硅晶片的蝕刻預處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進行蝕刻預處理，特別是P(111)。

本發明涉及評估硅晶片內部缺陷(defect)的方法，在半導體器件的制造中，主要用作基板的硅晶片通常在制造高純度多晶硅棒后。隨著超大規模集成(ULSI)電路設備(device)密度的增加，設備所在晶片表面的活動區域沒有缺陷和污染，安全的降級區，特別是，在設備制造過程中，被熱遺棄的晶片內部的缺陷不僅表明消除對設備電氣特性有致命影響的金屬雜質的有益影響，而且對晶片的強度也有重要影響，因此準確評價晶片到目前為止，硅晶片內部的缺陷評價一直是通過將熱處理過的晶片切割干凈或角聚化后用光(wright)蝕刻液不均勻地蝕刻缺陷，用光學顯微鏡觀察蝕刻過的缺陷部位來進行的。

從上述晶片的切面簡單地用光蝕刻來評價出現的缺陷密度的方法具有簡單可行的優點，但根據硅片的類型，表面出現了artifact，觀察缺陷有困難。將現有硅晶片內部的缺陷評價球晶顯示在第一度。根據上述方法，特別是P(100)、N(100)、P Epi/P(100)晶片在蝕刻后表示良好的morphology(形態)，但P(111)、N(111)內部存在的缺陷種類及密度的技術相當重要。

本發明旨在解決現有技術)存在的問題，目的是通過對所有硅片形成良好的Mopolo紙，提供一種硅片蝕刻預處理方法，以準確評估熱處理和外延生長后硅晶圓內部有機缺陷的種類和密度。此外，還對硅片進行角聚化，對上述角聚化的硅片進行最終聚化，]對上述最終聚化的硅片進行超聲波清洗后，用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅片進行SC-1清洗后，用去離子水沖洗，將上述清洗和沖洗的硅片用佛山三次后，用去離子水沖洗。

首先準備熱處理和外延生長的硅片樣品，用大約40分鐘對晶片水平面傾斜0度17分鐘至11度32分鐘，得到角度聚合的硅片。將上述憤怒的硅片聚合約10分鐘，最終聚合。可以在上述角度拋光中使用玻璃板或漿料。上述超聲波清洗將起到清除硅片表面異物的作用。 在第二圖中表示了根據本發明使用蝕刻預處理方法的硅晶片內部耦合評價方法。在上述評價方法中，將經過刻蝕預處理過程的硅片浸泡在光溶液中約5分鐘，蝕刻缺陷染色。用后去離子水沖洗5分鐘，用光學顯微鏡觀察晶片樣品。

將P(111)晶片樣品對硅片的水平面傾斜11度32分鐘，用玻璃板對其進行40分鐘角化[0016]聚合后，用聚合墊(Suba公司制造)在10分鐘前進行最終聚合。用超聲波將這個假裝5分鐘，然后用去離子水沖洗10分鐘。用氨、過氧化氫和去離子水的比例為1:2:30的SC- 1清洗10分鐘，用去離子水沖洗5分鐘。再次用佛山和去離子水比例為1:30的佛山清洗5分鐘，用去離子水沖洗5分鐘，然后浸泡在光溶液中5分鐘，稱為缺陷染色，用去離子水沖洗5分鐘。通過光學顯微鏡觀察經過上述過程的晶片樣品，并將結果顯示在第3(a)圖中。

除了上述比較例1中使用了N(111)晶片樣本外，與比較例1實際上實施相同，結果顯示在第4(b)圖中。

從上述結果可以看出，通過實施例的方法蝕刻染色的硅晶片與比較例相比，沒有形成沉積物[0031]，形成了良好的Mopolo紙。根據本發明的硅晶片的蝕刻預處理方法包括所有種類的硅晶片，特別是P(111)、N(111)、P [0032] Epi/N(100)、N Epi/N(100)、N Epi此外，還可用于硅晶體生長技術及設備過程的開發分析。

最終聚合角度聚合的硅片，用超聲波清洗上述最終聚合的硅片后，用去離子水沖洗，上述清洗和沖洗的硅片用SC-1清洗后，用去離子水沖洗；清洗和沖洗的硅片用佛山清洗后，用去離子水沖洗的步驟，含有的將硅片角化；對上述角度聚合的硅片進行最終聚合；用超聲波清洗上述最終聚合的硅片后，用去離子水沖洗；上述清洗和沖洗的硅片用SC-1清洗后，用去離子水沖洗；上述清洗和沖洗的硅片用佛山清洗后，用脫離子水沖洗；上述清洗和沖洗的硅片沉積在光蝕刻液中，以染色蝕刻；用光學顯微鏡觀察上述染色蝕刻的硅片；含有的硅片內部缺陷評估方法。
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　　審核編輯：湯梓紅