合設計要求一句話總結下:在有效死區時間內,輸出電壓由輸出電流決定,而非控制信號。

f5826246-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.jpg

圖片來源:Infineon

| SysPro備注,為什么說輸出的是一個負的直流電壓?為什么說極性符合要求?這里可能不好理解,我解釋下:

我們可以看到,續流二極管D2反向并聯在開關管T2上的,當T2關斷時,如果輸出電流方向不變,D2將導通,允許電流繼續沿原方向流動。。在有效死區時間內,由于兩個開關管(T1和T2)都處于關斷狀態,電流只能通過D2流動。此時,輸出電壓由D2的電壓降決定。由于D2反向導通,其陽極電壓低于陰極電壓,因此在輸出側會呈現一個負的直流電壓。我們通過電壓矢量控制電機按期望運轉,因此要確保輸出電壓的極性與設計相匹配,以維持電機的穩定、可靠運轉,因此要確保四驅區間輸出電壓、電流符合預期、不失真。

應用筆記:如果我們假設輸出電流的方向與上圖所示相反,當T1由開通到關斷,而T2由關斷到開通時,也會出現上述電壓情況。因此,一般情況下,輸出電壓與輸出電流會隨著死區時間的加入而失真。若選擇的死區時間過長,對于感應電機等情況,系統可能變得不穩定,甚至引起系統崩潰的嚴重后果。因此,死區時間的選擇十分重要,且應仔細計算。那么,在實際中如何測量IGBT的延遲時間,并根據測量值計算合適的控制死區時間?

f5900d74-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:SysPro


03

如何計算合適的死區時間?

(知識星球發布)為了確保IGBT橋臂避免直通并正常運行,死區時間的選擇至關重要。這不僅需要滿足避免直通的要求1,還應盡可能小,以確保電壓源型逆變器的最佳性能2。因此,為特定IGBT和驅動電路找到適合的死區時間是一大挑戰。

f59c706e-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:ECP白皮書


3.1 計算死區時間的基礎理論

(知識星球發布)...


3.2 開關和延遲時間的定義及解釋

(知識星球發布)

了解了死區時間的基本計算理論,我們通過下圖,進一步明確下IGBT開關時間和延遲時間的定義...

|SysPro備注,關于以上時間參數的解釋我們曾經詳細解釋過,可點擊下文跳轉:電動汽車驅動系統IGBT關鍵參數指南 | 開關特性:柵極電荷、門級電阻、開關時間、開關損耗、短路特性

f5a92980-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:SysPro


3.3 門極驅動電阻對開關時間的影響

(知識星球發布)門極驅動電阻對開關延遲時間有顯著影響...


3.4 影響延遲時間的其它因素

(知識星球發布)

延遲時間是半導體器件開關過程中的重要參數,除了門極驅動電阻外,集電極電流門極驅動電壓也對延遲時間有顯著影響。那么,他們是如何影響的呢?又是為什么呢?

3.4.1 開通延遲時間(知識星球發布)

為了評估開通延遲時間與集電極電流的關系,Infineon進行了一系列測量。下圖展示了開通延遲時間td_on與集電極電流Ic的關系,其中:...

藍色線:td_on-15V/15V, 25°C

黃色線:td_on-15V/15V, 125°C

紫色線:td_on0V/15V, 125°C

綠色線:td_on0V/15V, 25°C


3.4.2 關斷延遲時間(知識星球發布)

在死區時間的計算中,最大關斷延遲時間關鍵因素,因為它幾乎決定了最終計算出的死區時間長度...|SysPro備注,在電驅動系統標定中,對于控制器而言有個重要的標定就是死區時間標定。這一節也解釋了為什么我們需要死區時間標定?這是因為...

3.4.3 死區時間的計算案例(知識星球發布)

3.4.4 死區時間計算值的確認(知識星球發布)

通過前面的討論及入第3.1中提到的死區計算方程,我們可以利用測量值來計算所需的死區時間。為了確認這一計算值是否足夠,需要在worst case情況下進行測量和確認...

在03開頭我們聊過了,死區時間不僅需要滿足避免直通的要求,還應盡可能小,以確保電壓源型逆變器的最佳性能。上面我們聊完了如何確保死區時間充足,那么,如何在此基礎上減小死區時間呢?

f5c07a9a-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:ECP


04

如何減小死區時間?

(知識星球發布)

由于死區時間對逆變器性能有負面影響,應盡可能減小死區時間,那么,如何減小?我們從門極電壓、驅動電阻、電平類型角度來講解...


05 總結

我們通過對IGBT手冊的學習解讀,了解了IGBT橋臂直通的原因及防止策略,重點介紹了死區時間的概念、對逆變器工作的影響以及如何計算和減小死區時間

IGBT橋臂直通由于開關時間不對稱可能導致電流急劇上升引入死區時間是防止直通的有效策略。死區時間雖能防止直通,但也會對逆變器性能產生負面影響。因此,需要準確計算死區時間,考慮IGBT的開關特性、門極驅動電阻、驅動電壓等多種因素。

通過03的公式,我們了解了死區時間的計算方法,并強調了在實際應用中通過測量來確認計算值的必要性。為了減小死區時間對逆變器性能的負面影響,給出了一些有效的手段。這些方法有助于優化電力電子系統的設計和性能。以上,希望有所幫助!

圖片來源:SysPro


以上內容為總結(節選),完整解讀、參考資料、技術報告在知識星球「SysPro電力電子技術」中發布歡迎進一步查閱、學習,希望有所幫助!

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 逆變器
    +關注

    關注

    303

    文章

    5160

    瀏覽量

    216536
  • IGBT
    +關注

    關注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    262965
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SiLM8263DAHB-DG 雙輸入可編程死區緊湊型半橋驅動器

    ,輸出側驅動電壓最高支持30V。芯片集成了可編程死區時間功能,并設有DIS全局關斷引腳。其3V至18V的寬邏輯輸入電壓兼容性強,為對空間布局
    發表于 02-09 08:44

    SiLM8264GAHB-DG 30V可編程死區功能如何實現10A隔離驅動

    和灌電流。芯片內置可編程死區時間功能,并設有DIS全局關斷引腳。其3V至18V的寬邏輯輸入電壓兼容性強,輸出側驅動電壓最高支持30V,非常適
    發表于 02-02 08:45

    SiLM8260ABCS-DG 30V, 10A雙通道死區可編程隔離驅動器

    。通過特定的輸入配置,可以便捷地設置死區時間,從根本上杜絕了因信號傳輸延遲微小差異而導致橋臂“直通”的風險。這比外部分立RC電路或依賴控制器軟件死區更為精準和可靠。 DIS全局關斷功能:一鍵安全鎖 DIS
    發表于 12-19 09:24

    請問ATIM高級定時器不想進入到死區應該怎么配置?

    ATIM高級定時器不想進入到死區應該怎么配置?我設置成0不好使呢
    發表于 12-08 07:17

    SLMi8233BDCG-DG 雙通道死區可編程的40V/4A高性能隔離驅動解決方案

    一款雙通道、死區時間可編程的隔離驅動器,它集成了多項實用功能,能有效簡化設計工作,并提升系統魯棒性。 一、概述: SLMi8233BDCG-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,同時也
    發表于 11-29 10:25

    SiLM8260ABCS-DG 雙通道死區可編程的30V/10A隔離驅動芯片

    。SiLM8260ABCS-DG的獨特之處在于其雙通道死區可編程功能,用戶可以通過外部配置靈活調整死區時間優化開關器件的動態性能。此外,芯片還集成了米勒鉗位功能,有效防止功率管因米勒
    發表于 11-28 08:14

    直流控制系統中PWM功放的頻率和死區設置

    在采用 PWM功放的控制系統中,進行PWM 開關頻率和死區設置時,不僅要參考功率品體管的開關時間等參數,還要考慮控制系統的其他要求。如果PWM的頻率和死區設置不當,將影響控制系統的穩定性
    發表于 08-05 14:30

    基于死區補償的電機低速運行穩定性研究

    空間矢量在旋轉磁場中的位置分別對逆變器三相橋臂的導通時間進行補償,其補償時間的大小根據相應的電流的大小決定,確保擾動電壓矢量同電流矢量旋轉同步。Matlab仿真及實驗結果表明該方法具有
    發表于 07-29 16:21

    SiLM8254:死區可編程、高速4A雙通道隔離驅動器,助力高效功率轉換

    設計的雙通道、單輸入、死區可編程的隔離柵極驅動器,在高速開關應用和高可靠性系統中表現出色。 核心優勢聚焦: 獨創死區可編程 (DT): SiLM8254的核心亮點在于其可編程死區時間
    發表于 07-14 09:34

    SLMi8233BDCG 40V4A雙通道死區可編程隔離驅動器兼容UCC21520DW

    /μs CMTI抑制服務器電源背板噪聲。 DC/AC太陽能逆變器 關鍵設計 :可編程死區適配SiC MOSFET的快速開關,降低換相損耗。 電動汽車充電(OBC) 安全需求 :1500V通道隔離滿足
    發表于 06-28 08:45

    SiLM825x系列SiLM8253BBCL-DG:面向高可靠性功率系統的40V/4A隔離驅動器全架構解析

    系統dV/dt≥50V/ns的噪聲 反向輸入耐壓5V防止控制信號接線錯誤損毀 工作結溫-40~150℃兼容工業/車載嚴苛環境工程優勢的拓撲實現價值 死區時間硬件可編程 消除MCU軟件
    發表于 06-12 09:35

    LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅動器、5V UVLO 和可編程死區時間數據手冊

    LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 驅動器,專為超高頻、高效率應用而設計,具有可調死區時間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側低側匹配,可
    的頭像 發表于 05-24 15:53 ?1041次閱讀
    LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200<b class='flag-5'>V</b> 半橋柵極驅動器、5<b class='flag-5'>V</b> UVLO 和可編程<b class='flag-5'>死區</b><b class='flag-5'>時間</b>數據手冊

    UCC28089 具有死區時間控制的初級側推挽振蕩器數據手冊

    切換,占空比限制在 50% 以下。 UCC28089 經過優化,可用作具有次級側控制的級聯轉換器的初級側輔助控制器。該器件集成了死區時間編程。同步輸出還提供死區
    的頭像 發表于 04-03 10:27 ?955次閱讀
    UCC28089 具有<b class='flag-5'>死區</b><b class='flag-5'>時間</b>控制的初級側推挽振蕩器數據手冊

    TPS51601A 具有死區時間控制的 30V 半橋柵極驅動器數據手冊

    TPS51601A 是一款同步降壓 MOSFET 驅動器,具有 集成升壓開關。這款高性能驅動程序能夠 驅動具有最高 速度和最低的開關損耗。自適應死區時間控制和 包括擊穿保護
    的頭像 發表于 03-27 09:31 ?811次閱讀
    TPS51601A 具有<b class='flag-5'>死區</b><b class='flag-5'>時間</b>控制的 30<b class='flag-5'>V</b> 半橋柵極驅動器數據手冊

    LLC的死區時間對DS波形的影響(可下載)

    我們都知道 LLC 拓撲中上下管的驅動波形是有死區時間的,這一死區時間設定是為了防止上下管 DS 電壓直通,這一功能大家都知道,但是
    發表于 03-12 14:28 ?2次下載