2020年下半年，納芯微如何前瞻數字隔離芯片在中國工業市場的前景和技術走向？慕尼黑華南電子展上納芯微帶來了哪些重磅產品？納芯微在安防、電力電子和服務器等應用領域有哪些成功案例？11月4日，在電子發燒友的視頻直播間，納芯微隔離與接口產品線市場總監張方文帶來了精彩的市場分析以及對產品和方案的最新解讀。
2020-11-09 11:30:26
15624 結構。因此，<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術中實現三維結構的關鍵過程。這些結構包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實際的反應機理尚不清楚，該過程
2022-03-08 14:07:252479 
的蝕刻溶液內進行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽兢的半導體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對向，在夾子中放入氮氣泡泡，通過該泡泡注入地素的半導體硅基板的蝕刻方法，一種半導體硅基板的蝕刻方法，使氮氣泡沫器與
2022-03-24 16:47:484410 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011909 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術在硅中產生溝槽結構的簡單技術，通過使用(110)Si的取向相關蝕刻，可能在硅中產生具有垂直側壁的溝槽，與該技術一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151464 
項工作中，使用光刻和蝕刻技術將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度
2022-06-10 17:22:589764 
本文描述了我們華林科納用于III族氮化物半導體的選擇性側壁外延的具有平面側壁刻面的硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產鰭片。使用等離子體增強化學氣相沉積來沉積二氧化硅，以產生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因為不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
來源：易百納技術社區 隨著人工智能技術的不斷進步，深度學習成為計算機視覺領域的重要技術。微表情識別作為人類情感分析的一種重要手段，受到了越來越多的關注。本文將介紹基于深度學習的微表情識別技術，并提
2023-08-14 17:27:053846 
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
硅技術引領汽車設計時代現代汽車中的半導體技術和產品正在迅猛增加，消費者對附加功能的需求正將汽車從一個以電氣系統為輔的機械系統，變成一個沒有電子系統就無法正常運行的機電系統。這一發展趨勢刺激了市場對優質、強大并具有成本效益的硅解決方案的需求。
2009-12-11 16:07:32
光子集成電路(PIC)是一項新興技術，它基于晶態半導體晶圓集成有源和無源光子電路與單個微芯片上的電子元件。硅光子是實現可擴展性、低成本優勢和功能集成性的首選平臺。采用該技術，輔以必要的專業知識，可
2017-11-02 10:25:07
利用準分子納秒激光誘導的細長須狀結構和飛秒激光輻照下產生的具有表面枝蔓狀納米結構的錐形微結構。實驗結果表明,這種尖峰微結構的形成與輻照激光的波長和脈沖持續時間有關。對空氣中微構造硅的輻射反射的初步研究
2010-04-22 11:41:53
、氫氟酸系、硫酸鹽系、硫酸系、堿性氯化銅和酸性氯化銅系。蝕刻開始時，金屬板表面被圖形保護，其余金屬面均和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度進行。當金屬表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側出現新的金屬面，這時蝕刻液
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
概覽高端設計工具為少有甚是沒有硬件設計技術的工程師和科學家提供現場可編程門陣列(FPGA)。無論你使用圖形化設計程序，ANSI C語言還是VHDL語言，如此復雜的合成工藝會不禁讓人去想FPGA真實
2019-07-29 08:12:26
批量微加工主條目：批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整個厚度用于構建微機械結構。[18]使用各種蝕刻工藝來加工硅。玻璃板或其他硅片的陽極鍵合可用于添加三維尺寸的特征并進
2021-01-05 10:33:12
的RFID標簽耐用年限為十年以上。 按照美國護照案（e-passport）要求，其tag之耐用年限基本要求為十年以上，必須采用蝕刻技術制造。以下簡單介紹繞線、印刷二種技術的特點和差異。
2019-06-26 06:17:24
鏡面硅結構時，表面的平滑度和蝕刻速率是關鍵參數。我們展示了一種從單晶硅創建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側壁。該技術使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
適用范圍 印制線路板制造業發達地區集中開展含銅蝕刻廢液綜合利用。 主要技術內容 一、基本原理 將印制線路板堿性蝕刻廢液與酸性氯化銅蝕刻廢液進行中和沉淀，生成的堿式氯化銅沉淀用于生產工業級硫酸銅；沉淀
2018-11-26 16:49:52
當前MEMS技術在傳感器領域已得到廣泛應用并取得了巨大成功。使用硅基微機械加工方法制作的微傳感器不僅體積小，成本低，機械牲好，并且能方便地與IC集成。形成復雜的微系統。
2011-03-22 17:44:34
。 體微加工采用各向異性蝕刻技術，切割硅晶圓或石英晶圓，從而創造出結構。 結構的特性尺寸由晶圓厚度以及蝕刻角度確定。 諸如晶圓鍵合等工藝可用來削減晶圓厚度，但哪怕采用了這項先進的工藝，加速度計傳感器尺寸
2018-10-15 10:33:54
本文將介紹和比較在硅光電子領域中使用的多種激光器技術，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術。我們還會深入探討用于各種技術的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進硅光子技術廣泛普及的過程中發揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片與工作臺面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳?！ 榱丝朔F有技術的不足，本發明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
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