引言

濕化學蝕刻是制造硅太陽能電池的關鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因為它們可以形成具有隨機金字塔的表面紋理，從而增強單晶硅晶片的光吸收。對于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過在含HF/HNO 3的溶液中進行酸性蝕刻來實現。酸性溶液各向同性地蝕刻多晶硅晶片，即在所有晶體取向上產生圓形紋理。然而，酸性蝕刻工藝難以控制，并且化學廢物的處理昂貴。

為了克服這種對環境有害的酸性蝕刻工藝，同時保持mc-Si晶片的低反射率，最近提出了在KOH溶液中進行電化學紋理化。據報道，在較高的外加電位下，通過陽極極化可以在氫氧化鉀溶液中獲得mc-Si的各向同性織構表面。本文研究了腐蝕溫度對氫氧化鉀溶液中電化學腐蝕mc-Si晶片表面形貌和反射特性的影響。

實驗

本研究采用切割摻雜硼的鎂硅晶片，厚度為200μm，電阻率為1-1.5Ωcm。蝕刻前，直徑為2.5厘米的硅樣品用乙醇清洗，并用去離子水沖洗。所有樣品在70°C的4M氫氧化鉀溶液中預蝕刻7min，以去除鋸子損傷層。隨后，這些樣品被安裝在一個用O形環密封的特氟隆樣品支架中，這樣只有一個表面可以暴露在蝕刻溶液中，而后表面被壓在一根銅帶上，以進行良好的歐姆接觸。電化學實驗在不同溫度下的4M氫氧化鉀溶液中進行。采用傳統的雙電極裝置：陰極為薄鉑片，陽極為在+30伏下極化的硅樣品。該系統連接到一個直流電源，并由Labview軟件控制。

結果和討論

與溫度相關的蝕刻行為：圖1顯示了電化學過程中mc-Si樣品與溫度的電流密度-時間瞬變。

在（1）階段，由于一個薄薄的表面氧化物層的形成，電流密度在幾秒鐘內迅速下降到最小值。在正極化條件下，孔被泵送到p型硅的表面，增強氧化反應。同時將水分解為氧氣和質子。該反應導致硅表面pH局部減少，并保留了形成的氧化膜，因為二氧化硅在pH低于10時，熱力學穩定。蝕刻溫度越高，（1）級發生的時間就越短。

隨著氧化膜的生長，反應（2）終止，導致表面高pH恢復。

氧化硅在高酸堿度的溶液中不穩定，以硅酸鹽形式溶解。一旦氧化硅開始溶解，反應(2)上升，電流密度增加，如圖1中階段(2)所示。氧化膜的擊穿被施加的電勢增強，并且不均勻地發生在硅表面上，而是首先發生在電場更強的步驟(見圖2b)。電流持續增加，因為氧化硅的溶解在表面上呈平面狀擴散(圖2c)。當形成的氧化硅膜完全溶解時，電流達到最大值。隨后，包括氧化、水水解和氧化硅溶解在內的所有反應在階段(3)期間繼續使表面紋理化。與堿性溶液中的各向異性蝕刻相反，電化學紋理化中描述的反應與晶體的取向無關，因此形成各向同性紋理，如圖2d所示。

?

在60°C下的蝕刻形成了一個具有串聯體的表面紋理，這與各向同性酸性蝕刻中的紋理相似。當蝕刻時間足夠時，蝕刻凹處會出現微米大小的孔隙(圖3a)。在較低的溫度下，沒有形成凹面，并保留了表面進行化學蝕刻后形成的宏觀紋理(圖3b)。但在表面形成了均勻的納米孔隙結構(圖3c)。這些孔隙的大小大約為100納米。

結論

我們在氫氧化鉀溶液中進行電化學蝕刻，使多晶硅片紋理化。本文報道了不同腐蝕階段表面形貌的演變。由于在硅表面形成了均勻的納米多孔結構，室溫下電化學腐蝕獲得了最低的mc-Si晶片反射率。隨著刻蝕溫度的升高，織構趨于形成帶有微孔的凹陷，導致反射率增加。

審核編輯：符乾江