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標簽 > 基本半導體
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深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業,專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。公司擁有一支國際化的研發團隊,核心成員包括來自清華大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院、中國科學院等國內外知名高校及研究機構的十多位博士。
基本半導體掌握國際領先的碳化硅核心技術,研發覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等全產業鏈,先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規級全碳化硅功率模塊等系列產品,性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產品已通過AEC-Q101可靠性測試,其他同平臺產品也將逐步完成該項測試。基本半導體碳化硅功率器件產品被廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業控制等領域。
基本半導體與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心,是深圳第三代半導體研究院發起單位之一,廣東省未來通信高端器件創新中心股東單位之一,獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心,公司及產品榮獲2020“科創中國”新銳企業、“中國芯”優秀技術創新產品獎、中國創新創業大賽專業賽一等獎等榮譽。
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| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| B1D08065E | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A; |
獲取價格
|
|
| B1D04065F |
獲取價格
|
||
| B1D20120H | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):6.75uA@1.2kV; |
獲取價格
|
|
| B1D10065KF | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
|
|
| B1D10065E | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
|
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