由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長率將達(dá)83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大的一部份，近六成左右，而碳化硅同期的成長則相對緩慢，成長率約在21%左右。
2016-11-28 14:14:13
1856 10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30794 
9月，英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。這一突破將極大地推動氮化鎵功率
2024-10-25 11:25:362336 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測，2021年以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用的大爆發(fā)。據(jù)公開資料顯示，2020年氮化鎵的市場主要應(yīng)用于光電、射頻、電力電子領(lǐng)域。其中
2021-11-17 10:10:083917 可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)突破將極大地推動GaN功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因?yàn)榫A直徑的擴(kuò)大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。 300 mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓
2024-09-12 11:03:261814 
等第三代半導(dǎo)體而言，它們還有提升空間。 ? 就在9月11日，英飛凌宣布率先開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm（12英寸）氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，英飛凌也成為了全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。 ? 推動功率氮
2024-09-23 07:53:007413 
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上，可以支持更高的快充功率，延長快充持續(xù)時間，獲得更好的快充體驗(yàn)。同時氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵充電器從最開始量產(chǎn)至今，已過去了四年多，售價也從原本數(shù)百元天價到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動氮化鎵快充價格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
卻在這兩個指標(biāo)上彰顯出了卓越的性能，同時，它還具備某些附加的技術(shù)優(yōu)勢。氮化鎵的原始功率密度比當(dāng)前砷化鎵和 LDMOS 技術(shù)的高很多，且支持將器件技術(shù)擴(kuò)展到高頻應(yīng)用。氮化鎵技術(shù)允許器件設(shè)計(jì)師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時，綜合測試
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)
2018-11-05 09:51:35
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運(yùn)營能力將讓MACOM和ST能夠推動新的射頻功率應(yīng)用，在制造成本上取得的突破有助于擴(kuò)大硅上氮化鎵市場份額。雖然擴(kuò)大現(xiàn)有射頻應(yīng)用的機(jī)會很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
更低，氮化鎵模塊尺寸更小，減少電控模塊在微波爐的占用空間，功率變化和溫度控制也更精確。MACOM將類似微波爐的應(yīng)用稱為“射頻能量應(yīng)用”。`
2017-09-04 15:02:41
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
/ xzl1019 未來 5 年 GaN 預(yù)測的最大市場是移動快速充電，預(yù)計(jì)到 2025 年市場將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
包括更低的開關(guān)損耗、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度、更出色的熱預(yù)算，并進(jìn)一步降低重量和成本。除了電動汽車市場之外，基于氮化鎵的電子產(chǎn)品也為進(jìn)一步降低數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)類設(shè)備的功耗提供了良機(jī)。電動汽車
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運(yùn)行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
推廣應(yīng)用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學(xué)的森勇介教授，一直在從事高品質(zhì)的半導(dǎo)體研究，這一次，我們就氮化鎵的研發(fā)情況、研究成果對未來的應(yīng)用前景產(chǎn)生的影響，森教授進(jìn)行了訪談。目前，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用廣泛，其
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
鎵充電器可謂吸引了全球眼球，小巧的體積一樣可以實(shí)現(xiàn)大功率輸出，比APPLE原廠30W充電器更小更輕便。[color=rgb(51, 51, 51) !important]將內(nèi)置氮化鎵充電器與傳統(tǒng)充電器
2019-07-08 04:20:32
組件來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)。也因?yàn)橄M(fèi)性市場存在可觀的潛在需求，相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下，氮化鎵制程已經(jīng)吸引臺積電等晶圓代工業(yè)者投入。不過，氮化鎵陣營的業(yè)者也有問鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護(hù)集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
的應(yīng)用?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運(yùn)行更快，動力更加強(qiáng)勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2022-11-16 07:42:26
的應(yīng)用?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運(yùn)行更快，動力更加強(qiáng)勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2018-08-30 15:05:50
首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011093 
IR推出首批商用氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011
國際整流器公司(IR)推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的i
2010-03-09 10:24:501243 
氮化鎵電源管理芯片市場將快速增長
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市
2010-03-25 09:14:411172 IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在
2011-11-16 10:06:461607 富士通半導(dǎo)體有限公司臺灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率，并擴(kuò)大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)低碳能源社會。富士通半導(dǎo)
2012-11-21 08:51:361656 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵 （GaN） 功率器件技術(shù)平臺的產(chǎn)品。這套家庭影院系統(tǒng)是由一家業(yè)界領(lǐng)先的消費(fèi)電子產(chǎn)品公司所生產(chǎn)。
2013-05-14 11:22:221180 在近日的業(yè)內(nèi)電源展會上，英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應(yīng)用，一款功率為65W的USB PD充電器。
2018-11-16 15:32:352024 2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬美元，研究機(jī)構(gòu)Yole Développemen研究顯示預(yù)計(jì)到2022年該市場將成長到4.6億美元，年復(fù)合成長率高達(dá)79%。
2018-05-22 17:02:218864 
為有效提升電動車整體功率并減少車體重量，采用新一代功率半導(dǎo)體可說是勢在必行，氮化鎵便應(yīng)運(yùn)而生；透過氮化鎵IC，未來的電動汽車將更快、更小、具更佳的性能，同時實(shí)現(xiàn)更低的能源損耗。
2018-08-14 14:13:063721 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(二)TI用氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)的DCDC設(shè)計(jì)方案
2019-04-03 06:13:006339 
3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
2020-11-20 14:08:177688 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:30
1 氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體技術(shù)為提高射頻/微波功率放大的性能水平做出了巨大貢獻(xiàn)。通過減少器件的寄生元件、使用更短的柵極長度和使用更高的工作電壓，GaN晶體管達(dá)到了更高的輸出功率密度、更寬的帶寬和更高的DC-RF效率。
2023-01-23 10:13:001727 
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810906 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
2023-02-12 17:32:164696 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 Semiconductor（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布開設(shè)新的電動汽車 (EV) 設(shè)計(jì)中心，進(jìn)一步擴(kuò)展到更高功率的氮化鎵市場。與傳統(tǒng)的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車載充電器 (OBC) 的充電速度估計(jì)
2023-02-22 13:49:511 根據(jù)韓國媒體 BusinessKorea 報導(dǎo)，三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 （GaN）市場，目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體的需求。
2023-07-19 16:09:281694 相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154483 氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561025 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442505 渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專家和超過 350 個氮化鎵技術(shù)專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:521116 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為17
2023-11-24 11:05:117181 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:155437 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416132 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢。 一
2024-01-09 18:06:363959 ，市場潛力巨大。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測，氮化鎵功率元件市場的營收將在2024年顯著增長，預(yù)計(jì)到2026年市場規(guī)模將達(dá)到13.3億美元，復(fù)合年增長率高達(dá)65%。這一增長趨
2024-07-24 10:55:201572 
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告揭示了全球GaN（氮化鎵）功率元件市場的強(qiáng)勁增長潛力。據(jù)預(yù)測，到2030年，該市場規(guī)模將從2023年的約2.71億美元激增至43.76億美元，復(fù)合年增長率
2024-08-15 17:28:421899 自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場持續(xù)升溫，成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購GaN技術(shù)公司，加速在這一領(lǐng)域的布局，旨在強(qiáng)化技術(shù)儲備并搶占市場先機(jī)。隨著快充
2024-08-26 16:34:331686 科技股份公司今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)
2024-09-13 08:04:20947 
先進(jìn)的無線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。 英飛凌CoolGaN? GS61008P 此次合作將英飛凌的先進(jìn)氮化鎵（GaN）技術(shù)與AWL-E創(chuàng)新的兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸系統(tǒng)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的無線功率效率。 英飛凌的GaN晶體管技術(shù)具有極高的效率和功率密度，而且可在
2024-10-29 17:50:25856 
呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領(lǐng)域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發(fā)出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的
2024-12-06 01:02:431399
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