近日，朗迅科技參與國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項 ——?GaN基新型電力電子器件關鍵技術綜合績效評價會議，至此，該項目順利結題。

“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項——GaN基新型電力電子器件關鍵技術由西安電子科技大學敖金平教授牽頭，總項目經(jīng)費5156萬元，其中中央財政經(jīng)費1489萬元。

該項目由西安電子科技大學、南京大學、深圳大學、中國科學院微電子研究所、半導體研究所、中山大學、中科院納米技術與納米仿生研究所、香港科技大學深圳研究院、揚州揚杰電子、江蘇能華微電子、西安交通大學和杭州朗迅科技有限公司等13家大學、科研院所及高科技企業(yè)聯(lián)合申請，匯集了國內GaN基電力電子器件研究的主要優(yōu)勢單位和骨干研究力量。

該項目包括四個子課題，其中，課題四“高頻高效率超小型GaN基功率開關電源模塊”參與單位為深圳大學、西安交通大學和杭州朗迅科技有限公司。該課題由深圳大學劉新科博士牽頭，朗迅科技組織包括徐振董事長在內的15人科研團隊參與研發(fā)，課題總投資1428萬元，其中中央財政經(jīng)費161萬元，朗迅科技自籌投入1200萬元。課題四主要研究GaN器件動態(tài)導通電阻退化機理，發(fā)展相應退化抑制技術；突破適用于10MHz電源模塊的新型高頻軟開關拓撲與控制技術，掌握10MHz DC-DC電源模塊的集成技術與動態(tài)電阻穩(wěn)定性控制技術，實現(xiàn)開關頻率10MHz、轉換效率>80%、輸出功率10W的超小型和高效率的開關電源模塊。實現(xiàn)基于GaN功率開關器件的DC-DC 功率模塊樣品：19-30V輸入電壓，5-12V輸出電壓，10MHz開關頻率大于80％的轉換效率，10W輸出功率。技術指標獲得第三方（工業(yè)和信息化部電子第五研究所）驗證。發(fā)表論文9篇；申請發(fā)明專利9項。

寬禁帶半導體材料GaN具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速度高臨界擊穿電場大、化學性質穩(wěn)定等特點。因此，基于GaN材料制造的電力電子器件具有通態(tài)電阻小開關速度快、耐壓高、耐高溫性能好等特點。以氮化鎵（GaN）基電力電子器件在高壓、高轉換效率、高功率密度等應用方面具有明顯優(yōu)勢，不僅可以滿足現(xiàn)代功率電子技術對高溫、高功率、高頻和抗輻射等惡劣條件的新要求，而且能顯著提升電源管理系統(tǒng)的效率和節(jié)省能源消耗，可實現(xiàn)系統(tǒng)小型化、輕量化，大大降低成本，在國家節(jié)能減排的戰(zhàn)略要求下具有十分重要的現(xiàn)實意義，助力于國家2030年碳達峰和2060年碳中和目標的實現(xiàn)，滿足“提能效”和“降能耗”兩大要求。GaN電力電子器件在便攜式電子產品、無線通訊、新能源車輛、5G網(wǎng)絡、開關電源、適配器等領域有著非常廣闊的應用前景，發(fā)展氮化鎵電力電子器件也是國家解決“卡脖子”問題的一個重要內容！

在開關電源領域，如何使電源模塊小型化、高頻化、高效化是一個難題，GaN基電力電子器件的出現(xiàn)給電源模塊小型化提供了一個改進方向，對于推動我國產業(yè)轉型與高技術競爭力提升具有重要的技術支撐作用。隨著4G/5G的應用，移動通信實現(xiàn)了數(shù)量吞吐量的空間增長，功率放大器是移動終端中耗電最高的器件之一。

朗迅科技參與研發(fā)的超小型高效電源模塊適合用于4G/5G基站，可促進基站電源小型化與智能化的發(fā)展。未來，朗迅科技將繼續(xù)在氮化鎵電力電子器件開展更深入的研究，強化“芯”實力！

審核編輯：符乾江