半導體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種，每種均針對特定類型的污染物設計，并通過化學反應實現高效清潔：

SC-1（堿性清洗液）

成分組成：由氫氧化銨（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水按比例混合而成，常見配比為1:1:5至1:2:7（體積比）。

核心作用：作為堿性溶液，主要用于去除顆粒、有機污染物及部分金屬雜質。其機理在于雙氧水的強氧化性分解有機物，同時氨水的堿性環境使硅片表面形成增厚的氧化層并攜帶負電荷，通過靜電排斥力剝離附著的顆粒；此外，該過程還能絡合金屬離子，防止重新沉積。

工藝參數：通常在70–80°C下處理5–10分鐘，后續需用大量去離子水徹底沖洗以避免殘留。

SC-2（酸性清洗液）

成分組成：含鹽酸（HCl）、過氧化氫（H?O?）和去離子水，典型配比為1:1:6至1:2:8（體積比）。

核心作用：針對金屬污染進行深度清除。鹽酸溶解金屬氧化物生成可溶性氯化物，而雙氧水進一步氧化殘留的金屬或有機物，尤其對堿性步驟后遺留的雜質有效。此步驟還能中和前序反應的堿性環境，確保表面電中性。

工藝參數：同樣在70–80°C條件下運行5–10分鐘，完成后必須充分水洗以終止反應并去除溶解產物。

稀釋氫氟酸（DHF）

成分組成：氫氟酸與水的稀釋混合物，常用比例為H?O:HF=100:1~20:1（體積比）。

核心作用：專門用于蝕刻去除SC-1/SC-2過程中形成的氧化層（如SiO?），同時釋放被吸附的金屬離子和微顆粒。由于其各向同性腐蝕特性，可均勻剝離表層而不損傷底層硅基體。

工藝要點：因HF的高腐蝕性和毒性，操作時間極短（通常1–2分鐘），且需嚴格監控濃度與溫度，避免過蝕風險。

硫酸-雙氧水混合液（SPM）

成分組成：濃硫酸（H?SO?）與雙氧水按3:1至5:1的比例調配。

核心作用：預處理階段的強力清洗劑，適用于去除頑固有機物及重金屬（如金、銅）。高溫下硫酸提供強酸性環境促使有機物脫水碳化，雙氧水則將這些碳化物氧化為氣體逸出，實現深度凈化。

工藝參數：需在100–120°C高溫下維持10–30分鐘，常用于晶圓初始脫脂或光刻膠去除前的準備工作。

緩沖氧化物蝕刻液（BOE）

成分組成：氫氟酸與氟化銨按1:6體積比配制。

核心作用：相較于純DHF，BOE通過緩沖體系實現更可控的二氧化硅蝕刻速率，減少對底層材料的損傷，常用于精細圖案轉移后的氧化層修整。

這些藥液通過分步反應協同作用，依次去除有機物、金屬離子、氧化層及顆粒污染物。實際生產中會根據污染物類型調整配方比例、溫度與處理時間，并結合兆聲波輔助提升清洗效率。