LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅動汽車應用中的高壓側和低壓側增強型氮化鎵 （GaN） FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用于高側和低側輸出的獨立輸入，可實現最大的控制靈活性。高壓側偏置電壓在內部箝位為 5.2 V，可防止柵極電壓超過增強型 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。該器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VDD 電壓如何，都可以承受高達 14 V 的輸入電壓。LM5113-Q1 具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調整導通和關斷強度。
*附件：lm5113-q1.pdf

此外，LM5113-Q1 的強大吸收能力可將柵極保持在低電平狀態，從而防止在開關期間意外導通。LM5113-Q1 的運行頻率最高可達數 MHz。LM5113-Q1 采用標準 10 引腳 WSON 封裝，并帶有外露焊盤以幫助功耗。

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 125°C 環境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級 1C
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
• 獨立的高側和低側
  TTL 邏輯輸入
• 1.2A 峰值拉電流、5A 峰值灌電流輸出電流
• 高側浮動偏置電壓軌
  可在高達 100VDC 的電壓下工作
• 內部自舉電源電壓箝位
• 用于可調
  導通和關斷強度的分離輸出
• 0.6-Ω 下拉電阻，2.1-Ω 上拉電阻
• 快速傳播時間（典型值為 28 ns）
• 出色的傳播延遲匹配
  （典型值為 1.5 ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗

參數

方框圖

概述

LM3-Q是一款由Texas Instruments（TI）生產的V、1.2A峰值源電流、5A峰值沉電流的汽車級半橋GaN驅動器。該驅動器設計用于驅動同步降壓、升壓或半橋配置中的高側和低側增強型GaN FET或硅MOSFET，適用于汽車應用。

主要特性

• ?汽車級應用?：符合AEC-Q標準，適用于-°C至°C的工作溫度范圍。
• ?獨立的高側和低側TTL邏輯輸入?：提供高控制靈活性。
• ?高電流能力?：.A峰值源電流，A峰值沉電流。
• ?高側浮動偏置電壓軌?：操作電壓高達0VDC。
• ?內部自舉供電電壓鉗位?：保護GaN FET免受過壓損壞。
• ?分裂輸出?：允許獨立調整開通和關斷強度。
• ?快速傳播時間?：典型值為8ns。
• ?優秀的傳播延遲匹配?：典型值為1.5ns。
• ?欠壓鎖定保護?：確保供電電壓不足時驅動器的安全操作。
• ?低功耗?：優化設計以降低功耗。

應用領域

• ?移動無線充電器?
• ?音頻功率放大器?
• ?音頻電源供應?
• ?電流饋電推挽轉換器?
• ?半橋和全橋轉換器?
• ?同步降壓轉換器?

功能描述

輸入與輸出

• ?TTL邏輯兼容輸入?：可承受高達4V的輸入電壓，無論VDD電壓如何。
• ?分裂柵極輸出?：提供HOH、HOL、LOH和LOL四個輸出，允許獨立調整開通和關斷速度。
• ?優化的輸出電阻?：.Ω下拉電阻和2.1Ω上拉電阻，適用于高頻高效操作。

啟動與欠壓鎖定

• ?VDD欠壓鎖定?：當VDD電壓低于3.8V時，禁用高側和低側輸入。
• ?自舉電壓欠壓鎖定?：當自舉電壓低于.V時，僅禁用高側關斷輸出。
• ?遲滯功能?：避免在供電電壓波動時引起的顫動。

自舉負電壓與電壓鉗位

• ?內部鉗位電路?：防止自舉電壓超過.V，保護高側GaN FET免受損壞。
• ?負電壓處理?：解決由高側驅動器浮動自舉配置引起的負電壓瞬態問題。

典型應用

LM3-Q適用于需要高頻、高效率和高功率密度的汽車應用，如同步降壓或升壓轉換器。其分裂柵極輸出允許獨立調整開通和關斷速度，以滿足不同應用的需求。

布局指南

• ?最小化環路電感?：將GaN FET盡可能靠近驅動器放置，以減小柵極驅動環路電感。
• ?旁路電容?：在VDD和GND引腳附近放置低ESR/ESL電容，以支持高速開關時的瞬態電流需求。
• ?自舉電容?：將自舉電容放置在HB和HS引腳附近，以減小自舉電路的環路電感。
• ?熱設計?：利用WSON封裝中的裸露焊盤進行散熱，確保驅動器的熱穩定性。