傾佳電子（Changer Tech）銷售團(tuán)隊(duì)培訓(xùn)材料：功率半導(dǎo)體拓?fù)浼軜?gòu)與基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）碳化硅器件的戰(zhàn)略應(yīng)用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅(qū)動(dòng)
2025-12-22 08:17:35
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【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 08:33:06749 
在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造過(guò)程中，器件性能的精確測(cè)試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測(cè)試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
控制：結(jié)合設(shè)備身份認(rèn)證結(jié)果，芯源半導(dǎo)體安全芯片支持細(xì)粒度的訪問(wèn)控制。物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)可以根據(jù)設(shè)備的身份、權(quán)限等級(jí)等信息，限制設(shè)備對(duì)系統(tǒng)資源的訪問(wèn)。例如，在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中，普通傳感器設(shè)備只能上傳監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，而不能
2025-11-18 08:06:15
的保障，半導(dǎo)體器件的測(cè)試也愈發(fā)重要。 對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過(guò)這些器件的測(cè)試有共性也有差異，因此在實(shí)際的測(cè)試時(shí)測(cè)試項(xiàng)目也有通用項(xiàng)目和特殊項(xiàng)目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372314 
HP 4145B / Agilent 4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款獨(dú)立的儀器，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件和材料進(jìn)行完整的直流表征。它刺激電壓和電流敏感設(shè)備，測(cè)量產(chǎn)生的電流
2025-11-03 11:20:32
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
靜電在自然界中無(wú)處不在。從芯片制造、封裝測(cè)試、運(yùn)輸存儲(chǔ)到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對(duì)芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導(dǎo)體器件
2025-10-22 14:33:21598 
今日，國(guó)內(nèi)高端電子材料領(lǐng)域迎來(lái)里程碑時(shí)刻。鉅合（上海）新材料科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鉅合新材”）宣布，其歷經(jīng)十年潛心研發(fā)的SECrosslink系列芯片燒結(jié)銀膏，已通過(guò)全球多家半導(dǎo)體企業(yè)的嚴(yán)格測(cè)試與評(píng)估，憑借卓越的產(chǎn)品性能與穩(wěn)定的可靠性，正式確立其在半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌地位。
2025-10-14 17:28:16591 可靠性保駕護(hù)航！
一、嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)微，鑄就精準(zhǔn)測(cè)試之魂
BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)采用先進(jìn)的高精度傳感器和精密的測(cè)量算法，如同擁有一雙“火眼金睛”，能夠?qū)?Si/SiC/GaN 等各類材料
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過(guò)精確控制的物理化學(xué)過(guò)程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
新材料是新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的基石與先導(dǎo)，是支撐現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)、培育新質(zhì)生產(chǎn)力的關(guān)鍵領(lǐng)域。加快發(fā)展新材料產(chǎn)業(yè)，對(duì)推動(dòng)我國(guó)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級(jí)化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化，實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，建設(shè)制造強(qiáng)國(guó)
2025-10-03 06:32:571214 
金屬-半導(dǎo)體界面接觸電阻是制約半導(dǎo)體器件微縮化的關(guān)鍵問(wèn)題。傳統(tǒng)金屬（如Ni、Ti）與二維半導(dǎo)體接觸時(shí)，金屬誘導(dǎo)帶隙態(tài)（MIGS）導(dǎo)致費(fèi)米能級(jí)釘扎，形成肖特基勢(shì)壘。現(xiàn)有策略（如重?fù)诫s或插入介電層）在
2025-09-29 13:45:43939 
電阻率的測(cè)試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測(cè)量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測(cè)量對(duì)器件性能
2025-09-29 13:43:16581 選擇合適的半導(dǎo)體槽式清洗機(jī)需要綜合考慮多方面因素，以下是一些關(guān)鍵的要點(diǎn)：明確自身需求清洗對(duì)象與工藝階段材料類型和尺寸：確定要清洗的是硅片、化合物半導(dǎo)體還是其他特殊材料，以及晶圓的直徑（如常見(jiàn)的12
2025-09-28 14:13:45442 
，其核心應(yīng)用涵蓋參數(shù)測(cè)量、可靠性評(píng)估及材料分析等多個(gè)維度。 1. 核心參數(shù)測(cè)量：精準(zhǔn)把控器件性能 吉時(shí)利源表的核心功能在于精確測(cè)量半導(dǎo)體器件的電流-電壓（IV）特性。通過(guò)施加可控電壓/電流并同步采集響應(yīng)數(shù)據(jù)，可繪制伏安特性曲線（IV曲線），直觀反映
2025-09-23 17:53:27581 
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，傳統(tǒng)光學(xué)檢測(cè)正面臨前所未有的精度挑戰(zhàn)，一雙更敏銳的“眼睛”已成為突破檢測(cè)瓶頸的關(guān)鍵。這一需求正推動(dòng)科學(xué)相機(jī)從傳統(tǒng)的“成像工具”演進(jìn)為具備精確測(cè)量能力的核心器件——它不
2025-09-17 11:36:27459 
的解決漏電流問(wèn)題，在源極和漏極之間的電流路徑的溝道中控制平面的數(shù)量被增加到3個(gè)，以抑制漏電流。
GAA：結(jié)構(gòu)中有4個(gè)控制平面，與FinFET相比，漏電流問(wèn)題進(jìn)一步減小，在先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)高效率
2025-09-15 14:50:58
9月4日，第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展在無(wú)錫太湖國(guó)際博覽中心隆重開(kāi)幕。本次展會(huì)以“半導(dǎo)體嘉年華”為主題，匯聚了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多企業(yè)，共同展示前沿技術(shù)、核心設(shè)備與創(chuàng)新材料，推動(dòng)行業(yè)交流與合作。
2025-09-08 16:08:47754 我們知道，帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過(guò)程中，會(huì)與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運(yùn)動(dòng)軌跡生成電子 - 空穴對(duì)，這一物理過(guò)程正是單粒子效應(yīng)的誘發(fā)根源。從作用機(jī)理來(lái)看，半導(dǎo)體器件及集成電路中單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個(gè)核心階段，各階段的物理行為存在顯著差異：
2025-09-08 09:48:181144 
當(dāng)前，全球能源結(jié)構(gòu)加速向清潔化、電動(dòng)化與智能化升級(jí)，功率半導(dǎo)體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，憑借其寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高頻低損耗等
2025-09-06 13:14:26735 
（電容-電壓特性測(cè)試）是通過(guò)測(cè)量半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下的電容變化，分析其介電特性、摻雜濃度及界面狀態(tài)的關(guān)鍵技術(shù)。主要應(yīng)用于功率器件（MOSFET/IGBT等）的寄生參數(shù)測(cè)量和材料特性研究。 二、核心測(cè)試內(nèi)容 ? 關(guān)鍵參數(shù)測(cè)量 ? ?
2025-09-01 12:26:20930 微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導(dǎo)體，直接影響導(dǎo)電
2025-08-27 14:58:20651 
能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺，例如電力變換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件在多個(gè)領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源
2025-08-25 15:30:17664 
在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級(jí)封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓?chǎng)跨材料-工藝-封裝-系統(tǒng)的革命：銅-釕-鉬多元金屬化
2025-08-25 11:30:581454 半導(dǎo)體行業(yè)中的程控電源全球半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體生產(chǎn)商持續(xù)加大科研力度，擴(kuò)建或優(yōu)化產(chǎn)線以提高產(chǎn)能和效率。半導(dǎo)體研發(fā)和制造過(guò)程中的多種應(yīng)用會(huì)使用程控電源，如半導(dǎo)體設(shè)備供電、電子器件的性能測(cè)試和老化
2025-08-22 09:28:10816 
溫控設(shè)備設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體制冷模組因無(wú)需制冷劑、零振動(dòng)、精準(zhǔn)控溫等優(yōu)勢(shì)，成為醫(yī)療、通信、工業(yè)等領(lǐng)域的核心溫控方案。半導(dǎo)體制冷模組的性能核心取決于功率匹配、尺寸適配與溫控精度三大參數(shù)。本文將深入對(duì)比關(guān)鍵
2025-08-20 15:37:551003 
超防新材料CFPC-01超疏水防凝露防結(jié)冰電子涂料CFPC-01涂料產(chǎn)品特點(diǎn)利用荷葉效應(yīng)研制的仿生涂料，具有極低的表面能和仿生荷葉的微納粗糙結(jié)構(gòu)，涂層的接觸角＞150°，具有天然的防水、防凝露、防覆
2025-08-14 10:25:49
半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展。 需求巨大 半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心，普遍應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)/醫(yī)療、軍事/政府等核心領(lǐng)域。為鼓勵(lì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，突破產(chǎn)業(yè)瓶頸，我國(guó)出臺(tái)等多項(xiàng)政策支持
2025-08-13 16:48:21663 
當(dāng)您尋找可靠的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時(shí)，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國(guó)產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381160 作者：錦匯資本汪建川，版權(quán)歸原作者所有。《材料匯》歡迎朋友們踴躍投稿正文汪建川是錦匯天成私募基金管理（西安）有限公司投資總監(jiān)，從事私募股權(quán)投資行業(yè)十余年，主導(dǎo)完成了多個(gè)新材料、軍工、半導(dǎo)體項(xiàng)目的投資
2025-08-12 05:53:311341 超防新材料納米超疏水防水防短路電子保護(hù)涂料涂層CFPC-04產(chǎn)品簡(jiǎn)介： 超防新材料納米超疏水涂料CFPC-04是一款用于電力/電子防護(hù)（常用在PCBA）行業(yè)的仿生荷葉表面的涂料，接觸角
2025-08-11 18:32:37
7月26日-27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)在江蘇南京召開(kāi)。會(huì)議期間，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了“2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757 7月25日至27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2025年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京圓滿落幕。在備受矚目的年度評(píng)選環(huán)節(jié)中，聞泰科技憑借其持續(xù)領(lǐng)先的市場(chǎng)表現(xiàn)與深厚扎實(shí)
2025-07-30 17:50:241182 功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見(jiàn)類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器，在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
項(xiàng)目同臺(tái)競(jìng)技，涵蓋半導(dǎo)體芯片材料、石墨烯材料等多個(gè)前沿領(lǐng)域，最終評(píng)選出企業(yè)組、創(chuàng)業(yè)組各級(jí)獎(jiǎng)項(xiàng)。東莞市工業(yè)和信息化局相關(guān)負(fù)責(zé)人在致辭中表示，新材料產(chǎn)業(yè)是制造業(yè)轉(zhuǎn)型升
2025-07-21 07:21:19853 點(diǎn)膠加固焊接好的PCB板上的器件是一個(gè)常見(jiàn)的工藝，主要用于提高產(chǎn)品在振動(dòng)、沖擊、跌落等惡劣環(huán)境下的可靠性。操作時(shí)需要謹(jǐn)慎，選擇合適的膠水、位置和用量至關(guān)重要。以下是詳細(xì)的步驟和注意事項(xiàng)：漢思新材料
2025-07-18 14:13:172037 
項(xiàng)目同臺(tái)競(jìng)技，涵蓋半導(dǎo)體芯片材料、石墨烯材料等多個(gè)前沿領(lǐng)域，最終評(píng)選出企業(yè)組、創(chuàng)業(yè)組各級(jí)獎(jiǎng)項(xiàng)。東莞市工業(yè)和信息化局相關(guān)負(fù)責(zé)人在致辭中表示，新材料產(chǎn)業(yè)是制造業(yè)轉(zhuǎn)型升
2025-07-18 06:19:34712 目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
區(qū)間，在對(duì)散熱要求較高的工業(yè)生產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)環(huán)境中，可實(shí)現(xiàn)熱量快速散發(fā)，維持溫度穩(wěn)定。而半導(dǎo)體高低溫實(shí)驗(yàn)設(shè)備，如 SFP 光模塊測(cè)試盒，針對(duì) 10G、25G、100G 等不同速率的光模塊進(jìn)行測(cè)試，其控溫范圍
2025-06-25 14:44:54
在半導(dǎo)體制造的精密鏈條中，半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過(guò)化學(xué)或物理手段去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等），為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點(diǎn)
2025-06-25 10:31:51
半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種，比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響，但最終在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電流的只有漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在此匯總集中介紹一下半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)。
2025-06-23 16:41:132108 
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
半導(dǎo)體藥液?jiǎn)卧–hemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無(wú)論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來(lái)源：Pixabay、Pexels單晶方面，碳化硅作為目前
2025-06-15 07:30:57973 的“守門人”。關(guān)于光電子器件光電子器件是一類基于半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)等物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的電子器件。當(dāng)光線照射半導(dǎo)體材料時(shí)，電子吸收光子能量產(chǎn)生電子-
2025-06-12 19:17:281516 
引線框架（Lead Frame）是一種金屬結(jié)構(gòu)，主要用于半導(dǎo)體芯片的封裝中，作用就像橋梁——它連接芯片內(nèi)部的電信號(hào)到外部電路，實(shí)現(xiàn)電氣連接，同時(shí)還承擔(dān)機(jī)械支撐和散熱任務(wù)。它廣泛應(yīng)用于中低引腳數(shù)的封裝形式中，比如DIP、QFP、SOP、DFN等，是半導(dǎo)體封裝的基礎(chǔ)材料之一。
2025-06-09 14:55:171513 的核心奧秘。不追逐華而不實(shí)的噱頭，而是實(shí)實(shí)在在地依據(jù)市場(chǎng)需求和行業(yè)走向，精心打磨每一個(gè)技術(shù)細(xì)節(jié)。
其半導(dǎo)體清洗機(jī)，堪稱匠心之作。在清洗技術(shù)方面，融合了超聲波清洗、噴淋清洗與化學(xué)濕法清洗等多元手段，針對(duì)
2025-06-05 15:31:42
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:301781 
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382339 
近日，由中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)、汽車輕量化技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、蕪湖市人民政府、奇瑞汽車股份有公司共同主辦的2025年國(guó)際汽車新材料大會(huì)在安徽省蕪湖市盛大開(kāi)幕。本屆大會(huì)以“智能新材料·高能效新材料”為主
2025-05-27 16:32:42765 漢思膠水在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用概覽漢思膠水在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)價(jià)值，其產(chǎn)品體系覆蓋底部填充、固晶粘接、圍壩填充、芯片包封等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，并通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝適配性設(shè)計(jì)，為
2025-05-23 10:46:58850 
與定義，他在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域堅(jiān)守了18年，也積累豐富實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。工作角色轉(zhuǎn)變后，張大江開(kāi)始更加注重以客戶需求為導(dǎo)向，從市場(chǎng)角度思考問(wèn)題。想要在市場(chǎng)中脫穎而出，做好品牌宣傳是很關(guān)鍵的一步。在張大江的布局下
2025-05-19 10:16:02
運(yùn)行。合科泰作為深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域的專業(yè)器件制造商，始終以硅基技術(shù)為核心，在消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等場(chǎng)景中，持續(xù)驗(yàn)證著第一代半導(dǎo)體的持久生命力。
2025-05-14 17:38:40884 
日前，2025中國(guó)浙江（海寧）半導(dǎo)體裝備及材料博覽會(huì)在海寧會(huì)展中心拉開(kāi)帷幕。本次展會(huì)匯聚了全球多家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，聚焦芯片制造、封裝測(cè)試、材料研發(fā)等核心領(lǐng)域。浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱
2025-05-13 16:07:201596 電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過(guò)程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
摘要：1、細(xì)分領(lǐng)域呈現(xiàn)差異化增長(zhǎng)：半導(dǎo)體材料增速50%、新能源材料52%、生物醫(yī)用材料87%構(gòu)成三大增長(zhǎng)極，而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)材料增速穩(wěn)定在8-10%。2、新興領(lǐng)域快速崛起：AI服務(wù)器-高頻高速材料增速60
2025-05-08 18:31:34681 微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531706 
從鍺晶體管到 5G 芯片，半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
2025-04-24 14:33:371214 
個(gè)N型材料構(gòu)成二、 種類：一般二極體、蕭特基、橋整、穩(wěn)壓管三、 作用：整流、檢波、穩(wěn)壓等四、 特性：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦裕呀涣麟娮兂芍绷麟姡驅(qū)颍聪蚪刂?即電流只能內(nèi)P流向N)五、 電路符號(hào)： 六、 按
2025-04-22 15:17:19
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導(dǎo)體通過(guò)一些微觀的構(gòu)造與參雜可以這種性質(zhì)。
2025-04-15 09:32:291642 
漢思新材料HS711是一種專為板卡級(jí)芯片底部填充封裝設(shè)計(jì)的膠水。HS711填充膠主要用于電子封裝領(lǐng)域，特別是在半導(dǎo)體封裝中，以提供機(jī)械支撐、應(yīng)力緩沖和保護(hù)芯片與基板之間的連接免受環(huán)境因素的影響。漢思
2025-04-11 14:24:01785 
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見(jiàn)證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的迭代都推動(dòng)了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料，1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來(lái)，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來(lái)代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
半導(dǎo)體精密劃片機(jī)在光電子器件制造中扮演著至關(guān)重要的角色，其高精度、高效率與多功能性為光通信、光電傳感等領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的技術(shù)突破。一、技術(shù)特性：微米級(jí)精度與多維適配精度突破劃片機(jī)可實(shí)現(xiàn)微米級(jí)（甚至
2025-03-31 16:03:34792 
中圖儀器NS系列半導(dǎo)體臺(tái)階高度測(cè)量?jī)x器是一款專為高精度微觀形貌測(cè)量設(shè)計(jì)的超精密接觸式儀器，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、MEMS、光學(xué)加工等領(lǐng)域。通過(guò)2μm金剛石探針與LVDC傳感器的協(xié)同工作，結(jié)合亞埃級(jí)
2025-03-31 15:08:10
NS系列半導(dǎo)體臺(tái)階儀應(yīng)用場(chǎng)景適應(yīng)性強(qiáng)，其對(duì)被測(cè)樣品的反射率特性、材料種類及硬度等均無(wú)特殊要求，可測(cè)量沉積薄膜的臺(tái)階高度、抗蝕劑（軟膜材料）的臺(tái)階高度等。 NS系列臺(tái)階儀采用了線性可變
2025-03-27 16:24:51
【DT半導(dǎo)體】獲悉，隨著人工智能（AI）技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長(zhǎng)，同時(shí)人們對(duì)降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍，替代傳統(tǒng)硅的新型半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。石墨烯、過(guò)渡金屬二硫化物（TMD
2025-03-08 10:53:061188 (MOSFET)、IGBT、SCR
(4)光電耦合器
(5)MEMS
(6)聲表面波器件(SAW Device)
(7)集成電路
BW-AH-5520半導(dǎo)體高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)具備風(fēng)冷式，水冷式，液氮制冷式冷卻方式；主要是用來(lái)對(duì)各種元器件及芯片等性能參數(shù)在全溫度范圍內(nèi)、實(shí)現(xiàn)精密在線測(cè)試。
2025-03-06 10:48:56
（Yamatake Semiconductor）
領(lǐng)域 ：半導(dǎo)體設(shè)備
亮點(diǎn) ：全球領(lǐng)先的晶圓加工設(shè)備供應(yīng)商，產(chǎn)品包括干法去膠、刻蝕設(shè)備等，2024年科創(chuàng)板IPO已提交注冊(cè)，擬募資30億元用于研發(fā)中心建設(shè)，技術(shù)
2025-03-05 19:37:43
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172 半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過(guò)將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，塑封工藝也在不斷演進(jìn)，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412565 
半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對(duì)器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而
2025-02-20 10:13:134063 
世界的一切活動(dòng)皆基于材料，未來(lái)絢麗多彩的世界更需要魅力無(wú)限的材料，看看有哪些材料讓我們的未來(lái)的世界變得那么神奇？以下是有材大數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)的十種未來(lái)最具成長(zhǎng)的新材料： 人類這個(gè)物種始終走在發(fā)明創(chuàng)造的道路上
2025-02-19 11:56:091992 
新材料/半導(dǎo)體/新能源/光伏/顯示材料等正文半導(dǎo)體晶圓制造材料（11種）先進(jìn)封裝材料（12種）半導(dǎo)體零部件材料（3種）顯示材料（11種）高性能纖維（12種）工程塑料（13種）高性能膜材（6種）先進(jìn)陶瓷材料（9種）高性能合金（4種）一、半導(dǎo)體晶圓制造材料1、
2025-02-16 07:54:047695 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301611 
2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 近年來(lái)，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的今天，大尺寸晶圓的高效制備成為推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵因素。而在眾多半導(dǎo)體材料中，金剛石憑借其超寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異電學(xué)性質(zhì)，被視為 “終極半導(dǎo)體”，在電真空器件、高頻
2025-02-07 09:16:061038 
在半導(dǎo)體設(shè)備防震基座制造中，品管部對(duì)原材料檢驗(yàn)流程質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)的控制至關(guān)重要，可從檢驗(yàn)前規(guī)劃、檢驗(yàn)過(guò)程把控、檢驗(yàn)后處理等環(huán)節(jié)采取措施：一：檢驗(yàn)前的規(guī)劃與準(zhǔn)備1，明確質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)：與研發(fā)、生產(chǎn)等部門共同制定
2025-02-05 16:47:15717 
半導(dǎo)體激光器常用工作物質(zhì)有砷化鎵、硫化鎘等，激勵(lì)方式有電注入、電子束激勵(lì)和光抽運(yùn)三種方式。 半導(dǎo)體激光器主要優(yōu)點(diǎn)是體積小、效率高、能耗低，以電注入式半導(dǎo)體激光器為例，半導(dǎo)體材料中通常會(huì)添加GaAS
2025-01-27 17:43:001042 
碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì)： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664 近日，荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示，通過(guò)精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)，大幅降低了內(nèi)部納米級(jí)缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學(xué)效率，進(jìn)而
2025-01-23 09:52:54686 
激光錫焊中，不同的波長(zhǎng)適合不同的焊接材料，在實(shí)際的生產(chǎn)應(yīng)用中，半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)應(yīng)該如何選擇呢?松盛光電來(lái)給大家詳細(xì)的介紹分享。半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)選擇至關(guān)重要，需綜合考慮焊件材料、焊料特性、焊接要求等多方面因素。來(lái)了解一下吧。
2025-01-22 11:49:361412 
近年來(lái)，我國(guó)加快發(fā)展新一代信息技術(shù)、高端裝備制造、新能源等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，實(shí)施國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防建設(shè)重大工程，需要新材料產(chǎn)業(yè)提供支撐和保障，新材料產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展空間廣闊。據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從
2025-01-21 07:21:451419 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
? ? 1月8日，江蘇省發(fā)改委發(fā)布2025年江蘇省重大項(xiàng)目名單、2025年江蘇省民間投資重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目名單，共計(jì)700個(gè)項(xiàng)目。 項(xiàng)目涵蓋半導(dǎo)體、新材料、高端裝備、新能源等多個(gè)領(lǐng)域，涉及寧德時(shí)代、中石油
2025-01-13 17:22:391399 
摘要新材料是指具有優(yōu)異性能和特殊功能的材料，涵蓋高性能結(jié)構(gòu)材料、先進(jìn)功能材料、生物醫(yī)用材料、智能制造材料等多個(gè)領(lǐng)域。這些材料在高新技術(shù)、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造、國(guó)防實(shí)力提升等方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，被視為硬
2025-01-12 07:21:461589 半導(dǎo)體濕法刻蝕過(guò)程中殘留物的形成，其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個(gè)層面，下面是對(duì)這些機(jī)制的深入剖析： 化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與半導(dǎo)體材料的交互：濕法刻蝕技術(shù)依賴于特定
2025-01-08 16:57:451468 隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長(zhǎng)、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料、新工藝、新器件的不斷發(fā)展，人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為一種替代方法已經(jīng)被引入器件建模領(lǐng)域。本文介紹了ANN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模的起源、優(yōu)勢(shì)、實(shí)現(xiàn)方式和應(yīng)用場(chǎng)景。 ? 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料
2025-01-06 13:41:211792 
在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會(huì)因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過(guò)高的溫度會(huì)削弱甚至損害器件性能。因此，熱測(cè)試對(duì)于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評(píng)估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試過(guò)程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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