超結MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導體領域中突破傳統性能限制的關鍵器件。它通過在器件結構中引入交替分布的P型與N型柱區，實現了在高耐壓下仍保持低導通電阻的特性，顯著提升了功率轉換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:46
1417 
三星2nm GAA芯片量產背后，隱藏“測不準”危機。原子級尺度下，量子隧穿、工藝波動等使芯片從“確定性”轉向“概率性”，傳統測試假設崩塌。測試面臨測量精度不足、動態功耗管理復雜、信號完整性脆弱三重
2025-12-30 17:02:17446 RAA2P3200評估套件快速上手：硬件與軟件設置全解析 在電子工程領域，對新設備進行快速評估和驗證是產品開發過程中的關鍵環節。Renesas的RAA2P3200評估套件
2025-12-26 15:45:03110 RAA2P4200評估套件快速上手：硬件與軟件設置指南 在電子設計的世界里，能夠快速評估和驗證新設備的性能是加速產品開發的關鍵。瑞薩電子（Renesas Electronics）的RAA2P
2025-12-26 14:55:02130 整合：與上游原材料供應商（如GaN外延片廠商）、下游客戶（如新能源車廠商）建立戰略聯盟，共享成本與風險。例如，Neway與比亞迪聯合開發車載GaN模塊，分攤研發與認證成本。行業標準制定：參與GaN技術相關標準制定，推動行業生態完善，降低測試與認證成本。
2025-12-25 09:12:32
在顯示面板、觸摸屏、光伏組件等光電子領域，氧化銦錫（ITO）透明導電膜因兼具高可見光透過率與優異導電性能，成為核心基礎材料。其性能參數直接決定終端器件的可靠性與能效，而精準測試則依賴穩定的模擬光照
2025-12-15 18:05:08988 
啟明云端基于樂鑫科技ESP32-P4芯片設計了多款開發板，這些開發板有什么區別？基于應用場景如何選擇？本期，我們聚焦兩款代表性產品：WT99P4C5-S1開發板與WT9932P4-TINY開發板，從
2025-12-09 18:02:30427 
NVIDIA 最近發布了 NVIDIA Cosmos 開放世界基礎模型（WFM）的更新，旨在加速物理 AI 模型的測試與驗證數據生成。借助 NVIDIA Omniverse 庫和 Cosmos，開發者可以大規模生成基于物理學的合成數據。
2025-12-01 09:25:05751 在嵌入式邊緣AI中，如何把“訓練好的模型”穩定地“跑在板子上”，決定了項目能否落地。我們帶你基于RA8P1平臺，跑通從數據準備、模型訓練、量化轉換，到工程部署的整個流程，幫助你快速實現在RA8P
2025-11-20 18:06:181814 
PN 結是構成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導體器件的核心結構，其本質是 p 型半導體與 n 型半導體接觸后，在交界面形成的特殊功能薄層。PN 結的形成主要通過兩種方式：一是將獨立
2025-11-11 13:59:001274 
芯品發布高可靠GaN專用驅動器，便捷GaN電源設計GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉化效率的優勢，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強型GaN功率器件的驅動電壓一般在5~7V，驅動窗口相較于傳統
2025-11-11 11:46:33687 
電子發燒友網綜合報道 近日，安森美發布器垂直GaN功率半導體技術，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構與多項性能突破，為全球高功率應用領域帶來革命性解決方案，重新定義了行業在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 和X-NUCLEO-OUT04A1擴展板。P-NUCLEO-IOD04A1可用于評估目的和用作開發環境。STM32 Nucleo pack為開發IO-Link和SIO應用提供一套既經濟實惠又易于使用的解決方案，用于評估IPS2050H-32高側功能以及STM32L073RZ計算性能。
2025-10-23 09:32:11432 
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創新、電路優化與封裝設計，實現了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
NVIDIA 現已開源 Audio2Face 模型與 SDK，讓所有游戲和 3D 應用開發者都可以構建并部署帶有先進動畫的高精度角色。NVIDIA 開源 Audio2Face 的訓練框架，任何人都可以針對特定用例對現有模型進行微調與定制。
2025-10-21 11:11:08673 
本征氫化非晶氧化硅（i-a-SiO?:H）是a-Si:H/c-Si異質結太陽電池的重要鈍化材料，兼具PECVD低溫沉積、帶隙寬等優勢，但i-a-SiO?:H鈍化性能與制備工藝、儀器密切相關；目前室溫
2025-10-20 18:04:05621 
和X-NUCLEO-DO40A1擴展板組成。該Nucleo套件可用于評估目的和用作開發環境。P-NUCLEO-IOD5A1套件用于開發IO-Link和SIO應用，用于評估具有STM32G071RB計算性能的IPS4140HQ高側功能。該Nucleo套件用于IO-Link連接和工廠自動化等應用。
2025-10-16 10:01:11545 
運行時會產生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯MOSFET并不能節省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術。業界對GaN器件性能表現的關注，相應地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優化應用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅動進
2025-10-15 11:27:0221898 
GaN-MOSFET 的結構設計中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應用場景，核心差異體現在結構設計、性能特點和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
的Kintex UltraScale+開發板采用核心板+底板結構，核心板提供KU3P/KU5P兩種型號，配備2GB DDR4、256Mb QSPI Flash等資源，通過240P高速連接器與底板連接。底板集成了千兆以太網、QSFP28、MIPI、FMC、PCIe等豐富接口，并內置USB-JTAG調試器
2025-09-26 10:46:19782 
配備豐富接口：42 個可編程 GPIO，支持常見外設接口如 USB(含OTG)、SD/MMC、UART、I2C、SPI、PWM、ADC、IR、touch等
軟硬件一體，專為 AI 玩具量身定制
不止于開發板，更是大模型 DIY 創意配件
2025-09-25 11:47:11
在萬物互聯的智能時代，您是否還在為尋找一款性能強大、接口豐富、應用靈活的嵌入式開發板而煩惱？啟明云端全新推出的WT9932P4-TINY開發板，基于樂鑫科技高性能ESP32-P4芯片匠心打造，專為安
2025-09-11 18:06:291153 提供一個歐美標充電模型，交付物為白盒Simulink模型
2025-09-04 16:23:17
案例：支持圖像和文本交互
步驟 1：環境準備
步驟 2：模型的獲取、驗證與格式轉換
步驟 3：修改代碼并交叉編譯可執行文件并上傳到板子上
步驟 4：上傳文件到開發板
性能測試 Tips
多模態效果
2025-08-29 18:08:27
在 2025 年的 Google 谷歌開發者大會上，AI 不是一門“技術”，更是一股徹底改變開發范式的“力量”，助力開發者們在海外市場更上一層樓。AI 已經不僅僅是生成幾行代碼，它正在全面提升整個開發過程。從模型突破到工具優化，從本地開發到全球落地，每一項更新，都在回應開發者最迫切的需求。
2025-08-29 09:29:24985 NVIDIA 正式推出準確、高效的混合 Mamba-Transformer 推理模型系列 NVIDIA Nemotron Nano 2。
2025-08-27 12:45:441570 
OpenAI 已向公眾發布了兩款 AI 模型，允許開發者和企業可自由下載、運行并進行定制。其中一款模型現已部署在 IBM watsonx.ai 開發平臺上。
2025-08-26 15:36:24891 Texas Instruments LM5185EVM-SIO評估模塊有助于對LM5185-Q1控制器的功能和性能進行廣泛評估。LM5185-Q1初級側調節 (PSR) 反激控制器具有可調節環路補償
2025-08-05 15:02:51801 
在紡織行業的織造前道工序中，穿經機如同一位精密的 “紡織裁縫”，將數百至數千根纖細經紗精準穿入停經片、綜絲和鋼筘，為后續織造環節奠定基礎。然而，傳統穿經機的控制方式常因信號傳輸距離遠、設備協同性差等
2025-08-01 16:27:16711 
的垂直GaN HEMT功率器件技術。 ? 致能半導體全球首次在硅襯底上實現了垂直的GaN/AlGaN結構生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎，致能實現了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個垂直常關器件(E-mode HEMT)。通過去除生長用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
【HarmonyOS 5】鴻蒙中Stage模型與FA模型詳解 ##鴻蒙開發能力 ##HarmonyOS SDK應用服務##鴻蒙金融類應用 （金融理財# 一、前言 在HarmonyOS 5的應用開發
2025-07-07 11:50:23765 此前，6月27-28日，由極客邦科技旗下InfoQ中國主辦的“AICon全球人工智能開發與應用大會”在北京舉辦。作為行業領先的視覺AI公司，格靈深瞳受邀參會。
2025-07-05 16:15:231349 【正點原子STM32MP257開發板試用】圖像分割
本文介紹了正點原子 STM32MP257 開發板基于 DeepLab 模型實現圖像分割的項目設計。
DeepLab 模型
DeepLab-v3
2025-06-21 21:11:56
迅為RK3576開發板NPU環境搭建和使用rknn-toolkit2功能演示模型轉換
2025-06-19 10:53:111055 
折射率介質亞微米量級的二氧化鈦(TiO2)圓盤作為標準異質結硅太陽能電池的抗反射惠更斯超表面在試驗中進行開發。無序陣列使用基于膠體自組裝的可伸縮自下而上的技術制造，該技術幾乎不考慮設備的材料或表面形態
2025-06-17 08:58:17
SGK5872-20A
類別：GaN 產品 > 用于無線電鏈路和衛星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P
2025-06-16 16:18:36
一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學的工程師們宣稱，他們已經打開了一扇大門，有望制備出
2025-06-12 15:44:37800 
在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質層的厚度已縮至1納米以下（約5個原子層）。此時，傳統二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導致的漏電功耗可占總功耗的40%。
2025-06-12 14:11:582388 
卡片切換
卡片切換主要包含如下三部分：
卡片頁面布局：FA模型卡片和Stage模型卡片的布局都采用類web范式開發可以直接復用。
卡片配置文件：FA模型的卡片配置在config.json中
2025-06-06 08:10:24
團隊開發了 GaN基VCSEL的動態物理模型 ，揭示了器件內部載流子輸運行為對激光器動態特性的影響規律。 GaN材料固有的極化特性導致GaN基VCSEL有源區中產生了量子限制斯塔克效應（QCSE），這一效應不僅會降低器件的受激復合效率，還會引發嚴重
2025-06-05 15:58:20440 
VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統的參數，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.
2025-06-05 08:46:36
module的切換
從FA模型切換到Stage模型時，開發者需要將config.json文件module標簽下的配置遷移到module.json5配置文件module標簽下，具體差異
2025-06-05 08:16:38
FA模型訪問Stage模型DataShareExtensionAbility
概述
無論FA模型還是Stage模型，數據讀寫功能都包含客戶端和服務端兩部分。
FA模型中，客戶端是由
2025-06-04 07:53:37
模型切換概述
本文介紹如何將一個FA模型開發的聲明式范式應用切換到Stage模型，您需要完成如下動作：
工程切換：新建一個Stage模型的應用工程。
配置文件切換：config.json切換
2025-06-04 06:22:17
目錄
1，整機線路架構
2，初次極安規Y電容接法
3，PFC校正電路參數選取及PCB布具注意事項
4，LLC環路設計注意事項
5，GaN驅動電路設計走線參考
6，變壓器輸出整流注意事項
一，整體線路圖
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2025-05-28 16:15:01
高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
輸入側采用 SiO2 電容隔離技術與輸出側隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提供低器件間偏斜、>150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。
2025-05-16 18:00:09807 
RKLLM工具鏈是一個專為在Rockchip NPU平臺上部署大語言模型（LLM）而設計的開發套件。它主要包括RKLLM-Toolkit和RKLLM Runtime兩個核心組件
2025-05-16 17:48:582035 
當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
ELF 2開發板本地部署DeepSeek大模型的完整指南
2025-05-16 11:13:222376 
超結MOS采用垂直結構設計，在漂移區內交替排列垂直的P型柱區和N型柱區，形成“超級結”單元，通過電荷補償技術突破傳統功率半導體“硅極限”的高壓器件，其核心設計通過優化電場分布實現低導通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
FA模型與Stage模型介紹
KaihongOS操作系統中，FA模型（Feature Ability）和Stage模型是兩種不同的應用模型，它們提供了不同的應用開發方式和特性。
FA模型
2025-04-24 07:27:21
電子發燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關）。這是一種較為新型的GaN功率器件產品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 的難度加大;③控制系統成本相應提高。純分享帖，需要者可點擊附件獲取完整資料~~~*附件：電機控制系統星三角啟動轉換器的開發與應用.pdf
【免責聲明】本文系網絡轉載，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請第一時間告知，刪除內容！
2025-04-17 22:33:54
大模型實戰（SC171開發套件V3）
序列
課程名稱
視頻課程時長
視頻課程鏈接
課件鏈接
工程源碼
1
火山引擎豆包大模型調試指南
3分31秒
https://t.elecfans.com/v
2025-04-16 18:52:09
ITO薄膜的表面粗糙度與厚度影響著其產品性能與成本控制。優可測亞納米級檢測ITO薄膜黃金參數，幫助廠家優化產品性能，實現降本增效。
2025-04-16 12:03:19824 
AI的演進正在逼近“終端智能涌現”的拐點，從通用模型向場景落地遷移成為關鍵議題。聯發科以“AI隨芯，應用無界”為主題召開天璣開發者大會2025（MDDC 2025），不僅聚合了全球生態資源，還
2025-04-13 19:52:44
個SiO2薄層。
接下來進行光刻。第一步是在SiO2薄層上均勻涂布正性光刻膠層；第二步是隔著光掩膜版向下面的正性光刻膠層曝光；第三步是對光刻膠層進行定影和后烘固化；第四步是顯影，即腐蝕溶解掉感光區域
2025-04-02 15:59:44
繼香橙派昇騰系列產品、OrangePi5系列產品完成與DeepSeek模型的深度適配之后，香橙派日前官方發布OrangePiRV2運行Deepseek-R1蒸餾模型實操指南。OrangePiRV2
2025-03-28 11:55:031546 
電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)LC-DC01P2相關產品參數、數據手冊，更有LC-DC01P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LC-DC01P2真值表，LC-DC01P2管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-25 18:40:50
電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA20-220S48P2D4相關產品參數、數據手冊，更有FA20-220S48P2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，FA20-220S48P2D4真值表，FA20-220S48P2D4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:55:44
電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)LC-AC01P2相關產品參數、數據手冊，更有LC-AC01P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LC-AC01P2真值表，LC-AC01P2管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:50:42
解析PN結的整流特性及其在整流二極管中的物理機制。2.PN結的基本結構PN結是由兩個摻雜類型不同的半導體材料（P型和N型）組成：P型半導體含有大量空穴（正電荷載流子
2025-03-21 09:36:461412 
電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA20-300S24H2D4P2相關產品參數、數據手冊，更有FA20-300S24H2D4P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
2025-03-18 18:29:59
GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進行詳細的熱模擬。 模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創建，并已由GaN Systems驗證。 選擇了考爾（Cauer）模型，使客戶
2025-03-11 18:32:031433 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112142 
遵照 將 YOLOv4 模型轉換為 IR 的 說明，但無法將模型轉換為 TensorFlow2* 格式。
將 YOLOv4 darknet 轉換為 Keras 模型時，收到 TypeError: buffer is too small for requested array 錯誤。
2025-03-07 07:14:29
， ● 鏈路1: 可通過注入節點調用DeepSeek節點，并將結果輸出到debug1。 ● 鏈路2: 可通過web對話頁調用DeepSeek節點，最終將大模型結果輸出到對話頁面上。 ● 鏈路3: 可通過開發
2025-03-06 17:02:59
選擇底層開發還是應用開發，需要綜合考慮個人興趣、職業規劃、技術能力、市場需求和發展前景等多個因素。
以下是關于底層開發與應用開發的詳細對比，希望可以幫助你做出更合適的選擇：
一、底層開發
1.
2025-03-06 10:10:40
折射率介質亞微米量級的二氧化鈦(TiO2)圓盤作為標準異質結硅太陽能電池的抗反射惠更斯超表面在試驗中進行開發。無序陣列使用基于膠體自組裝的可伸縮自下而上的技術制造，該技術幾乎不考慮設備的材料或表面形態
2025-03-05 08:57:32
近日，字節跳動旗下扣子AI工坊硬件專場活動深圳現場，全球領先的物聯網解決方案商機智云發布重要平臺升級，正式推出行業首個標配DeepSeek和豆包大模型的AIoT開發平臺，深度融合火山引擎云原生架構
2025-03-04 10:29:391413 不同的具有亞波長結構的系統的例子的鏈接：由不同直徑的納米柱排列構建的超透鏡的設計工作流程的示意圖，和基于受抑全內反射（FTIR）工作原理的棱鏡分束器，其中分束器的兩臂之間的能量再分配是通過倏逝波隧穿一層很薄
2025-03-04 09:59:44
開發了 發光-探測雙功能物理模型 ，同時提出并設計了具有非對稱多量子阱結構的AlGaN基發光-探測雙功能集成光電子器件：在發射區中采用極化自屏蔽的有源區結構，在探測區中采用常規有源區結構。 ? ? ? 圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結構
2025-03-03 11:45:22713 
與OK3588-C開發板的深度融合，標志著國產AI大模型從云端向邊緣端的延伸。這種“先進算法+定制化芯片”的協同模式，不僅解決了邊緣側實時性、隱私保護等關鍵需求，更構建起從技術研發到產業賦能的完整價值鏈條，為
2025-02-27 16:45:58
隨著智慧城市和交通強國兩大戰略的不斷推進，人工智能在智能交通領域的應用愈發廣泛。近日，博實結自主研發的博云車聯（乘用車管理）、博云視控（商用車智能物聯）兩大云管理平臺通過深度融合DeepSeek大模型技術，持續推動"車-路-云"一體化智慧交通生態建設。
2025-02-25 17:38:431090 大模型熱潮的持續高漲，讓各類Agent應用開發需求也快速激增。
2025-02-25 10:09:26998 
厚度成為影響晶體管性能的關鍵因素。然而，柵氧厚度的減小極限受到隧穿漏電效應的限制，當氧化硅層薄至2nm以下時，隧穿漏電現象變得顯著，且隨厚度減小呈指數級增長，使得1nm以下的柵氧厚度變得不切實際。 為了克服這一挑戰，英特爾
2025-02-20 10:16:361303 
Ta2O5/SiO2氧化物DBR?所實現如圖?7-12，其特點為在共振腔中插入了AlGaN?電流阻擋層且將?ITO?厚度減薄至30奈米。2011年，為了達到更好的電流局限效果以及降低ITO的吸收，本研究團隊
2025-02-19 14:20:431085 
電子發燒友網站提供《NX-HB-GAN3R2-BSC半橋評估板.pdf》資料免費下載
2025-02-18 17:29:54
2 7-8所示。下DBR?為29?對?AlN/GaN DBR，之后成長790nm的n?型氮化鎵與?10對的In0.2Ga0.8N/GaN?多量子井結構，最后成長120nm?的p型氮化鎵，整體共振腔厚度約5
2025-02-18 11:25:361389 
λ光學厚度的共振腔成長于35?對Al0.34Ga0.66N/GaN DBR上，而上DBR?則為6對的TiO2/SiO2所組成，此即為混合式?DBR VCSEL?結構，其中上下?DBR?的反射率分別為
2025-02-18 09:56:041102 
在 AI 技術日新月異的當下，新的模型與突破不斷涌現。近期，DeepSeek（深度求索）模型以其卓越性能和親民成本，迅速在全球開發者圈子里引發熱議。作為一款強大的語言模型，DeepSeek 不僅
2025-02-14 17:42:04
了新的動能。 從容大模型訓推一體機是云從科技基于昇騰AI基礎軟硬件平臺推出的創新產品。該產品集成了大模型一體化生產平臺，具備模型訓練、推理、管理全流程功能，能夠為用戶提供一站式的大模型開發與應用體驗。 該一體機支持語言、
2025-02-14 15:44:001429 電子發燒友網站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 16:10:220 電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 電子發燒友網站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:24:192 動車組設備艙安裝工序緊固件數量龐大，1列8編組的動車就多達6000余套。近期，中國中車集團旗下中車廣東公司研發推出螺栓自動穿墊涂膠一體化裝置。與傳統的手工穿墊相比，智能設備穿墊速度快、工時短，有效減少了作業前的物料準備時間。
2025-02-12 10:30:16741 AI開發平臺極大地簡化了AI應用的開發流程，從環境搭建、模型訓練到部署集成，每一步都提供了豐富的工具和資源。那么，AI開發平臺模型怎么用呢？下面，AI部落小編帶您了解。
2025-02-11 09:53:05671 簡介
ELF 2學習板基于瑞芯微RK3588旗艦處理器開發設計，處理器采用先進的8nm制程工藝，集成4×Cortex-A76+4×Cortex-A55內核架構，A76核主頻高達2.4GHz，A55核
2025-02-09 17:57:09
《基于大模型的RAG應用開發與優化》試讀報告
——第一章：了解大模型與RAG
近年來，隨著人工智能技術的快速發展，大模型與生成式AI技術逐漸成為成功引起了我的關注，尤其是最近給美股沉重打擊
2025-02-07 10:42:25
VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統的參數，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.
2025-02-05 09:35:38
在完成選擇性氧化制程后，通常會將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續作為氧化制程保護層的?SiO2或?SiNx以RIE?蝕刻去除，然后再將樣品放入?PECVD?重新成長??SiO2或?SiNx表面披覆
2025-01-24 10:59:291322 
近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術突破：成功開發出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:061301 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
，金剛石近結散熱技術應運而生，成為提升 GaN 器件散熱能力的有效解決方案。以下將詳細介紹該技術的三種主要途徑及其優勢與挑戰。 ? 金剛石襯底鍵合集成散熱技術 源于美國 DARPA 于 2012 年牽引的 NJTT 項目，眾多國際研發機構投身其中。其
2025-01-16 11:41:411729 
Tuning）和Prompt-Tuning：通過在輸入序列中添加特定提示來引導模型生成期望的輸出，簡單有效，適用于多種任務。P-Tuning v1和P-Tuning v2：基于多任務學習的微調方法，通過
2025-01-14 16:51:12
遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結
2025-01-14 09:42:281901 
經數百萬小時的駕駛和機器人視頻數據訓練的先進模型，可用于普及物理 AI 開發，并以開放模型許可形式提供。
2025-01-09 11:05:341435 CERNEX寬帶高功率放大器（GaN）CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各種類型通用性技術應用，如實驗測試設備、儀表設備和其他需要高功率輸出的應用。使用穩固的帶狀線邏輯電路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22
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