ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。
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當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處于待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。
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使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW?Write?Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許訪問高字節（UB）和低字節（LB）。
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IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標準的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE?II）中。英尚微電子親自授權為ISSI代理,為各行業領域提供各種SRAM芯片,保持長期供貨,完成客戶各方面的需求.
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SRAM芯片型號IS62WV51216，管腳圖如下：

IS62WV51216的管腳總的來說大致分為：電源線、地線、地址線、數據線、片選線、寫使能端、讀使能端和數據掩碼信號線。
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特征
?高速訪問時間：45ns，55ns
?CMOS低功耗運行
–36mW（典型值）運行
–12μW（典型值）CMOS待機
?TTL兼容接口級別
?單電源
–1.65V--2.2V?VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V?VDD（62WV51216BLL）
?完全靜態操作：無時鐘或刷新需要
?三態輸出
?高低字節數據控制
?可提供工業溫度
?無鉛

ISSI??8Mb LP?SRAM芯片