引言

了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。

溶液有KOH)、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的< 100 >表面做出反應，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計、光學傳感器等整體MEMS裝置結構形成等中使用。

實驗

KOH硅濕法蝕刻工藝

工藝模擬過程中使用了150 mm晶片，蝕刻厚度為610 μm。整個工序流程是Fig。等于4，用反射計測量了實驗中使用的熱處理氧化膜的厚度，Fig。確認平均為1.2 μm，如5所示。為了形成波托雷吉斯特(AZ-1512)

在97 ℃下進行了100秒的Soft bake。老光使用i-line ultra violet (UV) light，hard bake在120 ℃下進行了10分鐘。之后，使用緩沖氧化技術(BOE)去除SiO2、去除葡萄藤、Si濕式蝕刻和殘留氧化膜劑。

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進行工藝結果實驗時，Fig。就像6一樣，硅與KOH正常反

用顯微鏡觀察了響應。實驗在沒有單獨裝置的情況下冷卻了硅，結果是Fig。像7一樣，確認了晶片背面被遺忘的現象。這使得整個晶片都變薄了，硅的硬度減少了。為了防止這種現狀，進行穩定的濕式蝕刻工藝，設計并制作了硅后向蝕刻防止裝置。

裝置使用工藝結果表明，將開發的裝置應用于濕式蝕刻工藝，結果與Table 1相同。穩定地將150 mm晶片的總厚度610 μm從最小1mm￥0.5mm到最大9mm￥9mm等多種圖案蝕刻出來，并表現出與前面提到的(1)、(2)的公式相似的傾向性。但是，選擇比出現了差異，這可能是氧化膜生長過程中氫含量的差異所致和投籃時，晶片的硬度相對優秀。上述結果證實，通過使用開發的裝置的KOH濕式蝕刻工藝，可以在一個晶片上形成多種MEMS的結構。

結論
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MEMS裝置的制造要求各向異性蝕刻，以確保晶片整體的圖案均勻性和硅的硬度。

一切。本研究為此開發了150毫米晶片背面防蝕刻裝置。實驗結果確認硅穩定地蝕刻到最大深度610 μm。此外，如果能夠設計和制作符合各種硅片大小的裝置，并應用本研究等工藝方法，將對提高穩定性和產量做出重大貢獻。

審核編輯：湯梓紅