2024年3月,聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產。本次量產標志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺上實現(xiàn)了Si和SiC技術的全面覆蓋,也標志著聯(lián)合電子同時擁有了400V Si,400V SiC和800V SiC的電橋解決方案。
2023年中國市場上約95%的NEV車型為400V電壓平臺。在主流的400V電壓平臺上,聯(lián)合電子基于已經批產的400V Si電橋,進一步擴充了高性價比、高效率和高性能的400V SiC電橋產品線,充分滿足了國內外客戶的多樣且嚴苛的要求。
電驅性能
峰值性能:峰值輪端扭矩4450Nm,峰值功率220kW。同時支持短時BOOST模式,實現(xiàn)BOOST模式下峰值扭矩4800Nm,峰值功率230kW,幫助整車實現(xiàn)彈射起步和短時超車;
峰值效率:得益于領先的硬件設計和先進的軟件調制算法加持,聯(lián)合電子400V SiC電橋可實現(xiàn)最高95.6%效率,可為OEM整車廠實現(xiàn)12.5kWh/100km的超低能耗;
最高轉速:電機最高轉速高達21000rpm,整車最高車速達210km/h。
聯(lián)合電子400V碳化硅電橋采用自主封裝SiC功率模塊。
逆變器單體最高效率99.5%;
逆變器采用聯(lián)合電子自主封裝功率模塊,采用國際領先SiC芯片。常規(guī)工況下可實現(xiàn)620Arms/20s峰值電流輸出,短時BOOST(超頻使用)可達 650Arms/5s。聯(lián)合電子自主封裝的功率模塊實現(xiàn)最低導通電阻和優(yōu)異的散熱能力:
采用第二代溝槽型SiC芯片,具有最低導通電阻,大幅降低電驅控制器系統(tǒng)損耗;
散熱系數低(<0.1K/W),同面積下,大幅提升電驅系統(tǒng)的峰值功率和系統(tǒng)效率;
芯片最高運行溫度可達200℃;
低寄生電感設計,有效降低電壓應力,提高可靠性。可實現(xiàn)更低的寄生電阻,相同電流條件下功率模塊損耗損耗可降低18%。
關鍵子部件技術 —— 電機
使用行業(yè)領先的電磁設計工藝,采用硅鋼與磁鋼技術,造就極低的電機損耗表現(xiàn),最高效率可達97.5%;
為實現(xiàn)極致的功率密度,采用獨特的扁線繞組技術帶來極致的槽滿率,為電機帶來 6.8 kW/kg 超高功率密度,幫助電橋實現(xiàn)輕量化和小型化。
同時聯(lián)合電子在400V SiC電橋平臺新開發(fā)了先進控制算法,使電橋總成既能滿足極致的安全性能又能做到嚴苛的能耗管理:
極致安全:
功能安全:滿足功能安全ASIL D;
跛行回家功能:憑借先進的軟件架構及硬件性能,能夠幫助車輛在相關零部件損壞的情況下,實現(xiàn)無感繼續(xù)駕駛故障車輛安全行駛到4S店維修,減少駕駛員的不良駕駛體驗和安全影響;
云端電驅:聯(lián)合電子首次開發(fā)了電驅最核心器件——功率模塊壽命模型,幫助整車廠和終端用戶及時了解電驅運行狀態(tài),實現(xiàn)故障遠程預警及診斷;
信息安全:逆變器MCU使用最高等級的硬件信息安全模塊,配合車規(guī)級的信息安全策略,滿足ISO 21434標準。
電驅能耗:
溫度模型:開發(fā)了高精度功率模塊溫度模型和電機溫度模型,實現(xiàn)可變冷卻液流量控制,降低整車熱管理能耗;
變流量策略:開發(fā)了基于整車應用場景的電驅變流量策略,降低對整車水泵功耗需求,為整車節(jié)能降耗;
IPTC功能:支持余熱回收功能,有效改善電池低溫加熱速率,提升整車低溫駕駛體驗,有利于整車熱管理和更經濟的使用成本;
脈沖加熱功能:支持整車電池低溫下應用,可實現(xiàn)超級快充功能。同時采用先進控制算法,優(yōu)化解決行業(yè)脈沖加熱功能NVH難題。
聯(lián)合電子400V SiC電橋的批產不僅為多變的需求市場提供了更具性價比的產品,同時也為OEM在整車車型的規(guī)劃上提供了更多更豐富的選項。
轉載須署名聯(lián)合電子并注明來自聯(lián)合電子微信!!
審核編輯:劉清
-
逆變器
+關注
關注
303文章
5160瀏覽量
216535 -
Boost
+關注
關注
5文章
389瀏覽量
51048 -
SiC
+關注
關注
32文章
3720瀏覽量
69376 -
寄生電感
+關注
關注
1文章
166瀏覽量
15072 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3464瀏覽量
52325
原文標題:聯(lián)合電子400V碳化硅電橋迎來量產
文章出處:【微信號:聯(lián)合電子,微信公眾號:聯(lián)合電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
QDPAK封裝SiC碳化硅MOSFET安裝指南
傾佳電子市場報告:國產SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領域的戰(zhàn)略突破
傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅動特性與保護機制深度研究報告
SiC碳化硅功率半導體:電力電子行業(yè)自主可控與產業(yè)升級的必然趨勢
國產SiC碳化硅功率半導體全面取代Wolfspeed進口器件的路徑
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用
國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構
開啟焊機高效時代:國內首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案
聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產
評論