本文介紹了我們華林科納研究了污染和清洗順序對堿性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金字塔密度的影響不小，而對宏觀參數沒有影響，而膠殘留劑或刻蝕劑等有機污染則存在關鍵問題，可以抑制堿性紋理化過程。

將單晶硅晶片加工成太陽能電池包括作為第一步，去除鋸片損傷和晶片的堿性紋理，這是改善光捕獲和獲得一個較低的反射的最重要的過程之一，堿性紋理過程發生在熱的堿性水溶液中，并在晶片表面產生隨機的金字塔，金字塔的啟動對過程條件高度敏感，但也存在有機和無機污染，硅表面或浴液中的污染抑制或加速了錐體的形成，并可能導致硅表面的不均勻性或無紋理部分。

首先，研究了不同污染對堿性紋理化的影響，單晶硅晶片被污染，金屬、膠水和漿液作為濕液滴應用于硅表面，在氮氣氣氛中干燥，將金屬溶液從ICP多元素校準標準溶液（硝酸中的金屬鹽）中稀釋，從晶片中提取的雙組分粘合劑溶解在醋酸中(40wt。%在50°C)，用絲網印刷機將刻蝕劑印刷到硅表面，并在隨后的加熱過程中干燥，隨后用濕氫氧化鉀水溶液（在室溫下3%氫氧化鉀）在濕臺上剝離刻蝕劑。

在調查了表面污染對紋理化行為的影響后，評估了不同的清洗序列與紋理化行為和清洗效率之間的關系，在這項工作中，研究了三個清洗序列，硅片被污染，然后在濕臺上清洗，臭氧溶液是由臭氧發生器產生的，清洗步驟后，晶片在含有KOH/有機添加劑的濕臺上紋理，溫度為90°，紋理時間為15分鐘。

在研究了晶圓污染后的不同清洗過程之后，討論了有和沒有預清洗的堿性紋理化的參數，金屬污染對紋理化行為的影響可以忽略不計，因此只提出了清洗效果，紋理化參數沒有得到進一步的研究，下圖中顯示了去除的金屬離子的數量，結果表明，dHCl/o3溶液是最有效的溶液，這是由鹽酸形成的金屬離子引起的，鹽酸可以從表面溶解，除鐵外，SC1的絡合效果與dHCl/o3一樣好，氫氧化鉀去除物質產生的平均濃度為10E14at/cm2，高于其他清洗。

有機污染對堿性紋理有很大影響，這種影響在不同的紋理化參數中都可以觀察到，在圖中顯示了參考晶片和受污染晶片的加權反射，反射從11%增加到蝕刻抗污染晶片的30%。

對有機污染最有效的清潔方法是sc1-清潔方法，被膠水污染的晶片，在此清洗步驟后可以成功地變形，而氫氧化鉀或DHCl/o3清洗步驟后的反射值與未清洗的晶片在同一區域，用抗蝕刻劑進行的污染似乎是最關鍵的，因為它們不能被任何使用過的清潔序列充分去除。

在不同紋理化實驗的表面放大的情況下，觀察到與已經描述的加權反射相同的行為，由SC1處理的參考物、漿液、乙酸和預清洗膠的表面放大范圍為1,50到1.60，而清洗不足的晶圓的表面放大范圍在不完全紋理化范圍內（<1,4），通過每個清洗過程的共聚焦顯微鏡圖像顯示，實驗結果為有機和金屬污染對堿性紋理化的影響提供了新的見解，結果表明，金屬污染對堿性紋理化的影響很小，對有機污染的調查表明，在所使用的濃度下，漿液和醋酸都不會對堿性紋理化造成問題，一個嚴重的問題是蝕刻劑，最小的殘留物完全阻止了紋理化機制，紋理浴中最小的抗污染導致其無法使用，氫氧化鉀去除的材料和臭氧或SC1的氧化電位都不能完全去除蝕刻劑。此外，研究表明，晶片過程中使用的膠水的殘差導致了微金字塔的起始問題，這可能是硅片上未紋理條的一個原因，原因可能是清洗的不發達或清洗過程的參數化不正確，與氫氧化鉀和DHCl/O3相比，標準結構中的SC1成功地消除了這些殘差，如圖所示參數的結果證明了這一點。
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