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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 電源/新能源 > 新品快訊

Vishay推出采用超小型封裝的小信號(hào)肖特基和開關(guān)二極管

 日前發(fā)布的二極管外形尺寸僅為1 mm x 0.6 mm x 0.45 mm,與傳統(tǒng)SOD/T封裝器件相比,占板面積減少90 %,高度降低50 %并改進(jìn)了功耗。

2021-10-11 標(biāo)簽:Vishay開關(guān)二極管封裝器件 1661

e絡(luò)盟供貨安世半導(dǎo)體SiGe整流器

安世半導(dǎo)體硅鍺 (SiGe) 整流器效率高、熱穩(wěn)定性好,且外型精巧,是工程師進(jìn)行新品設(shè)計(jì)的不二之選。

2021-10-11 標(biāo)簽:MOSFET整流器肖特基二極管e絡(luò)盟安世半導(dǎo)體 2039

AMETEK程控電源事業(yè)部發(fā)布ASA系列三通道程控直流電源新...

ASA系列產(chǎn)品極具競(jìng)爭(zhēng)力,較同類型產(chǎn)品,三通道輸出功率更高,每個(gè)通道輸出電壓范圍更寬,每通道具有更高的性價(jià)比。

2021-10-09 標(biāo)簽:直流電源 3303

意法半導(dǎo)體70W大功率無線充電芯片組提升充電速度、能效和靈活...

STWLC98 可在30 分鐘內(nèi)給當(dāng)今配備大容量電池的高端智能手機(jī)充滿電。

2021-10-09 標(biāo)簽:微控制器整流器意法半導(dǎo)體無線充電 3532

Pickering Electronics推出新款耐高壓SI...

100HV系列繼電器非常適用于需要切換電源電壓的應(yīng)用,比如要控制和隔離可控硅整流器(SCR)或雙向可控硅閘門。

2021-09-30 標(biāo)簽:變壓器電纜測(cè)試舌簧繼電器 3634

UE Electronic推出全球首款防水20W快充

電源內(nèi)部采用立體堆疊技術(shù)制造,尺寸為30.4立方分米,是全球首個(gè)內(nèi)設(shè)防水保護(hù)的PD20W快充。

2021-09-29 標(biāo)簽:電源適配器type-c 1505

TI推出全新GaN技術(shù),攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題,降低總所有成本。

2021-09-24 標(biāo)簽:微控制器ti服務(wù)器電源 2316

Vishay推出額定功率為0.5 W的增強(qiáng)型厚膜片式電阻

Vishay 宣布,推出增強(qiáng)型Vishay Draloric RCC1206 e3厚膜片式電阻,外形尺寸為1206,額定功率0.5 W。

2021-09-23 標(biāo)簽:Vishay厚膜片式電阻 1784

ADI推出微小尺寸電源管理IC,將可穿戴和耳戴式設(shè)備的充電速...

MAX77659 SIMO PMIC集成開關(guān)模式升/降壓充電器,提供三個(gè)獨(dú)立可編程升/降壓調(diào)節(jié)器,共享同一個(gè)電感,最大程度減小方案總尺寸。

2021-09-23 標(biāo)簽:adi電源管理IC可穿戴設(shè)備 2028

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字...

Microchip的2ASC-12A2HP柵極驅(qū)動(dòng)器與公司最新發(fā)布的智能配置工具(ICT)兼容。

2021-09-22 標(biāo)簽:電源管理microchipDC-DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅MOSFET 1678

Digi-Key與Power Integrations合作推...

Digi-Key Electronics 日前宣布與高壓電源轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Power Integrations 合作,供應(yīng)其采用 PowiGaN? 技術(shù)的 InnoSwitch?3 IC 系列。

2021-09-17 標(biāo)簽:集成電路Digi-KeyGaN 1297

安森美低功耗資產(chǎn)標(biāo)簽為工業(yè)資產(chǎn)管理帶來無與倫比的5年電池使用...

RSL10最近被選用于跟蹤和監(jiān)測(cè)醫(yī)院設(shè)備的室內(nèi)定位信標(biāo),為醫(yī)療服務(wù)提供者提供可指導(dǎo)行動(dòng)的洞察力。

2021-09-16 標(biāo)簽:安森美無線電環(huán)境傳感器 1543

ADI公司發(fā)布集成精密庫侖計(jì)數(shù)器的納安級(jí)功耗原電池SoH監(jiān)控...

ADI今天推出集成精密庫侖計(jì)數(shù)器的納安級(jí)功耗原電池(不可充電)健康狀態(tài)(SoH)監(jiān)控器LTC3337,其設(shè)計(jì)使得與原電池串聯(lián)放置時(shí)的相關(guān)串聯(lián)壓降極小。

2021-09-16 標(biāo)簽:adi寄存器監(jiān)控器I2C接口 2498

安森美電機(jī)開發(fā)套件獲中國(guó)2021年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

MDK含一系列不斷擴(kuò)展的驅(qū)動(dòng)板,以創(chuàng)建快速啟動(dòng)平臺(tái)來運(yùn)行電機(jī),這些驅(qū)動(dòng)板連接到一個(gè)通用控制器板(UCB)。

2021-09-15 標(biāo)簽:控制器安森美功率模塊無刷直流電機(jī) 2822

Vishay的新款薄膜貼片電阻已通過AEC-Q200認(rèn)證,額...

Vishay 推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新系列高功率薄膜環(huán)繞式貼片電阻---PHPA 系列。

2021-09-15 標(biāo)簽:測(cè)試測(cè)量電阻器Vishay汽車電源車載充電器 2269

UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。

2021-09-14 標(biāo)簽:SiC寬禁帶UnitedSiC 1123

安森美的智能技術(shù)賦能記憶科技下一代服務(wù)器的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)

記憶科技服務(wù)器開發(fā)和公司研發(fā)副總裁Ding Wang續(xù)道:“安森美完全賦能我們VR13.HC平臺(tái)的開發(fā),我們深信他們將為記憶科技的下一代VR14服務(wù)器平臺(tái)開發(fā)提供同類最佳的技術(shù)。”

2021-09-14 標(biāo)簽:控制器安森美服務(wù)器vr 3335

意法半導(dǎo)體單片GaN柵極驅(qū)動(dòng)器加速工業(yè)和家庭自動(dòng)化并提高靈活...

意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流大,高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同,都是45ns,能夠驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型 FET 高頻開關(guān)。

2021-09-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器意法半導(dǎo)體DSP處理器柵極驅(qū)動(dòng)器家庭自動(dòng)化 3197

英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術(shù)開發(fā)

 對(duì)于許多設(shè)計(jì)來說,氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色的特定動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和更小的電容,因此更適于做高速開關(guān)。

2021-09-08 標(biāo)簽:英飛凌傳感器MOSFET松下GaN 2329

Vishay推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新系列厚膜片式電阻...

器件通過AEC-Q200認(rèn)證,工作電壓達(dá)3 kV,采用2010和2512外形尺寸,可替代標(biāo)準(zhǔn)電阻串。

2021-09-08 標(biāo)簽:VishayDC-DC轉(zhuǎn)換器片式電阻車載充電器 1332

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