來自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息，該校周鵬團(tuán)隊針對具有重大需求的3－5nm節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù)，驗證了雙層溝道厚度分別為0．6 ／1．2nm的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實現(xiàn)了高驅(qū)動電流和低泄漏電流的融合統(tǒng)一，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術(shù)途徑。

據(jù)悉，相關(guān)成果已經(jīng)在第66屆IEDM國際電子器件大會上在線發(fā)表。

報道提到，工藝制程提升到5nm節(jié)點(diǎn)以下后，傳統(tǒng)晶體管微縮提升性能難以為繼，需要做重大革新。于是GAA晶體管乘勢而起，它可實現(xiàn)更好的柵控能力和漏電控制。

此番周鵬團(tuán)隊設(shè)計并制備出超薄圍柵雙橋溝道晶體管，驅(qū)動電流與普通MoS2晶體管相比提升超過400％，室溫下可達(dá)到理想的亞閾值擺幅（60mV／dec），漏電流降低了兩個數(shù)量級。

什么是GAA晶體管

據(jù)悉，GAA晶體管也被譯作“環(huán)繞柵極晶體管”，它的出現(xiàn)是為了取代華人教授胡正明團(tuán)隊研制的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）。

為什么要談“取代”，首先要從FinFET說起。根據(jù)知乎作者“淺醉閑眠”一篇科普文章中的介紹，所謂的晶體管，是指一種等效于水龍頭作用的電子器件。水龍頭可以用來控制水流的大小以及開關(guān)，與之類似晶體管的作用是控制電流的大小與開關(guān)。這里面另外一個關(guān)鍵詞是場效應(yīng)，指的是這種對電流的控制是通過施加一個電場來實現(xiàn)的，而決定場效應(yīng)晶體管效率的一個重要因素就是柵極對通道的控制能力。

柵極越小，在同樣的電壓下能實現(xiàn)的電流也越大。這是決定晶體管性能的一個關(guān)鍵參數(shù)。但是5nm之后，鰭式晶體管將會面臨許多問題。

比如隨著柵線之間的間距縮小，很難再像之前那樣在一個單元內(nèi)填充多個鰭線。而如果只做一個鰭線的話，生產(chǎn)工藝又很難保證不同器件之間性能一致。因為控制多個鰭線的平均尺寸要遠(yuǎn)比控制單個鰭線的尺寸容易得多。其次也是更為致命的問題是，隨著柵線之間的間距進(jìn)一步減小，鰭式晶體管的靜電問題急速加劇并直接制約晶體管性能的進(jìn)一步提升。這里所說的靜電問題是指鰭式晶體管本身的結(jié)構(gòu)帶來的一系列寄生電容以及電阻的問題。例如柵極與柵極之間的寄生電容，柵極與通道之間的寄生電容，柵極與金屬電極之間的寄生電容，以及源極與漏極之間的寄生電阻等問題。IMEC之前的模擬表明，當(dāng)柵線之間的間距縮小至40納米之后，鰭式晶體管的性能將會趨于飽和。因此，在5納米之后，工業(yè)界迫切需要一個新的結(jié)構(gòu)來替代鰭式晶體管結(jié)構(gòu)，這就帶來了全環(huán)繞柵極晶體管。

全環(huán)繞柵極晶體管的特點(diǎn)是實現(xiàn)了柵極對溝道的四面包裹，源極和漏極不再和基底接觸，而是利用線狀（可以理解為棍狀）或者平板狀、片狀等多個源極和漏極橫向垂直于柵極分布后，實現(xiàn)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和功能。這樣設(shè)計在很大程度上解決了柵極間距尺寸減小后帶來的各種問題，包括電容效應(yīng)等，再加上溝道被柵極四面包裹，因此溝道電流也比FinFET的三面包裹更為順暢。在應(yīng)用了GAA技術(shù)后，業(yè)內(nèi)估計基本上可以解決3nm乃至以下尺寸的半導(dǎo)體制造問題。

簡單概括就是，隨著摩爾定律的演進(jìn)，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)已無法滿足先進(jìn)工藝的需求，GAA晶體管的出現(xiàn)能夠讓其繼續(xù)往下延續(xù)，進(jìn)一步芯片工藝的極限。

三星3nm或先用上GAA晶體管，臺積電求穩(wěn)

當(dāng)前7nm成主流，5nm成熟且可以量產(chǎn)，再下一個節(jié)點(diǎn)就是3nm工藝了，這個節(jié)點(diǎn)非常重要，因為摩爾定律一直在放緩，F(xiàn)inFET晶體管一度被認(rèn)為只能延續(xù)到5nm節(jié)點(diǎn)，3nm要換全新技術(shù)方向。所以GAA晶體管技術(shù)已經(jīng)被不少半導(dǎo)體企業(yè)所關(guān)注。

據(jù)悉，三星打算從2022年投產(chǎn)的第一代3nm就引入GAA晶體管，據(jù)介紹，基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多橋－通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。

具體來說，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45％，功耗降低50％，性能提升35％。

由于之前在先進(jìn)工藝上進(jìn)度落后了，三星在3nm進(jìn)行了一場豪賭，是第一個大規(guī)模上馬GAA技術(shù)的，目的就是希望通過激進(jìn)的手段迅速扭轉(zhuǎn)晶圓代工市場上的地位，GAA成敗很關(guān)鍵。

臺積電可能沒有三星這么激進(jìn)，在3nm節(jié)點(diǎn)也會跟之前的7nm工藝一樣采取兩步走的方式，第一代3nm工藝還會繼續(xù)改進(jìn)FinFET晶體管工藝，在第二代3nm或者2nm節(jié)點(diǎn)才會升級到GAA晶體管技術(shù)。

這樣做一方面是出于技術(shù)研發(fā)的考慮，臺積電在GAA技術(shù)上落后三星12到18個月，另一方面則是要在進(jìn)度上趕超，2021年3月份就準(zhǔn)備試產(chǎn)，所以不能急著上GAA工藝，先用FinFET工藝頂上。