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標(biāo)簽 > 英諾賽科
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。
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2025-11-25 標(biāo)簽: 數(shù)據(jù)中心 allegro GaN 1242 0
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2025-09-14 標(biāo)簽: 機(jī)器人 數(shù)據(jù)中心 GaN 9432 0
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2025-08-07 標(biāo)簽: GaN 英諾賽科 安世半導(dǎo)體 11643 0
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。公司的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓(30V-650V)的氮化鎵功率器件,產(chǎn)品設(shè)計(jì)及性能均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
英諾賽科已在激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅(qū)動(dòng)等方面發(fā)布產(chǎn)品方案,并與國(guó)內(nèi)多家應(yīng)用頭部企業(yè)開展深度合作,實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科作為技術(shù)全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體公司,在8英寸硅基氮化鎵核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)重大突破,建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化鎵量產(chǎn)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)了中國(guó)第三代半導(dǎo)體零的突破。
我們的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)
英諾賽科的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由半導(dǎo)體和(電力)電子行業(yè)的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領(lǐng)先公司,在硅基氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
此外,為了展示英諾賽科在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域擁有的潛力,并更加順利地推廣產(chǎn)品,英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專家,用于進(jìn)行面向特殊應(yīng)用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科(Innoscience)創(chuàng)立于2015年12月17日,旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體氮化鎵(GaN )的生產(chǎn)基地。
公司成立之初,英諾賽科的創(chuàng)始人就深知,如果想實(shí)現(xiàn)氮化鎵技術(shù)在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,產(chǎn)品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場(chǎng)上要進(jìn)行大規(guī)模推廣,還需要解決另外三個(gè)痛點(diǎn):首先是成本,具備合理的價(jià)格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力,以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的爆發(fā)。第三,要確保器件供應(yīng)鏈穩(wěn)定,有了穩(wěn)定的貨源供應(yīng),客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā),無需擔(dān)心因氮化鎵器件供應(yīng)戰(zhàn)略的變化而導(dǎo)致停產(chǎn)。因此,Innoscience 明白,只有擴(kuò)大 GaN 器件的產(chǎn)能并擁有自主可控的生產(chǎn)線,才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場(chǎng)上進(jìn)行大規(guī)模推廣的三個(gè)痛點(diǎn)(價(jià)格、數(shù)量和供應(yīng)安全)。
從一開始,英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓,與6英寸相比,8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時(shí),英諾賽科采用C-MOS工藝,以便將多年來在三極管生產(chǎn)領(lǐng)域積累的經(jīng)驗(yàn)和優(yōu)化措施應(yīng)用在氮化鎵晶圓的生產(chǎn)工藝中。
今天,英諾賽科已實(shí)現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前,公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地,采用最先進(jìn)的8英寸生產(chǎn)工藝,是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。
目前,英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能達(dá)到每月10000片,并將逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。
我們能取得這些成就,離不開招銀國(guó)際、ARM、SK和CATL等世界級(jí)投資方的支持。
氮化鎵GaN詳細(xì)對(duì)比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國(guó)芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
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