引言

半導體制造業面臨的最大挑戰之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染，空氣中含有高度的有機顆粒污染物。由于強大的靜電力，這些污染物牢固地結合在硅晶片表面，給半導體制造行業帶來了許多令人頭痛的問題。

為了正常工作，硅晶片必須完全沒有任何污染物。然而，去除這些污染物并不是最簡單的任務，因為硅晶片非常易碎。因此，半導體制造企業必須堅持精心制定的清潔計劃，確保晶圓表面恢復到清潔狀態，同時保持最小的損壞風險。

為了最有效地清洗硅片，硅酮制造商推薦以下清洗步驟:

第一步:溶劑清洗

半導體制造企業使用溶劑成功去除硅片表面的油和有機殘留物。雖然溶劑確實能去除這些污染物，但溶劑本身也會在晶片表面留下殘留物。由于這個原因，實施了雙溶劑方法以確保晶片回到無污染狀態。溶劑清洗方法概述如下:

?準備兩個浴槽，一個玻璃容器裝有丙酮，另一個裝有甲醇。

?將丙酮容器放在加熱板上，將丙酮加熱至不超過55°c的溫度。

?一旦變暖，將硅片浸泡在丙酮浴中10分鐘。

?丙酮浴完成后，取出硅片并將其放入甲醇容器中5分鐘。

?時間一到，將晶片從甲醇中取出，在去離子水中沖洗。

?用氮氣吹干硅片。

第二步:清潔RCA-1

·???????? 通過混合5份去離子水和1份氫氧化銨(27%)開始準備RCA槽。

·???????? 將RCA容器放在加熱板上，將溶液加熱至大約70°c的溫度。

·???????? 一旦達到該溫度，從熱板上取下容器，并加入1份過氧化氫(30%)。一兩分鐘后溶液會冒泡。

·???????? 一旦溶液開始冒泡，浸泡硅片大約15分鐘。

·???????? 時間一到，將晶片從RCA槽中取出，放入裝有去離子水的容器中，多次換水以徹底沖洗溶液。

·???????? 在此過程之后，在流動的水中從容器中取出晶片，以確保沒有來自水面的殘留物粘在晶片上。

第三步:氫氟酸浸泡

半導體制造企業然后實施最后一步，HF浸泡，以從硅晶片表面去除二氧化硅。需要注意的是，HF是一種危險的化學物質，因此硅樹脂制造商建議在此步驟中始終穿戴防護裝備，如厚手套和護目鏡。HF浸漬工藝概述如下:

?將480毫升水和20毫升氫氟酸混合，制成一個氫氟酸浸泡容器。始終使用聚丙烯燒杯，而不是玻璃燒杯，因為眾所周知，當HF與任何玻璃材料接觸時會發生危險的反應。

?生成溶液后，將硅片浸泡2分鐘。

?時間一到，取出晶片，在流動的去離子水中沖洗。

?通過將去離子水倒在晶片表面進行潤濕性測試。如果水變成小珠子滾下來，你就知道表面是疏水的，沒有氧化物。

?用氮氣吹干硅片。

執行硅酮制造商推薦的上述步驟將有助于半導體制造行業的企業克服硅片污染的挑戰。

　　審核編輯：湯梓紅