派恩杰動態(tài)

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  派恩杰深度解讀SiC MOSFET柵氧可靠性問題

  碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，正在電動汽車(EV)、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)一場深刻的革命。其卓越的高

  2026-01-28 標(biāo)簽： 功率器件 碳化硅 派恩杰 413 0

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  派恩杰SiC器件在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用

  從傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(IDC)到人工智能數(shù)據(jù)中心(AIDC)的演進，本質(zhì)上是一場能源效率與算力密度的極限競賽。AI算力的

  2025-12-24 標(biāo)簽： MOSFET 數(shù)據(jù)中心 SiC 2169 0

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  派恩杰榮獲德業(yè)股份2025年度戰(zhàn)略合作獎

  2025年12月6日，“寧波德業(yè)股份有限公司2026年全球供應(yīng)商大會在寧波”在寧波北侖隆重舉行。本次大會以“聚勢賦能，鏈

  2025-12-12 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 碳化硅 派恩杰 800 0

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  派恩杰SiC DCM半橋模塊產(chǎn)品優(yōu)勢介紹

  派恩杰DCM模塊的底層優(yōu)勢在于芯片設(shè)計與封裝工藝的深度協(xié)同，作為國內(nèi)少數(shù)擁有全套“銀燒結(jié)+DTS雙面散熱”技術(shù)的公司，其

  2025-12-08 標(biāo)簽： SiC 半橋模塊 派恩杰 859 0

• 派恩杰亮相2025中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會

  11月10日，為期四天的第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨展覽會、中國電源學(xué)會第二十八屆學(xué)術(shù)年會（CPEEC&C

  2025-11-12 標(biāo)簽： MOSFET 功率半導(dǎo)體 派恩杰 1321 0

• 派恩杰Easy 3B碳化硅模塊的應(yīng)用場景

  派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體材料特性，具有高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度，在高壓性能、功率密

  2025-10-09 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 碳化硅 派恩杰 1313 0

• 派恩杰碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部車企訂單

  近日，派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實力與產(chǎn)品

  2025-09-10 標(biāo)簽： 功率器件 碳化硅 派恩杰 1326 0

• 派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

  1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高

  2025-09-03 標(biāo)簽： MOSFET 功率器件 派恩杰 1201 0

• 第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)派恩杰獲“2025尋找寧波最具投資價值企業(yè)”最具潛力獎!

  近日，寧波創(chuàng)投界一年一度的“尋找寧波最具投資價值企業(yè)”頒獎活動舉行。本屆活動緊扣“科創(chuàng)”主題，錨定“新質(zhì)生產(chǎn)力”，聚焦高

  2025-08-19 標(biāo)簽： 功率器件 第三代半導(dǎo)體 派恩杰 1536 0

• 派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用

  在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸”

  2025-08-18 標(biāo)簽： 服務(wù)器 SiC 碳化硅 1421 0

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