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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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紫光國(guó)芯：以全棧存儲(chǔ)產(chǎn)品鏈與硬核技術(shù)突破，引領(lǐng)中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新

在全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)與人工智能浪潮席卷而來(lái)的今天，數(shù)據(jù)作為新型生產(chǎn)要素，其存儲(chǔ)與處理的效率已成為國(guó)家科技競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵體現(xiàn)。在中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)波瀾壯闊的發(fā)展圖景中，...

2025-11-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)紫光國(guó)芯 965 0

紫光國(guó)芯SeDRAM-P300芯片榮獲2025“中國(guó)芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)

2025年11月13至14日，2025年“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第二十屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式在橫琴天沐琴臺(tái)會(huì)議中心盛大舉辦。在發(fā)布...

2025-11-19 標(biāo)簽：集成電路 DRAM 紫光國(guó)芯 816 0

DRAM和SRAM、SDRAM相比有什么特點(diǎn)？

DRAM利用電容存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過(guò)周期性刷新來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復(fù)用設(shè)計(jì)，提高了存儲(chǔ)密度，但增加了控制復(fù)雜性。它...

2025-11-18 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲(chǔ)器 734 0

存儲(chǔ)芯片（煥發(fā)生機(jī)）

01產(chǎn)業(yè)鏈全景圖02存儲(chǔ)芯片定義存儲(chǔ)芯片也叫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大類(lèi)：分立器件、光電器件、傳感器、...

2025-11-17 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)芯片 3.5k 0

PSRAM融合SRAM與DRAM優(yōu)勢(shì)的存儲(chǔ)解決方案

PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的...

2025-11-11 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)sram 752 0

瀾起科技推出支持9200 MT/s速率的DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片

瀾起科技今日正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶(hù)端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性...

2025-11-10 標(biāo)簽：DRAM 瀾起科技時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 6.8萬(wàn) 0

內(nèi)存價(jià)格漲幅超過(guò)黃金！怎么搞的？

近期內(nèi)存市場(chǎng)的漲勢(shì)令人震驚。行業(yè)分析報(bào)告顯示，2025年第三季度DRAM合約價(jià)格同比上漲高達(dá)171.8%，這一數(shù)字甚至超過(guò)了同期黃金的漲幅。有業(yè)內(nèi)觀察人...

2025-11-06 標(biāo)簽：嵌入式 DRAM 內(nèi)存 3.2k 0

多家存儲(chǔ)封測(cè)廠商開(kāi)始計(jì)劃漲價(jià) DRAM最高上調(diào)30%，NAND上調(diào)5%-10%

AI來(lái)勢(shì)兇猛，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與之共振，對(duì)存儲(chǔ)需求呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性上漲特征，我們看到存儲(chǔ)上市企業(yè)正陸續(xù)發(fā)布2025年第三季度財(cái)報(bào)。在這一輪的存儲(chǔ)超級(jí)周期中，存儲(chǔ)...

2025-11-04 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 3.1k 0

AI時(shí)代，如何用服務(wù)器存儲(chǔ)如何升級(jí)？

相對(duì)于HBM、GDDR和DRAM，企業(yè)級(jí)SSD優(yōu)勢(shì)在于彌補(bǔ)了數(shù)據(jù)供給速度與計(jì)算速度之間的巨大鴻溝，特別是全新的CPU、GPU在算力、核心數(shù)量、AI吞吐量...

2025-11-03 標(biāo)簽：DRAM 固態(tài)硬盤(pán)HBM 1.6k 0

DRAM緩存真有那么重要嗎？天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤(pán)實(shí)測(cè)告訴你答案！

在國(guó)產(chǎn)固態(tài)硬盤(pán)推薦榜中，推薦五花八門(mén)，很多用戶(hù)疑惑DRAM 緩存 SSD 值得買(mǎi)嗎？不同方案的國(guó)產(chǎn) SSD 性能對(duì)比差距到底有多大？?jī)r(jià)格差距不小，性能也...

2026-01-19 標(biāo)簽：DRAM SSD 固態(tài)硬盤(pán) 276 0

紫光國(guó)芯亮相2025中國(guó)國(guó)際消費(fèi)電子展覽會(huì)

2025年9月19日，2025中國(guó)國(guó)際消費(fèi)電子展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)“電博會(huì)”）在青島國(guó)際會(huì)展中心開(kāi)幕，紫光國(guó)芯與新紫光集團(tuán)旗下來(lái)自芯片、ICT等版塊的十余家重要...

2025-09-20 標(biāo)簽：DRAM 消費(fèi)電子紫光國(guó)芯 2.8k 0

概倫電子亮相IDAS 2025設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì)

由 EDA2 主辦的第三屆設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì) IDAS 2025于9月16日在杭州國(guó)際博覽中心盛大落幕。作為國(guó)內(nèi)首家EDA上市公司、關(guān)鍵核心技術(shù)具備國(guó)際...

2025-09-18 標(biāo)簽：DRAM eda 概倫電子 3.6k 0

華邦電子榮獲2025年度硬核智能芯片獎(jiǎng)

2025 年 9 月 11 日，由芯師爺主辦的第七屆硬核芯生態(tài)大會(huì)在深圳國(guó)際會(huì)展中心舉行。本屆峰會(huì)匯聚了半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍者、電子制造企業(yè)高管、項(xiàng)目負(fù)...

2025-09-12 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存華邦電子 1.8k 0

類(lèi)腦視覺(jué)芯片里程碑突破：復(fù)旦團(tuán)隊(duì)首創(chuàng)二維半導(dǎo)體DRAM仿生神經(jīng)元

在類(lèi)腦視覺(jué)芯片領(lǐng)域，復(fù)旦大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)取得了令人矚目的突破，他們聯(lián)合研發(fā)出了基于二維半導(dǎo)體DRAM的仿生神經(jīng)元。這一成果為類(lèi)腦計(jì)算與視覺(jué)處理的融合發(fā)展帶...

2025-08-15 標(biāo)簽：DRAM 視覺(jué)芯片 1.1k 0

性能優(yōu)于HBM，超高帶寬內(nèi)存 (X-HBM) 架構(gòu)來(lái)了！

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，NEO Semiconductor宣布推出全球首款用于AI芯片的超高帶寬內(nèi)存 (X-HBM) 架構(gòu)。該架構(gòu)旨在滿足生成式AI和高性...

2025-08-16 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)HBM 4.9k 0

實(shí)錘！美光中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整！官方停止移動(dòng)NAND開(kāi)發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)業(yè)內(nèi)可靠消息稱(chēng)，近日美光Micron中國(guó)區(qū)進(jìn)行了業(yè)務(wù)調(diào)整。但并非網(wǎng)傳的“波及上海、深圳等地，以及嵌入式研發(fā)骨干、測(cè)試工程師及FA...

2025-08-13 標(biāo)簽：閃存 DRAM 美光 3.3k 0

美光科技第三屆鏈博會(huì)圓滿落幕

此前，2025年7月16至20日，作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商，美光再度以“深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國(guó)”為主題亮相第三屆中國(guó)國(guó)際供應(yīng)鏈促進(jìn)博...

2025-07-25 標(biāo)簽：DRAM 美光科技供應(yīng)鏈 1.6k 0

存儲(chǔ)技術(shù)全解析

在計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)中，各種存儲(chǔ)技術(shù)扮演著不同的角色，它們的性能特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景各不相同。很多人對(duì)DRAM、SRAM、HBM、ROM、NOR Flash、...

2025-07-24 標(biāo)簽：FPGA DRAM 存儲(chǔ)技術(shù) 2.9k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)...

2025-07-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 HBM 4.4k 0

嵌入式應(yīng)用如何兼顧高性能與低功耗

對(duì)于嵌入式系統(tǒng)工程師而言，選擇合適的 DRAM 至關(guān)重要，需綜合考慮帶寬、時(shí)延與功耗限制。在近期發(fā)布的白皮書(shū)中，我們?cè)敿?xì)比較了主要的內(nèi)存類(lèi)型（包括 DD...

2025-07-10 標(biāo)簽：FPGA 嵌入式 DRAM 2.3k 0

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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴(lài)分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷(xiāo)全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶(hù)喜愛(ài)。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱(chēng)“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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