寶礫微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N溝道功率MOSFET

應(yīng)用:

DC-DC轉(zhuǎn)換
SMPS中的同步整流
硬開(kāi)關(guān)和高速電路
電動(dòng)工具
電機(jī)控制

概述：

PL1303N04是寶礫微推出的4開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強(qiáng)的體二極管dv/dt能力和雪崩強(qiáng)度，經(jīng)過(guò)100％的UIS測(cè)試和Rg測(cè)試，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換等。

最大額定值方面，漏源電壓為40V，具有一定的耐壓性能。連續(xù)漏*電流(@25℃)高達(dá)2**。脈沖漏*電流高達(dá)90A，電流耐受性較好。耗散功率為2.5W。工作溫度和存儲(chǔ)溫度范圍為-55℃~150℃，溫度適應(yīng)性較好。結(jié)殼熱阻為2.5℃/W，結(jié)至環(huán)境的熱阻為50℃/W，散熱性能較好。25℃下，漏源導(dǎo)通電阻的典型值為9.6mΩ(@VGS=10V，ID=9A)或14.5mΩ(@VGS=4.5V，ID=6A)，產(chǎn)品導(dǎo)通損耗較低?？倴?電荷的典型值為24nC。

特點(diǎn)：

高速功率開(kāi)關(guān)，邏輯電平
較強(qiáng)的體二極管dv/dt能力
較強(qiáng)的雪崩強(qiáng)度
經(jīng)過(guò)100％UIS測(cè)試，100％Rg測(cè)試
無(wú)鉛，無(wú)鹵素
QFN6*6-40L封裝

深圳市芯美力科技有限公司

寶礫微原廠(chǎng)代理商，可提供樣品測(cè)試，原廠(chǎng)技術(shù)支持，歡迎聯(lián)系咨詢(xún)

審核編輯?黃宇

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MOSFET(230962) MOSFET(230962)
封裝(148180) 封裝(148180)
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基于onsemi NTTFSSCH1D3N04XL MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

安森美NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計(jì)用于處理大電流，這對(duì)于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要。這款40V、207A、單N溝道功率MOSFET具有更低

2025-11-22 17:40:47

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選型手冊(cè)：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N

2025-11-20 16:22:54

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選型手冊(cè)：MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-11-19 15:25:38

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選型手冊(cè)：MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-19 15:21:04

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選型手冊(cè)：MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-19 15:15:00

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選型手冊(cè)：MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED

2025-11-19 11:15:03

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選型手冊(cè)：MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型

2025-11-17 11:27:39

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中科微電ZK40N100G：Trench工藝+緊湊封裝，中低壓大電流場(chǎng)景新標(biāo)桿

在功率半導(dǎo)體器件向“高效化、小型化、高可靠性”轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)下，中科微電推出的N溝道MOS管ZK40N100G，憑借40V耐壓、90A大電流的硬核參數(shù)，搭配Trench（溝槽）工藝與PDFN5x6-8L

2025-11-17 11:19:17

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選型手冊(cè)：MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-11 09:18:36

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選型手冊(cè)：MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 16:01:46

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選型手冊(cè)：MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 15:50:16

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低壓大電流新選擇：ZK40N190G MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用價(jià)值

40V耐壓、190A超大電流承載能力及PDFN5x6-8L封裝優(yōu)勢(shì)，精準(zhǔn)匹配低壓大電流功率變換需求，成為眾多高功率密度設(shè)備的核心功率器件選擇。

2025-11-07 17:27:47

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選型手冊(cè)：MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-07 10:23:59

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選型手冊(cè)：MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-06 16:05:07

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選型手冊(cè)：MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性，適用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如

2025-11-06 15:44:22

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中科微電ZK40P80G：小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇

中科微電推出的ZK40P80G P溝道MOS管，突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDFN5x6-8L緊湊封裝相結(jié)合，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為小型化、高功率密度設(shè)備提供了理想的功率解決方案。

2025-11-06 14:49:07

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ZK40N100G：PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標(biāo)桿

在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn)，是決定產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管，以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L

2025-11-05 16:30:47

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中科微電ZK60N04NF：DFN封裝加持的中低壓功率控制核心

在中低壓功率電子系統(tǒng)中，MOS管的性能參數(shù)與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實(shí)用化的N溝道MOS管，以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝

2025-11-05 16:15:44

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選型手冊(cè)：MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-05 16:01:03

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選型手冊(cè)：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器

2025-11-05 15:28:39

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選型手冊(cè)：MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源

2025-11-05 12:10:09

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選型手冊(cè)：MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開(kāi)說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT4N65F為N溝道功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：6

2025-11-04 15:59:03

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選型手冊(cè)：MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-04 15:22:12

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選型手冊(cè)：MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-03 15:26:33

298

選型手冊(cè)：MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器

2025-10-31 17:36:09

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?STMicroelectronics STP80N450K6：800V MDmesh K6功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用

STMicroelectronics STP80N450K6 800V N溝道功率MOSFET是一款采用終極MDmesh K6技術(shù)設(shè)計(jì)的極高壓N溝道功率MOSFET。該技術(shù)

2025-10-28 11:44:44

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?STD80N450K6功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護(hù)功能和100%雪崩。該MOSFET還具

2025-10-27 14:24:41

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中科微電ZK40N100T：Trench工藝下的中端電動(dòng)工具功率控制優(yōu)選

在18V-36V主流電動(dòng)工具市場(chǎng)中，功率器件的性能平衡與成本控制同樣關(guān)鍵。中科微電推出的N溝道功率MOSFET——ZK40N100T，以40V耐壓、90A持續(xù)電流的精準(zhǔn)參數(shù)，融合成熟Trench溝槽

2025-10-27 13:58:56

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MOT4162G N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT4162G是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN506-8L封裝形式，聚焦電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電池管理等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異散熱性能和高可靠性為核心技術(shù)

2025-10-27 10:34:36

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?STP80N1K1K6：基于MDmesh K6技術(shù)的超高效功率MOSFET解析

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術(shù)，利用了20年的超級(jí)結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導(dǎo)通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應(yīng)用。

2025-10-23 15:08:58

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圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)壓保護(hù)開(kāi)關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開(kāi)關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

2025-10-14 17:34:48

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FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-09-23 14:59:08

工程師私藏技巧：MOS管如何讓你的移動(dòng)電源快充又省電？HGE001N04L 低內(nèi)阻1mΩ 40V 170A大電流

應(yīng)對(duì)快充需求，有效減少發(fā)熱和損耗。（二）升壓效率高，延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)長(zhǎng) 在放電升壓時(shí)，HGE001N04L 耐壓40V，快關(guān)速度快，可以輕松實(shí)現(xiàn) 3.7V 升壓至 5V/9V/12V 的高效電壓轉(zhuǎn)換，升壓

2025-07-29 15:58:49

Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二極管使用集成N溝道功率MOSFET替代高性能肖特基二極管。該器件可輕松將OR電源結(jié)合在一起，以提高系統(tǒng)可靠性并防止反向?qū)ā?/div>

2025-06-24 11:46:08

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ZSKY-ZS7N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-ZS7N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-05-14 15:58:36

ZSKY-ZS8N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-ZS8N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-05-14 15:57:36

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET

2025-04-16 10:54:00

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CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18512Q5B ? 類(lèi)型 ?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無(wú)鉛端子鍍

2025-04-16 10:20:33

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